現在のところ、高効率でコンパクトかつシンプルな3相インバータシステムの実装は、1200Vの電圧ではシリコンデバイスの動的損失が高いため思うようにいきません。代わりに600V/650Vのデバイスを使用して設計すると、効率はある程度改善されます。した設計ではトポロジーが複雑化(3レベル)してしまい、結果的に制御スキームも複雑になり、パワーコンポーネントの数も増えてしまいます。topologiesSiのIGBTのターンオン損失も40%低減され、EMI(電磁干渉)も低減されます。Siベースのソリューションと比べると、熱性能が改善されることで接合部温度も15%低くなります。これによってシステムの信頼性が高まり、同じフォームファクターでも高い出力を得られる可能性があります。IGBT/SiCダイオード」ソリューションの最適化の可能性を制限する要因となります。この問題を解決するために、第5世代ダイオードでは順方向電圧とその温度依存性を低減させて静的損失を抑え、それにより価格性能比も向上しています。この第5世代がターゲットにするのは、太陽光発電インバータや無停電電源装置(UPS)、モータ駆動、3相スイッチング電源(SMPS)などの分野です。SiCショットキーダイオードコンパクトなシステム設計のトレンドには、小型のデバイスパッケージの使用と同時に、高い効率の実現が求められます。CoolSiCTMショットキーダイオード第5世代品は、電流定格2A~20A、リアル2ピンのD2PAKで提供します。rectifier)やPFCブーストステージにおいて、CoolSiCTMダイオードに次いで高効率なSiダイオードに比べても、効率が最大で1%向上します。これにより、PFCとDC/DCステージの出力電力を、40%以上増加させることができます。わずかなスイッチング損失を除き、SiCショットキーCoolSiCTM第5世代ダイオードの特長は、クラス最高の順方向電圧(VF)に加え、温度上昇によるVF変化が少なく、突入電流耐性が高い点です。その結果、魅力的なコストポイントで、市場最高レベルの効率、およびシステムの高い信頼性を実現します。インフィニオンはお客様の最新技術のパフォーマンスを高め、これまでとこれからのお客様のビジネスに貢献する製品、ソリューションを提供いたします。