GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。IGBT,正向电压由J2结承担,反向电压由J1结承担。Ids可用下式表示:Ids=(1+Bpnp)Imos式中Imos——流过MOSFET的电流。所以IGBT的通态压降小,耐压1000V的IGBT通态压降为2~3V。tfe1和tfe2组成。IGBT的开关速度低于MOSFET,但明显高于GTR。IGBT的开启电压约3~4V,和MOSFET相当。IGBT厂商中挖人。UHD超高清电视。74ls7474ls74+关注74LS74是双D触发器。74ls112的应用等内容。CD4046的功能cd4046锁相环电路,CD4046无线发射,cd4046运用,cd4046锁相环电路图。