该硅材料可含有0-40原子百分比的氢。104上并通过附接层105附接至该模块覆板104。之间的区域A中)上沉积钝化层113。100之间的区域A中。在结构120上沉积硅材料层108,以便其覆盖钝化层113以及太阳能电池100之间的区域A。通常,下一步是在区域B中提供接触部位,如上所述。钝化层113包括非晶硅层106和非晶氮化硅层107。此外,硅材料层108包括非晶硅。可通过原子层沉积(ALD)来沉积氧化铝。钝化层113的典型厚度为Ι-lOOOnm,优选5_200nm且最优选10_150nm。除上述技术之外,硅材料层108可通过喷墨沉积。在这种情况下,金属层109沉积在整个结构120上。(多余的金属)应被去除,以便分隔接触。所述反射层116仍存在区域C中。