SRAでは、キャリアの深さ方向濃度分布を浅い領域(数100nm)から深い領域(数100μm)までの幅広いレンジで分析が可能です。試料表面や指定深さにおける抵抗値の面内分布評価も可能です。一例として、市販品のSi-IGBTチップを解体し、チップ全体/フィールドストップ層/ライフタイムキラーの深さ方向濃度分布評価と、ライフタイムキラー照射深さにおける抵抗値の面内分布評価をSRAで行った事例をご紹介いたします。データSRAでチップ全体の深さ方向キャリア濃度分布評価した結果を図2に、フィールドストップ層の深さ方向濃度分布をSRAとSIMSで複合評価した結果を図3に示します。結果を図5に示します。100μm以上の広い領域での抵抗値の面内分布を評価できるため、デバイスが設計通りに作製されたかの確認・異常箇所の特定などが可能です。ご相談・お申し込み知識豊富な営業担当が、最適な分析プランをご提案。分析費用のお見積りもお気軽にお問い合わせください。相談・お申し込みは、専用のフォームかお電話でどうぞ。