土木お知らせ公式Twitterアカウントで新着記事を配信中です。フォローをお願いします。Technologies(インフィニオン)は、ソース電極が底面にあるソースダウン構造のパッケージに封止した、+25V耐圧のパワーMOSFET「IQE006NE2LM5CG/IQE006NE2LM5」を発売した(ニュースリリース)。同社のパワーMOSFETファミリー「OptiMOS」に含まれる製品である。2製品どちらも、nチャネル品である。ドレイン電極の代わりにソース電極をパッケージの底面に設けて、放熱電極に直接接続できるようにした。この結果、「オン抵抗と熱抵抗を削減でき、電源回路の電力密度向上や性能改善を達成できるようになる」(同社)という。パッケージは、実装面積が3.3mm×3.3mmの8端子PQFNである。サーバーや通信機器などのスイッチング電源のほか、モーター駆動機器、バッテリーマネジメント回路、オアリング(ORing)回路に向ける。ソースダウン構造のパッケージに封止した25V耐圧のパワーMOSFET。Technologiesの写真[画像のクリックで拡大表示]最大ドレイン電流は連続時に298A、パルス時に1192A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに0.50mΩ(標準値)、+4.5Vのときに0.65mΩ(標準値)とどちらも低い。「オン抵抗は、従来技術を採用した製品と比較すると最大30%減を達成した」(同社)という。全ゲート電荷量は28.5nC(標準値)。入力容量は4100pF(標準値)。出力容量は1700pF(標準値)。帰還容量は130pF(標準値)。ゲート抵抗は0.7Ω(標準値)。出力電荷量は41.3nC(標準値)である。接合部とケース間の熱抵抗は1.4°C/W(最大値)。デバイスとプリント基板(6cm2の放熱電極)の間の熱抵抗は60°C/Wである。IQE006NE2LM5CGとIQE006NE2LM5の違いは、パッケージ底面のゲート電極の形状にある。IQE006NE2LM5CGは「センターゲート構造」。IQE006NE2LM5は「スタンダードゲート構造」を採用する。2製品どちらも、すでに量産を始めている。価格は明らかにしていない。Exposition(APEC)」の同社ブース(ブース番号1510)で展示する予定である。Reserved.このページに掲載されている記事・写真・図表などの無断転載を禁じます。掲載している情報は、記事執筆時点のものです。