化学機械研磨(CMP)は、半導体製造におけるウェハーの平坦化に用いられています。ナノファブリケーション構造のサイズの小型化に伴い、平坦化の要件はいっそう厳しくなっています。原子間力プロファイリング(AFP)は非破壊的な高分解能テクニックで、CMP後のプロセス管理における表面トポグラフィー(ディッシングおよび腐食)のダイ内測定を可能にします。長距離プロファイリングステージの組み合わせにより、ミリメートルレベルの距離にわたりAFM分解能が実現します。