Systemsホーム会社概要パートナーダウンロードお問合せEnglishログインログインホーム会社概要パートナーダウンロードお問合せEnglish最先端の半導体ソリューションで新たなマーケット・ニーズを切り拓きます。等によるチップ経年劣化をモニタリングし主システムのデバイス(トランジスタ)が経年劣化のよる故障を起こす前に、事前警告を出すことが可能。トランジスター閾い値電圧が緩やかに変化する現象です。ドレインのIDsatの低下、トランスコンダクタンス(gm)の低下、絶対電圧の上昇が発生します。cycleなどに依ります。NBTIが要求する典型的なストレスレベルは、温度にして100-250oCの幅にあり、酸化膜の電界は、6MV/cm以上となります。EPUは、CMOSリーケージを発見するためのセルです。将来に発生する酸化ゲートの劣化を門番のように監視します。事前に発せられる警告は、面積、電圧などの条件によりますホスト回路と同じ場所に置くことができるため、ストレス条件に差がありません。高すぎる温度といった物理的環境がもたらすストレスは回路の経年劣化に原因となります。