MOSの開発を行った。MOSの目標仕様はコモンノイズで発生する電圧と使用方法から耐圧1200V程度、オン抵抗100Ω以下と設定した。既存の光MOSリレーのパッケージサイズと同等のサイズ(8.68×6.4×3.65mm)の製品を作成するために、チップ面積を2.0×2.0mmに設定した。上記の目標仕様とチップサイズより、耐圧を向上させるため、チップ周囲部にFP構造を採用し、試作・シミュレ−ション(OPUS、ODESA)を行った。その結果、耐圧1400V、オン抵抗70Ωを確認し、目標仕様を満足する製品ができた。Ltd.www-admin@www.oki.co.jp。