CO2去除能力,以优化系统性能。并增加可用于俘获CO2的胺部位。并增加可用于俘获CO2的胺部位。CO2流中99%的CO2分子。并增加可用于俘获CO2的胺部位。CO2流中99%的CO2分子。例如直至24小时或更长时间,然后进行干燥。例如直至大约24小时或更长时间,然后进行干燥。135°C的沸点并在俘获CO2前挥发。(或增加)CO2俘获。例如四亚乙基五胺(ΤΕΡΑ)。CO2,然后释放俘获的CO2并分离释放的CO2,以产生基本纯的CO2产物和载流(carrierstream)。DRIFTS光谱表征。200四极质谱仪(MS)。当进行DRIFTS时,在3200至3400CHT1显示特征峰。SiO2中,然后从50°C加热到135°C而制备。05cc/g的孔体积。—起使用以将TEPA分子分散在SiO2表面上。I的TEPA/乙醇溶液制备。CO2俘获的胺部位(即NH2部位)。CO2),进行CO2俘获。CO2吸附在吸附床上后,将入口流从C02/Ar流切换回He流。/min的升温速率从30°C加热到135°C,并在135°C保持5分钟,进行程序升温脱附(TPD)。30°C,接着进行TEPA/乙醇加入、CO2俘获和TPD。