高い電気的信頼性を確保します。狭ギャップパターン信頼性試験での課題フラックス残渣の絶縁信頼性の確認では、くし型基板を使用しており、JIS、IPCでは、0.318mm間隔のくし型基板にて評価を行っている。近年、より厳しいフラックス残渣信頼性を求めるお客様が増えており、より狭ギャップのくし型基板にて評価する機会が増加してきた。・イオン化した金属が移動しやすくなる為、マイグレーションの発生確率が格段に高くなる。・狭ギャップパターンでは、残渣が電極間に溜まりやすい■解決策S3X58-HF900Nは、高湿度下でも吸湿しにくい樹脂を使用。金属イオンの生成を抑えた形にて設計。狭ピッチの電極でも高い絶縁信頼性を確保しました。新技術で高い信頼性を実現アノードでの反応とカソードでの反応を繰り返す事で、樹脂状にマイグレーションが成長する。マイグレーションが発生した場所は、さらに狭ギャップとなる為、より電流が流れやすくなり絶縁抵抗値が低下、マイグレーションの成長も早くなる。S3X58-HF900Nは、活性剤量を抑えることで金属イオンの生成を少なくし、マイグレーション発生を防止。残渣信頼性(狭ギャップ信頼性基板0.125mm)S3X58-HF900Nは、抵抗値の高い状態を維持しており、1000時間印加後もマイグレーションの発生が無いことを確認しました。フラックス残渣の金属塩を低減フラックス内へ取り込まれる金属塩が少なく、絶縁抵抗への影響を抑えます。