お問い合わせ会員登録/ログイン検索内容を選んでください。検索内容を選んでください。MOSFETのロードスイッチON時の突入電流対策についてロードスイッチOFF時、電流の逆流についてロードスイッチON時の突入電流についてロードスイッチQ1をONした瞬間に定常電流よりはるかに大きな電流が一時的に流れることがあります。出力側の負荷容量CLの電荷がゼロに近いときに、出力Voに電圧が加えられた瞬間大きな充電電流が流れます。このような過大な電流が流れることを突入電流(ラッシュカレント)といいます。Q1のRds(on)と負荷側の負荷容量CLのESRでほぼ決まり、入力電圧Vinが大きくなるとその分、電流も多くなります。突入電流が著しく大きくなった場合、誤動作やシステムトラブルを引き起こす可能性があります。最大定格電流を超えた場合、破壊に至る恐れがあります。Q1のゲート、ソース間に接続された抵抗R1と並列にコンデンサC2を追加しQ1のゲート電圧をゆっくり立ち下げることで、Rds(on)をゆっくり小さくさせることができ突入電流を抑制することができます。Q1_1G=1V→12VQ2がOFFの時、ロードSWQ1がONする。(Q1のゲート電圧はVo(VgsQ1)以上にする。)Q2がONの時、ロードSWQ1がOFFする。Q1がONすると、突入電流が流れるため、対策としてC2を追加する。端子の電圧が一定時間残留します。側に電流が逆流する場合があります。MOSFETQ1の電流定格を超えないように注意する必要があります。入力バイパスコンデンサCINの容量値については、負荷側条件を含め立上りタイミングを十分検討してから決定してください。reserved.ロームWebサイトはCookieを使用しております。引き続きロームWebサイトを閲覧・利用することで、Cookieの使用に同意したものとみなします。Cookieおよび個人情報の取扱いに関しての詳細は、プライバシーポリシーをご覧ください。