NANDフラッシュメモリを採用した産業用SSD「MTE452T」シリーズを発表した。NANDフラッシュメモリを採用した産業用SSD「MTE452T」シリーズを発表した。NANDフラッシュメモリを採用したことで、64層品よりも高いストレージ効率を有する。MLCと同等の3000回を保証する。ECC」も搭載している。サイズは42×22×3.58mmで、重量は5g。容量は64G〜512Gバイトをラインアップしている。Second)、同書き込み速度は最大25万IOPS。MTBF(平均故障間隔)は300万時間で、TBW(総書込み容量)は最大1080Tバイトだ。高い耐久性と高速なデータ通信を必要とするアプリケーションでの利用を見込む。データを保存できる4MビットEEPROMSTマイクロエレクトロニクスは、大容量データを保存可能な4MビットEEPROM「M95M04」を発表した。膨大なデータを取得、保存できる上、低消費電力で電力効率に優れる。データ保持期間は40年で、400万回以上書き込み可能だ。EERAMメモリ製品ファミリーを発表した。電源供給が中断しても、外付けバッテリーなしでSRAMの内容を保持できる。最大125°Cの高温動作を保証する2MビットFRAM富士通セミコンダクターは、最大125°Cでの動作を保証する、2Mビット(256K×8ビット)FRAM「MB85RS2MTY」を発表した。−40〜+125°Cの温度範囲で動作し、EEPROMの約1000万倍となる10兆回の書き換え回数を保証する。DRAM」を搭載したDRAMモジュールを発表した。DRAMの供給不足を補うことができる。リアルタイムデータログに適した4MビットFRAM富士通セミコンダクターは、4Mビットの不揮発性FRAM「MB85RS4MT」を発表した。10兆回の書き換えが可能で、高速での書き込み、低消費電力を特長とする。NVMe規格に対応するPCIe接続SSDウエスタンデジタルは、NVMe規格に対応するPCIe接続SSDを発表した。SSDの3倍以上となるシーケンシャル読み取り速度を可能にした。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。