(IntelliEPI社)は、InP/GaAs/GaSb/Si系エピウエハおよびGaSb基板の製造販売を行っています。IntelliEPI社は、MBE(分子線結晶成長)法のみによるエピ成長を行っています。長年のノウハウをもとに、エピ成長を再現性よくかつ高精度に行うための独自技術を開発し、特許を取得しています。InPエピウエハとしては業界初の4インチ化を実現するとともに、早くからC-doping技術を確立しています。リアルタイムでモニタし、記録する技術です。ウエハー自体の製膜精度はもとより、ウエハー間(Run-to-Run)の均一性も向上させました。多くのお客様から高い評価と信頼を戴いております。Technology米国特許取得済みの、in-situモニタリングシステムは、エピ成長に影響の無い、光学機器を使用して、各データを収集、独自解析ソフトにより解析し、各種パラメータをコントロールしております。Pyrometry:光学温度計により何カ所かのwafer温度を同時に計測します。Reflection:成長中のwafer表面にレーザを当て、成長状態を観察します。Scattering:waferに当てたレーザーの反射角度を観察することで、表面の荒さを計測します。(OFM):各元素を吸収する光ビームにより、3グループ(Al、Ga、In)の分子線量を観測、各元素のcompositionを観察します。Compositionの値をOFMと、X-Rayで比較した図表です。X-Rayで確認した値とほとんど変わりません。in-situモニタリングシステム参考資料sensor.pdfIn-situモニタリングシステムは、結果的に・・・・リアルタイム測定データを検証し、エラーを低減できることから、開発コストが低減できます。Run-to-RunのUniformityが良くなることで、デバイス製作時の歩留まりが良くなり、デバイスコストが低減されます。Structuresご要求により、下記Epi-waferを提供しております。200mm赤字部については、量産体制が既に整っております。1E20xcm-3を達成しております。カーボンドーピングデータ参考資料CBr4.pdf[TOP]GaSb基板の製造販売GaSb基板を、自社工場にて製造しております。サイズは2/3/4インチ、Pタイプ/Nタイプが有ります。詳細情報につきましては、弊社までお問い合わせ下さい。メールでのお問い合せはこちらへ。