ための設計技術SiCパワーMOSFETの本格的普及と低コスト化を阻害している結晶欠陥および酸化膜/SiC界面欠陥の挙動を学理的に解明し、その知見を基に欠陥低減と劣化抑制の設計指針を提示することを目指します。高速スイッチングできる低インダクタンスモジュール、リアクトルやコンデンサ等の受動部品の材料・素子開発を行って高密度電力変換システムの基盤を確立します。次世代パワー半導体の高速スイッチング特性を活かして、従来のパワーエレクトロニクスの延長上にはない電力演算(パワープロセッシング)技術の確立を目指します。電力フローのアナログ技術をデジタル技術化することで電力フローを情報系と統合し、従来にない高度な電力ネットワークの基盤を確立します。放射線や高温酸化環境下で適用可能な耐環境SiC複合材料基盤技術の確立と、材料設計のための耐熱温度と強度のデザインウィンドウを構築します。PluginClose。