前記銅層は厚さが100nm以上であり。酸素を5体積%以上45体積%以下の割合で含有するガスをチャンバー内に供給しながらスパッタリング法により、前記黒化層を成膜する請求項5に記載の導電性基板の製造方法。高分子フィルム上に透明導電膜としてITO(酸化インジウム−スズ)膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。(特許文献1参照)ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。ITOは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。【0003】このため、例えば特許文献2、3に開示されているようにITO膜にかえて導電性が優れている銅等の金属箔を用いることが検討されている。配線層に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。【0004】そこで、上記の導電性と視認性の両特性の改善を実現するために、銅等の金属箔により構成される配線層と共に、黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。【0005】しかしながら、配線パターンを有する導電性基板とするためには、配線層と黒化層とを形成した後に、配線層と黒化層とをエッチングして所望のパターンを形成する必要があるが、エッチング液に対する反応性が配線層と黒化層とで大きく異なるという問題があった。配線層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、いずれかの層が目的の形状にエッチングできないという問題であった。上記従来技術の種々の問題に鑑み、本発明の一側面では同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板を提供することを目的とする。前記黒化層の銅とニッケルとモリブデンとの含有量を100原子%とした場合に、前記モリブデンの含有量が3.3原子%以上70原子%以下である導電性基板を提供する。本発明の一側面によれば、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板を提供することができる。【図1A】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。【図1B】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。【図2A】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。【図2B】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。【図3】本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。