ブロッキング現象に起因するピンホールの発生を抑制できる銅張積層板の製造方法を提供する。【解決手段】ロールツーロールによりベースフィルム11を巻き出して搬送しつつ、スパッタリングによりベースフィルム11の第1面11a側に第1銅薄膜層13Aと第1酸化銅層14Aとを成膜して基材中間品10iを巻き取る。ロールツーロールにより基材中間品10iを巻き出して搬送しつつ、スパッタリングによりベースフィルム11の第2面11b側に第2銅薄膜層13Bを成膜して基材10を巻き取る。ロールツーロールにより基材10を巻き出して搬送しつつ、電解めっきにより基材10の両面に銅めっき被膜20を成膜して銅張積層板1を得る。前記高電流密度は0.3〜10A/dm2であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の銅張積層板の製造方法。本発明は、銅張積層板の製造方法に関する。液晶パネル、ノートパソコン、デジタルカメラ、携帯電話などには、樹脂フィルムの表面に配線パターンが形成されたフレキシブルプリント配線板が用いられる。フレキシブルプリント配線板は、例えば、銅張積層板から製造される。銅張積層板の製造方法としてメタライジング法が知られている。メタライジング法による銅張積層板の製造は、例えば、つぎの手順で行なわれる。樹脂フィルムの表面にニッケルクロム合金からなる下地金属層を形成する。つぎに、下地金属層の上に銅薄膜層を形成する。つぎに、銅薄膜層の上に銅めっき被膜を形成する。銅めっきにより、配線パターンを形成するのに適した膜厚となるまで導体層を厚膜化する。メタライジング法により、樹脂フィルム上に直接導体層が形成された、いわゆる2層基板と称されるタイプの銅張積層板が得られる。【0004】この種の銅張積層板を用いてフレキシブルプリント配線板を製造する方法としてセミアディティブ法が知られている。セミアディティブ法によるフレキシブルプリント配線板の製造は、つぎの手順で行なわれる(特許文献1参照)。銅張積層板の銅めっき被膜の表面にレジスト層を形成する。つぎに、レジスト層のうち配線パターンを形成する部分に開口部を形成する。つぎに、レジスト層の開口部から露出した銅めっき被膜を陰極として電解めっきを行ない、配線部を形成する。つぎに、レジスト層を除去し、フラッシュエッチングなどにより配線部以外の導体層を除去する。これにより、フレキシブルプリント配線板が得られる。【0005】セミアディティブ法において、銅めっき被膜の表面にレジスト層を形成するあたり、ドライフィルムレジストを用いることがある。この場合、銅めっき被膜の表面を化学研磨した後に、ドライフィルムレジストを貼り付ける。両面に導体層を有する銅張積層板の製造は、例えば、つぎの手順で行なわれる。スパッタリング装置内でロールツーロールにより樹脂フィルムを搬送しつつ、樹脂フィルムの一方の面に下地金属層および銅薄膜層を成膜して一次製品を製造する。つぎに、スパッタリング装置内でロールツーロールにより一次製品を搬送しつつ、樹脂フィルムの他方の面に下地金属層および銅薄膜層を成膜して二次製品を製造する。つぎに、電解めっきにより、二次製品の両面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得る。両面に銅薄膜層が成膜された二次製品は一度ロール状に巻き取られる。この際、一方の面の銅薄膜層と他方の面の銅薄膜層とが接触することとなる。スパッタリングにより成膜された銅薄膜層は、その表面の清浄度が高く、また、平滑性が高い。そのため、銅薄膜層同士が接触すると両者が密着することがある。いわゆるブロッキング現象が発生することがある。ブロッキング現象が発生すると、電解めっき工程において、ロール状の二次製品を巻き出す際に、銅薄膜層が剥がれ、銅薄膜層に孔が開くことがある。銅薄膜層に形成された孔が銅めっきにより十分に覆われずに残存した場合、導体層にピンホールが生じることとなる。【0009】また、化学研磨により銅めっき被膜を減膜する際にも、導体層にピンホールが生じることがある。導体層にピンホールが存在すると、その上に形成された配線の厚さが部分的に薄くなる「窪み」、配線の幅が部分的に狭くなる「欠け」と称される外観不良の原因となる。ひどい場合には、配線が断線する。本発明は上記事情に鑑み、銅薄膜層のブロッキング現象に起因するピンホールの発生を抑制できる銅張積層板の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、化学研磨後のピンホールの発生を抑制できる銅張積層板の製造方法を提供することを目的とする。第1発明の銅張積層板の製造方法は、ロールツーロールによりベースフィルムを巻き出して搬送しつつ、スパッタリングにより前記ベースフィルムの第1面側に第1銅薄膜層と、該第1銅薄膜層上に積層される第1酸化銅層とを成膜して基材中間品を巻き取る第1スパッタリング工程と、ロールツーロールにより前記基材中間品を巻き出して搬送しつつ、スパッタリングにより前記ベースフィルムの第2面側に第2銅薄膜層を成膜して基材を巻き取る第2スパッタリング工程と、ロールツーロールにより前記基材を巻き出して搬送しつつ、電解めっきにより前記基材の両面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得る電解めっき工程と、を備え、前記電解めっき工程において、塩素を含む銅めっき液が貯留されためっき槽内で前記基材を搬送し、前記めっき槽内に、前記基材の搬送方向に沿って、低電流密度での電解めっきを行なう低電流密度区域と、前記低電流密度よりも高い高電流密度での電解めっきを行なう高電流密度区域とを交互に設けることを特徴とする。第2発明の銅張積層板の製造方法は、第1発明において、前記第2スパッタリング工程において、前記ベースフィルムの前記第2面側に前記第2銅薄膜層と、前記第2銅薄膜層上に積層される第2酸化銅層とを成膜することを特徴とする。第3発明の銅張積層板の製造方法は、ロールツーロールによりベースフィルムを巻き出して搬送しつつ、スパッタリングにより前記ベースフィルムの第1面側に第1銅薄膜層を成膜して基材中間品を巻き取る第1スパッタリング工程と、ロールツーロールにより前記基材中間品を巻き出して搬送しつつ、スパッタリングにより前記ベースフィルムの第2面側に第2銅薄膜層と、該第2銅薄膜層上に積層される第2酸化銅層とを成膜して基材を巻き取る第2スパッタリング工程と、ロールツーロールにより前記基材を搬送しつつ、電解めっきにより前記基材の両面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得る電解めっき工程と、を備え、前記電解めっき工程において、塩素を含む銅めっき液が貯留されためっき槽内で前記基材を搬送し、前記めっき槽内に、前記基材の搬送方向に沿って、低電流密度での電解めっきを行なう低電流密度区域と、前記低電流密度よりも高い高電流密度での電解めっきを行なう高電流密度区域とを交互に設けることを特徴とする。第4発明の銅張積層板の製造方法は、ロールツーロールによりベースフィルムを巻き出して搬送しつつ、スパッタリングにより前記ベースフィルムの第1面側に第1銅薄膜層と、該第1銅薄膜層上に積層される第1酸化銅層とを成膜するとともに、前記ベースフィルムの第2面側に第2銅薄膜層を成膜して基材を巻き取るスパッタリング工程と、ロールツーロールにより前記基材を搬送しつつ、電解めっきにより前記基材の両面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得る電解めっき工程と、を備え、前記電解めっき工程において、塩素を含む銅めっき液が貯留されためっき槽内で前記基材を搬送し、前記めっき槽内に、前記基材の搬送方向に沿って、低電流密度での電解めっきを行なう低電流密度区域と、前記低電流密度よりも高い高電流密度での電解めっきを行なう高電流密度区域とを交互に設けることを特徴とする。第5発明の銅張積層板の製造方法は、ロールツーロールによりベースフィルムを巻き出して搬送しつつ、スパッタリングにより前記ベースフィルムの第1面側に第1銅薄膜層と、該第1銅薄膜層上に積層される第1酸化銅層とを成膜するとともに、前記ベースフィルムの第2面側に第2銅薄膜層と、該第2銅薄膜層上に積層される第2酸化銅層とを成膜して基材を巻き取るスパッタリング工程と、ロールツーロールにより前記基材を搬送しつつ、電解めっきにより前記基材の両面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得る電解めっき工程と、を備え、前記電解めっき工程において、塩素を含む銅めっき液が貯留されためっき槽内で前記基材を搬送し、前記めっき槽内に、前記基材の搬送方向に沿って、低電流密度での電解めっきを行なう低電流密度区域と、前記低電流密度よりも高い高電流密度での電解めっきを行なう高電流密度区域とを交互に設けることを特徴とする。第6発明の銅張積層板の製造方法は、第2または第5発明において、前記第1酸化銅層の厚さは5〜60nmであり、前記第2酸化銅層の厚さは5〜60nmであることを特徴とする。第7発明の銅張積層板の製造方法は、第2、第5または第6発明において、前記電解めっき工程は、前処理として酸処理を含み、該酸処理により前記第1酸化銅層および前記第2酸化銅層を除去することを特徴とする。第8発明の銅張積層板の製造方法は、第1〜第7発明のいずれかにおいて、前記低電流密度は0〜0.29A/dm2であり、前記高電流密度は0.3〜10A/dm2であることを特徴とする。第1酸化銅層および第2酸化銅層は、アルゴンガスと酸素ガスとを供給して行なわれる反応性スパッタリングにより成膜できる。ここで、アルゴンガスと酸素ガスとの流量比率は10:1〜10:4であることが好ましい。本発明によれば、基材をロール状に巻き取った際に、第1銅薄膜層と第2銅薄膜層との間に酸化銅層が挟まった状態となる。第1銅薄膜層と第2銅薄膜層とが接触しないので、ブロッキング現象の発生を抑制できる。その結果、ブロッキング現象に起因するピンホールの発生を抑制できる。電解めっき工程で形成した銅めっき被膜が、塩素濃度が高い層と低い層とが交互に積層された構造となる。化学研磨による銅めっき被膜のエッチングの進行は高塩素濃度層により抑制される。エッチングが進行しやすい経路が高塩素濃度層で途切れるため、エッチングが局所的に厚さ方向に進行することが抑制される。その結果、ピンホールの発生を抑制できる。【図1】本発明の第1実施形態に係る銅張積層板の製造方法における工程図である。【図2】片面スパッタリング装置の説明図である。【図3】本発明の第2実施形態に係る銅張積層板の製造方法における工程図である。【図4】本発明の第3実施形態に係る銅張積層板の製造方法における工程図である。【図5】本発明の第4実施形態に係る銅張積層板の製造方法における工程図である。【図6】両面スパッタリング装置の説明図である。【図7】本発明の第5実施形態に係る銅張積層板の製造方法における工程図である。【図8】めっき装置の斜視図である。【図9】めっき槽の平面図である。【図10】本発明の第6実施形態で得られる銅張積層板の断面図である。【図11】図(A)は実施例1における銅めっき被膜の塩素濃度分布を示すグラフである。図(B)は実施例2における銅めっき被膜の塩素濃度分布を示すグラフである。図(C)は比較例1における銅めっき被膜の塩素濃度分布を示すグラフである。【0014】つぎに、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。本発明の第1実施形態に係る銅張積層板1の製造方法は、第1スパッタリング工程と、第2スパッタリング工程と、電解めっき工程とからなる。第1スパッタリング工程と、第2スパッタリング工程と、電解めっき工程とをこの順に行なうことで、図1に示すようにベースフィルム11から銅張積層板1を製造する。以下、各工程を順に説明する。【0015】(第1スパッタリング工程)ベースフィルム11は絶縁性を有する長尺帯状のフィルムである。ベースフィルム11として樹脂フィルムを用いることができる。樹脂フィルムとして、ポリエチレンテレフタレートフィルムのほか、ポリイミドフィルムなどの耐熱性樹脂フィルムが挙げられる。限定されないが、ベースフィルム11の厚さは10〜100μmが一般的である。以下、ベースフィルム11の一方の主面を第1面11aと称し、他方の主面を第2面11bと称する。第1スパッタリング工程では、スパッタリングによりベースフィルム11の第1面11aに第1下地金属層12A、第1銅薄膜層13A、および第1酸化銅層14Aを成膜して基材中間品10iを得る。第1下地金属層12A、第1銅薄膜層13A、および第1酸化銅層14Aはベースフィルム11の第1面11aにこの順に積層される。一般に、第1下地金属層12Aはニッケル、クロム、またはニッケルクロム合金からなる。限定されないが、第1下地金属層12Aの厚さは5〜50nmが一般的であり、第1銅薄膜層13Aの厚さは50〜400nmが一般的である。【0017】なお、第1銅薄膜層13Aはベースフィルム11の第1面11a側に成膜されていればよい。第1銅薄膜層13Aは第1面11a側に第1下地金属層12Aを介して成膜されてもよいし、第1面11a上に直接成膜されてもよい。第1下地金属層12Aはなくてもよい。第1下地金属層12A、第1銅薄膜層13A、および第1酸化銅層14Aは、例えば、図2に示すスパッタリング装置3により成膜される。スパッタリング装置3は、ロールツーロールにより長尺帯状の被成膜品D1を搬送しつつ、スパッタリングにより被成膜品D1の片面に成膜して成膜品D2を連続的に製造する装置である。第1スパッタリング工程において、被成膜品D1はベースフィルム11であり、成膜品D2は基材中間品10iである。【0019】スパッタリング装置3は真空チャンバー30を有する。真空チャンバー30内に巻出ロール31と巻取ロール39とが配置されている。巻出ロール31は被成膜品D1をロール状に巻回したものである。巻取ロール39は成膜品D2をロール状に巻回したものである。被成膜品D1は巻出ロール31から巻き出され、巻取ロール39に向かって搬送される。被成膜品D1の搬送経路にはキャンロール35が配置されている。被成膜品D1をキャンロール35に巻きつけて冷却しながらスパッタリングを行なう。キャンロール35は、スパッタリングにより熱せられる被成膜品D1を冷却するため、内部に冷媒が循環している。真空チャンバー30内には、巻出ロール31、巻取ロール39、およびキャンロール35のほか、被成膜品D1の搬送経路を画定する各種のロールが設けられている。具体的には、真空チャンバー30内には、フリーロール32、38、張力センサロール33、37、フィードロール34、36が設けられている。被成膜品D1はこれらのロールに巻きつけられ、搬送される。【0022】キャンロール35の外周面に対向する位置には、被成膜品D1の搬送経路に沿って4つのスパッタリングカソード41〜44が設けられている。各スパッタリングカソード41〜44には、キャンロール35の外周面に対向する面にターゲットが取り付けられている。ターゲットから叩き出されたスパッタ粒子が被成膜品D1の表面上に堆積することで成膜が行なわれる。第1スパッタリング工程では、以下の条件でスパッタリングを行なう。搬送経路の最も上流に配置された第1スパッタリングカソード41にニッケルクロム合金のターゲットを取り付ける。第1スパッタリングカソード41とキャンロール35との間にアルゴンガスを供給する。これにより、ベースフィルム11の第1面11aにニッケルクロム合金からなる第1下地金属層12Aが成膜される。第1スパッタリングカソード41に取り付けるターゲットはニッケルクロム合金に限定されず、ニッケル、クロムなど他の金属でもよい。第1スパッタリングカソード41の下流に配置された第2、第3スパッタリングカソード42、43に銅のターゲットを取り付ける。第2、第3スパッタリングカソード42、43とキャンロール35との間にアルゴンガスを供給する。これにより、第1下地金属層12Aの上に第1銅薄膜層13Aが成膜される。搬送経路の最も下流に配置された第4スパッタリングカソード44に銅のターゲットを取り付ける。第4スパッタリングカソード44とキャンロール35との間にアルゴンガスと酸素ガスとを供給する。アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気下で反応性スパッタリングを行なう。反応性スパッタリングにより、第1銅薄膜層13Aの上に第1酸化銅層14Aが成膜される。ここで、アルゴンガスと酸素ガスとの流量比率を10:1〜10:4とすることが好ましい。すれば、銅と酸素とが反応し、酸化銅の層を成膜できる。【0026】スパッタリング後に得られる基材中間品10iは、ロール状に巻き取られて回収される。この際、第1酸化銅層14Aとベースフィルム11の第2面11bとが接触することとなる。銅薄膜層同士が接触しないので、ブロッキング現象が発生しない。【0027】(第2スパッタリング工程)第2スパッタリング工程では、スパッタリングによりベースフィルム11の第2面11bに第2下地金属層12Bと第2銅薄膜層13Bとを成膜して基材10を得る。第2下地金属層12Bと第2銅薄膜層13Bとはベースフィルム11の第2面11bにこの順に積層される。第2下地金属層12Bの素材、厚さは第1下地金属層12Aと同様とすればよい。第2銅薄膜層13Bの厚さは第1銅薄膜層13Aと同様とすればよい。【0028】なお、第2銅薄膜層13Bはベースフィルム11の第2面11b側に成膜されていればよい。第2銅薄膜層13Bは第2面11b側に第2下地金属層12Bを介して成膜されてもよいし、第2面11b上に直接成膜されてもよい。第2下地金属層12Bはなくてもよい。第2下地金属層12Bと第2銅薄膜層13Bとは、例えば、図2に示すスパッタリング装置3により成膜される。第2スパッタリング工程において、被成膜品D1は基材中間品10iであり、成膜品D2は基材10である。第2スパッタリング工程では、以下の条件でスパッタリングを行なう。搬送経路の最も上流に配置された第1スパッタリングカソード41にニッケルクロム合金のターゲットを取り付ける。第1スパッタリングカソード41とキャンロール35との間にアルゴンガスを供給する。これにより、ベースフィルム11の第2面11bにニッケルクロム合金からなる第2下地金属層12Bが成膜される。第1スパッタリングカソード41に取り付けるターゲットはニッケルクロム合金に限定されず、ニッケル、クロムなど他の金属でもよい。第1スパッタリングカソード41の下流に配置された第2〜第4スパッタリングカソード42〜44に銅のターゲットを取り付ける。第2〜第4スパッタリングカソード42〜44とキャンロール35との間にアルゴンガスを供給する。これにより、第2下地金属層12Bの上に第2銅薄膜層13Bが成膜される。【0032】スパッタリング後に得られる基材10は、ロール状に巻き取られて回収される。基材10をロール状に巻き取った際に、第1銅薄膜層13Aと第2銅薄膜層13Bとの間に第1酸化銅層14Aが挟まった状態となる。第1銅薄膜層13Aと第2銅薄膜層13Bとが接触しないので、ブロッキング現象の発生を抑制できる。その結果、ブロッキング現象に起因するピンホールの発生を抑制できる。【0033】なお、第1酸化銅層14Aの厚さを5〜60nmとすることが好ましい。すれば、ブロッキング現象の発生を十分に抑制でき、ピンホールの発生を十分に抑制できる。【0034】(電解めっき工程)電解めっき工程では、電解めっきにより基材10の両面に銅めっき被膜20を成膜して銅張積層板1を得る。電解めっきはロールツーロールにより基材10を巻き出して搬送しつつ行なわれる。ロール状に巻回された基材10を巻き出しながら、電解めっきを行なう。前述のごとく、基材10の第1銅薄膜層13Aと第2銅薄膜層13Bとは接触していないため、銅薄膜層13A、13B同士が密着しない。そのため、基材10を巻き出す際に、銅薄膜層13A、13Bが剥がれ、銅薄膜層13A、13Bに孔が開くことを防止できる。電解めっき工程は電解めっきの前処理として酸処理を含むことが好ましい。酸処理により第1酸化銅層14Aを除去する。第1酸化銅層14Aを除去した後に電解めっきを行なうことで、導体層に酸化銅が含まれない、導電性に優れた銅張積層板1が得られる。〔第2実施形態〕つぎに、本発明の第2実施形態に係る銅張積層板1の製造方法を説明する。図3に示すように、第1実施形態の第2スパッタリング工程において、第2下地金属層12Bおよび第2銅薄膜層13Bに加えて、第2酸化銅層14Bを成膜してもよい。第2下地金属層12B、第2銅薄膜層13B、および第2酸化銅層14Bはベースフィルム11の第2面11bにこの順に積層される。本実施形態の第2スパッタリング工程は、第1スパッタリング工程と同様の条件で行なわれる。搬送経路の最も下流に配置された第4スパッタリングカソード44に銅のターゲットを取り付ける。第4スパッタリングカソード44とキャンロール35との間にアルゴンガスと酸素ガスとを供給する。アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気下で反応性スパッタリングを行なう。反応性スパッタリングにより、第2銅薄膜層13Bの上に第2酸化銅層14Bが成膜される。ここで、アルゴンガスと酸素ガスとの流量比率を10:1〜10:4とすることが好ましい。すれば、銅と酸素とが反応し、酸化銅の層を成膜できる。【0038】スパッタリング後に得られる基材10は、ロール状に巻き取られ回収される。基材10をロール状に巻き取った際に、第1銅薄膜層13Aと第2銅薄膜層13Bとの間に第1酸化銅層14Aと第2酸化銅層14Bとが挟まった状態となる。第1銅薄膜層13Aと第2銅薄膜層13Bとが接触しないので、ブロッキング現象の発生を抑制できる。その結果、ブロッキング現象に起因するピンホールの発生を抑制できる。【0039】なお、第2酸化銅層14Bの厚さを5〜60nmとすることが好ましい。すれば、ブロッキング現象の発生を十分に抑制でき、ピンホールの発生を十分に抑制できる。電解めっき工程では、酸処理により第1酸化銅層14Aと第2酸化銅層14Bとを除去した後に、電解めっきを行なうことが好ましい。すれば、導体層に酸化銅が含まれない、導電性に優れた銅張積層板1が得られる。〔第3実施形態〕つぎに、本発明の第3実施形態に係る銅張積層板1の製造方法を説明する。図4に示すように、第1スパッタリング工程において、ベースフィルム11の第1面11aに第1下地金属層12Aと第1銅薄膜層13Aとを成膜し、第1酸化銅層14Aを成膜しなくてもよい。【0042】スパッタリング後に得られる基材中間品10iは、ロール状に巻き取られて回収される。この際、第1銅薄膜層13Aとベースフィルム11の第2面11bとが接触することとなる。銅薄膜層同士が接触しないので、ブロッキング現象が発生しない。第2スパッタリング工程では、ベースフィルム11の第2面11bに第2下地金属層12B、第2銅薄膜層13B、および第2酸化銅層14Bを成膜する。【0044】スパッタリング後に得られる基材10は、ロール状に巻き取られて回収される。基材10をロール状に巻き取った際に、第1銅薄膜層13Aと第2銅薄膜層13Bとの間に第2酸化銅層14Bが挟まった状態となる。第1銅薄膜層13Aと第2銅薄膜層13Bとが接触しないので、ブロッキング現象の発生を抑制できる。その結果、ブロッキング現象に起因するピンホールの発生を抑制できる。〔第4実施形態〕つぎに、本発明の第4実施形態に係る銅張積層板1の製造方法を説明する。本実施形態の銅張積層板1の製造方法はスパッタリング工程と電解めっき工程とからなる。スパッタリング工程と電解めっき工程とをこの順に行なうことで、図5に示すようにベースフィルム11から銅張積層板1を製造する。以下、各工程を順に説明する。【0046】(スパッタリング工程)スパッタリング工程では、スパッタリングによりベースフィルム11の第1面11aに第1下地金属層12A、第1銅薄膜層13A、および第1酸化銅層14Aを成膜する。それとともに、スパッタリングによりベースフィルム11の第2面11bに第2下地金属層12Bと第2銅薄膜層13Bとを成膜する。ベースフィルム11の両面11a、11bに銅薄膜層13A、13Bを同時に成膜して基材10を得る。【0047】スパッタリング工程には、例えば、図6に示すスパッタリング装置4が用いられる。スパッタリング装置4は、ロールツーロールにより長尺帯状の被成膜品D1を搬送しつつ、スパッタリングにより被成膜品D1の両面に成膜して成膜品D2を連続的に製造する装置である。スパッタリング工程において、被成膜品D1はベースフィルム11であり、成膜品D2は基材10である。【0048】スパッタリング装置4は真空チャンバー30を有する。真空チャンバー30内に巻出ロール31と巻取ロール39とが配置されている。巻出ロール31は被成膜品D1をロール状に巻回したものである。巻取ロール39は成膜品D2をロール状に巻回したものである。被成膜品D1は巻出ロール31から巻き出され、巻取ロール39に向かって搬送される。被成膜品D1の搬送経路には2つのキャンロール35A、35Bが配置されている。被成膜品D1は2つのキャンロール35A、35BにS字状に巻きつけられる。したがって、被成膜品D1の一方の面が第1キャンロール35Aの外側に向き、被成膜品D1の他方の面が第2キャンロール35Bの外側に向く。真空チャンバー30内には、巻出ロール31、巻取ロール39、およびキャンロール35A、35Bのほか、被成膜品D1の搬送経路を画定する各種のロールが設けられている。具体的には、真空チャンバー30内には、フリーロール32、38、張力センサロール33、37、フィードロール34、36が設けられている。被成膜品D1はこれらのロールに巻きつけられ、搬送される。第1キャンロール35Aの外周面に対向する位置には、被成膜品D1の搬送経路に沿って第1群のスパッタリングカソード41A〜44Aが設けられている。各スパッタリングカソード41A〜44Aには、第1キャンロール35Aの外周面に対向する面にターゲットが取り付けられている。【0052】また、第2キャンロール35Bの外周面に対向する位置には、被成膜品D1の搬送経路に沿って第2群のスパッタリングカソード41B〜44Bが設けられている。各スパッタリングカソード41B〜44Bには、第2キャンロール35Bの外周面に対向する面にターゲットが取り付けられている。【0053】スパッタリング工程では、以下の条件でスパッタリングを行なう。第1群のスパッタリングカソード41A〜44Aのうち、搬送経路の最も上流に配置された第1スパッタリングカソード41Aにニッケルクロム合金のターゲットを取り付ける。第1スパッタリングカソード41と第1キャンロール35Aとの間にアルゴンガスを供給する。これにより、ベースフィルム11の第1面11aにニッケルクロム合金からなる第1下地金属層12Aが成膜される。第1スパッタリングカソード41Aの下流に配置された第2、第3スパッタリングカソード42A、43Aに銅のターゲットを取り付ける。第2、第3スパッタリングカソード42A、43Aと第1キャンロール35Aとの間にアルゴンガスを供給する。これにより、第1下地金属層12Aの上に第1銅薄膜層13Aが成膜される。搬送経路の最も下流に配置された第4スパッタリングカソード44Aに銅のターゲットを取り付ける。第4スパッタリングカソード44Aと第1キャンロール35Aとの間にアルゴンガスと酸素ガスとを供給する。アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気下で反応性スパッタリングを行なう。反応性スパッタリングにより、第1銅薄膜層13Aの上に第1酸化銅層14Aが成膜される。第2群のスパッタリングカソード41B〜44Bのうち、搬送経路の最も上流に配置された第1スパッタリングカソード41Bにニッケルクロム合金のターゲットを取り付ける。第1スパッタリングカソード41と第2キャンロール35Bとの間にアルゴンガスを供給する。これにより、ベースフィルム11の第2面11bにニッケルクロム合金からなる第2下地金属層12Bが成膜される。第1スパッタリングカソード41Bの下流に配置された第2〜第4スパッタリングカソード42B〜44Bに銅のターゲットを取り付ける。第2〜第4スパッタリングカソード42B〜44Bと第2キャンロール35Bとの間にアルゴンガスを供給する。これにより、第2下地金属層12Bの上に第2銅薄膜層13Bが成膜される。【0058】スパッタリング後に得られる基材10は、ロール状に巻き取られて回収される。基材10をロール状に巻き取った際に、第1銅薄膜層13Aと第2銅薄膜層13Bとの間に第1酸化銅層14Aが挟まった状態となる。第1銅薄膜層13Aと第2銅薄膜層13Bとが接触しないので、ブロッキング現象の発生を抑制できる。その結果、ブロッキング現象に起因するピンホールの発生を抑制できる。【0059】(電解めっき工程)電解めっき工程では、電解めっきにより基材10の両面に銅めっき被膜20を成膜して銅張積層板1を得る。電解めっきはロールツーロールにより基材10を搬送しつつ行なわれる。電解めっき工程では、酸処理により第1酸化銅層14Aを除去した後に、電解めっきを行なうことが好ましい。すれば、導体層に酸化銅が含まれない、導電性に優れた銅張積層板1が得られる。〔第5実施形態〕つぎに、本発明の第5実施形態に係る銅張積層板1の製造方法を説明する。図7に示すように、第4実施形態のスパッタリング工程において、第2下地金属層12Bおよび第2銅薄膜層13Bに加えて、第2酸化銅層14Bを成膜してもよい。本実施形態のスパッタリング工程はつぎの条件で行なわれる。第1群のスパッタリングカソード41A〜44Aの条件は第4実施形態と同様である。第2群のスパッタリングカソード41B〜44Bのうち、搬送経路の上流側に配置された第1〜第3スパッタリングカソード41B〜43Bの条件も第4実施形態と同様である。搬送経路の最も下流に配置された第4スパッタリングカソード44Bに銅のターゲットを取り付ける。第4スパッタリングカソード44Bと第2キャンロール35Bとの間にアルゴンガスと酸素ガスとを供給する。アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気下で反応性スパッタリングを行なう。反応性スパッタリングにより、第2銅薄膜層13Bの上に第2酸化銅層14Bが成膜される。【0063】スパッタリング後に得られる基材10は、ロール状に巻き取られて回収される。基材10をロール状に巻き取った際に、第1銅薄膜層13Aと第2銅薄膜層13Bとの間に第1酸化銅層14Aと第2酸化銅層14Bとが挟まった状態となる。第1銅薄膜層13Aと第2銅薄膜層13Bとが接触しないので、ブロッキング現象の発生を抑制できる。その結果、ブロッキング現象に起因するピンホールの発生を抑制できる。〔第6実施形態〕つぎに、本発明の第6実施形態に係る銅張積層板1の製造方法を説明する。電解めっき工程を以下に説明する手順で行なってもよい。本実施形態の電解めっき工程は、第1〜第5実施形態の第1、第2スパッタリング工程およびスパッタリング工程のいずれとも組み合わせることができる。銅めっき被膜20は、特に限定されないが、図8に示すめっき装置5により成膜される。めっき装置5は、ロールツーロールにより長尺帯状の基材10を巻き出して搬送しつつ、基材10に対して電解めっきを行なう装置である。めっき装置5はロール状に巻回された基材10を巻き出す供給装置51と、めっき後の基材10(銅張積層板1)をロール状に巻き取る巻取装置52とを有する。【0066】また、めっき装置5は基材10を搬送する上下一対のエンドレスベルト53(下側のエンドレスベルト53は図示省略)を有する。各エンドレスベルト53には基材10を把持する複数のクランプ54が設けられている。供給装置51から繰り出された基材10は、その幅方向が鉛直方向に沿う懸垂姿勢となり、両縁が上下のクランプ54に把持される。基材10はエンドレスベルト53の駆動によりめっき装置5内を周回した後、クランプ54から開放され、巻取装置52で巻き取られる。基材10の搬送経路には、前処理槽55、めっき槽60、および後処理槽56が配置されている。基材10は前処理槽55内を搬送されつつ、酸処理により第1酸化銅層14Aおよび第2酸化銅層14Bが除去される。基材10はめっき槽60内を搬送されつつ、電解めっきよりその両面に銅めっき被膜20が成膜される。これにより、長尺帯状の銅張積層板1が得られる。図9に示すように、めっき槽60は基材10の搬送方向に沿った横長の単一の槽である。基材10はめっき槽60の中心に沿って搬送される。めっき槽60には銅めっき液が貯留されている。めっき槽60内を搬送される基材10は、その全体が銅めっき液に浸漬されている。銅めっき液は水溶性銅塩を含む。銅めっき液に一般的に用いられる水溶性銅塩であれば、特に限定されず用いられる。