原子間力顕微鏡モードナノ電気特性測定モードSSRM、SSRM-HR走査型拡がり抵抗法顕微鏡(SSRMおよびSSRM-HR)広範囲の抵抗マッピングと最高の空間分解能のキャリア密度プロファイリング発光ダイオード(LED)、光検出器、ダイオードレーザーは、半導体技術を基盤としています。した製品の開発や製造においては、電気的特性を二次元かつ高分解能で測定する能力が求められます。(SCM)と同じく、半導体サンプル表面の形状情報と同時に2Dキャリア密度分布が得られる技術です。よるフィードバックとワイドレンジアンプを用いて拡がり抵抗を測定し、キャリア密度をマッピングします。最先端の半導体研究に最適の構成です。