◎正当な理由による書き込みの削除について:管理人の生島英之(福岡市西区)です、宜しくお願いします。ようにbを入れるだけでここでスレ保存、閲覧できます。Memories」のタイトルで講演した半導体メモリ技術に関する分析を、シリーズでご紹介している。講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるので、本シリーズでは読者の理解を助けるために、講演の内容を適宜、補足している。本シリーズでは過去15回にわたり、既存のメモリと次世代メモリの開発動向や市場動向などをご説明してきた。今回(最終回)は、そのまとめである。講演者であるWebb氏はまとめとして、次世代メモリの長所と短所を一覧表で示していた。XPointメモリ」「MRAM(磁気抵抗メモリ)」「ReRAM(抵抗変化メモリ)」「NRAM(カーボンナノチューブメモリ)」「FeRAM(強誘電体メモリ)」(新材料に限定)「Other(その他のメモリ)」である。次世代メモリの長所(Pros)と短所(Cons)。XPointメモリ」の長所は、128Gビットと次世代メモリの中では、ずぬけて大きな記憶容量(シリコンダイ当たり)の高速メモリを量産品で実現していることに尽きるだろう。記憶容量はDRAMよりもはるかに大きい。書き換えサイクルの回数には制限があり、アクセス速度はDRAMに比べて遅い。一覧表には記述されていない重要な短所に、メモリ製品が販売されていないことがある。XPointメモリはIntelがSSDやHDDキャッシュ、メモリモジュールなどに組み込んだ形でしか、商業化されていない。XPointメモリは「メモリ製品」ではない。「MRAM(磁気抵抗メモリ)」の長所は、次世代メモリの中では最も高速であることだ。最大記憶容量(シリコンダイ当たり)で1Gビットの単体メモリ製品がサンプル出荷されており、256Mビットの単体メモリ製品が販売されている。短所は記憶容量当たりのコストが非常に高いことである。このコストが阻害要因となり、64Mビット以上の大容量品はあまり使われていない。16Mビット以下の小容量品が現在でも販売の主流である。「ReRAM(抵抗変化メモリ)」の長所は、かなり高速であることと、メモリセルの構造がシンプルである(製造コストを低くできる)ことだ。マイクロコントローラ(マイコン)のROMを置き換えるメモリとして製品化が始まり、現在では単体メモリ製品も市販されている。単体メモリ製品の最大容量は4Mビットとあまり大きくない。最近では記憶容量を8Mビットに拡大した単体メモリ製品の販売が発表されている(関連記事:容量8MビットのReRAMを製品化)を参照)。https://eetimes.jp/ee/articles/1907/30/news072.htmlReRAMの大容量化で期待がかかるのは、3次元クロスポイント構造である。いくつかのメモリベンダーで研究開発が進められている。2020年には製品が登場する可能性が少なくない。「NRAM(カーボンナノチューブメモリ)」の長所は、高速かつ高密度で書き換えサイクル回数が多く、データ保持特性に優れることである。短所はコアとなる技術の開発企業がベンチャー1社に限定されていることと、量産品のデータがないことだ。以前には2018年に最初のメモリ製品が登場するとアナウンスされていたものの、開発は遅れている。サンプル出荷は早くても2019年末になるだろう。「FeRAM(強誘電体メモリ)」の長所は、高速であることと、1個のトランジスタでメモリセルを作れるので高密度にできること、書き換えサイクル回数を多くできそうなことだろう。短所は、学会発表レベルでも製品に近い水準の成果が出てきていないことである。製品化にはまだ、5年くらいの期間を必要とする可能性が高い。□DRAMとNANDフラッシュの地位は揺るがない既存のメモリ技術では、DRAMとNANDフラッシュメモリが主流である。短くとも今後5年の間は、両者の地位が揺らぐことはないだろう。DRAMの微細化は非常にゆっくりと進んでいく。NAND技術としては次々世代、積層数としては200層クラスまでは製品開発が約束されている。この高い開発速度に付いていけるメモリ技術は、ほかにはない。14:40:19.67ID:j9+rmQFO>「NRAM(カーボンナノチューブメモリ)」の長所は、高速かつ高密度で書き換えサイクル回数が>多く、データ保持特性に優れることである。短所はコアとなる技術の開発企業がベンチャー1社>に限定されていることと、量産品のデータがないことだ。以前には2018年に最初のメモリ製品が>登場するとアナウンスされていたものの、開発は遅れている。サンプル出荷は早くても2019年>末になるだろう。ようにbを入れるだけでここでスレ保存、閲覧できます。