105的模块覆板104上。例如浸入稀释的HF中。沉积氢化非晶硅(a-Si:H)层106。a_SiNx:H层107。钝化层113的典型厚度为Ι-lOOOnm,优选5_200nm且最优选10_150nm。a-Si:H层108。和a-SiN:H层107,由此在区域B中提供接触部位。因此通过第一区域C实现硅材料层108的分隔处理。110的形成(图Id)。112沉积在硅化物上(参见图Ie)。在施加a_Si:H层108之后,去除区域B中的a_Si:H层108和a_SiNx:H层107,同时保持区域B中的至少一些a-Si:H层106不被损伤,由此在区域B中提供接触部位。108的处理,如图沘中所示。