一部が「格子間型炭素」に変化します。この格子間型炭素がデバイスの電気特性に影響を与えているとされています。格子間型炭素に関連する挙動は低温PL分析で非常に感度良く観測することが可能であり、SIMS分析の下限以下の微量な炭素についての知見を得ることが可能です。本資料では、イオン注入を行ったSi基板について低温PL分析とSIMS分析を行い確認した例を示します。低温PL分析では格子間型炭素に関連するピーク(G-line)が確認されました。低温PL分析では、Si基板に含まれる非常に微量な炭素の量(SIMS分析の検出下限以下)に関する知見を得ることが可能です。※定量は不可となります。酸素濃度や試料の処理状況(特に試料への加熱有無)等によってピークの検出状況が大幅に変動するため、可否についてはお気軽にご相談ください。ご相談・お申し込み知識豊富な営業担当が、最適な分析プランをご提案。分析費用のお見積りもお気軽にお問い合わせください。相談・お申し込みは、専用のフォームかお電話でどうぞ。