[0001]【産業上の利用分野】本発明は半導体素子,受動素子等の複数の半導体チップが搭載されるマルチチップパッケージに関し、特に、軽量薄型化を図りつつ半導体チップとリード導体の配線構造を簡素化したマルチチップパッケージに関する。LSI等と組み合わせて使用される。ICパッケージと同様に一般の実装ラインに適用できる等の利点が得られることから、ユーザーにとって手軽な高密度のモジュールとして注目を浴びている。最近では、高密度化を提供する表面実装が普及していることから、このパッケージが注目されている。attention.【0004】こういった中で、従来のマルチチップパッケージは、例えば、複数の半導体チップをリードフレームのタブ部に搭載し、リードフレームのリード導体と半導体チップをボンディングワイヤで接続して、更に、タブ部をモールド樹脂で封止して構成されている。このマルチチップパッケージは、リード導体として信号伝送用の信号リードの他に電源リード,グランドリードを有し、電源電位,接地電位のチップへの供給はリード導体を兼用して行っている。[0005]【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のマルチチップパッケージによると、ボンディングワイヤを複雑に引き回して信号リード,電源リード,及びグランドリードと複数の半導体チップを接続しているため、配線構造が複雑化するという問題がある。最近、特にリードフレームの微細精密化が進んでいるため、配線を複雑に引き回すと、短絡等が発生する恐れがある。セラミック基板やプリント基板を使って配線構造を簡略化することもできるが、その厚さ分だけパッケージが厚くなり、軽量薄型化を図ることができない。thickness.【0006】従って、本発明の目的は軽量薄型化を図りながら半導体チップとリード導体の配線構造を簡素化することができるマルチチップパッケージを提供することである。[0007]【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点に鑑み、軽量薄型化を図りながら半導体チップとリード導体の配線構造を簡素化するため、グランドリードを介して接地電位に接続されるタブ部,及び複数の信号リードより成るリードフレームと、タブ部の少なくとも片面に貼付され、所定の位置にグランド接続用孔が形成されていると共に、表面に導体パターンが形成された絶縁テープと、絶縁テープの所定の位置に配置された複数の半導体チップを備え、半導体チップが、導体パターンを介して信号リードと接続されている共に、グランド接続用孔を介してタブ部と接続されたマルチチップパッケージを提供するものである。provide.【0008】上記絶縁テープとして、ポリイミドテープ等を適用することができ、グランド接続用孔は、例えば、パンチングによって形成され、導体パターンは、例えば、エッチング,或いは蒸着によって形成される。deposition.【0009】また、グランド接続用孔から露出したタブ部,及び信号リードの先端にAu,或いはAgのスポットめっきを施すと、ワイヤボンディング性を向上させることができる。[0010]【作用】上記構成を有する本発明のマルチチップパッケージによると、半導体チップと信号リードを絶縁テープに形成されたテープ上配線を介して接続し、更に、半導体チップとグランドリードを当該グランドリードと電気的に接続され、且つ絶縁テープの半導体チップの接続部近傍に形成されたバイアホール(接地用孔)から露出したタブ部を介して接続しているため、ボンディングワイヤの複雑な引き回しを行わずに最小限の長さで接続することができ、最も混雑している信号リードの先端部と半導体チップ間の配線構造を簡素化することができる。配線を整理するためにプリント基板やセラミック基板を使用しないため、パッケージの厚さ,重量を抑えることができる。マルチチップパッケージについて添付図面を参照しながら詳細に説明する。invention.【0012】図1には、本発明の一実施例に係るマルチチップパッケージのモールド工程前の構造が示されている。このマルチチップパッケージは、接地電位に接続されるタブ部15,及び複数の信号リード10を有したリードフレーム17と、タブ部15に接着剤14を介して貼付された絶縁テープ13と、絶縁テープ13の上部に搭載された複数の半導体チップ1より構成されている。Agのスポットめっき9が施されている。12は、グランド配線部であるアウターリード(図示せず)に電気的に接続されている。position,表面にテープ上配線(導体パターン)5が形成され、テープ上配線5の両端にはボンディング性を向上させるワイヤボンディングパッド3,4が設けられている。provided.【0015】複数の半導体チップ1は、信号リード接続用,及びグランドリード接続用のバンプ2をそれぞれ有し、絶縁テープ13の所定の位置に配置されている。信号リード接続用のバンプ2は、ワイヤボンディングパッド3,4を有するテープ上配線5,及びワイヤボンディングパッド3,4にそれぞれ接続されたボンディングワイヤ6,7を介して信号リード10に接続されている。.一方、グランドリード接続用のバンプ2は、ボンディングワイヤ16を介してバイアホール8の底部に位置するタブ部15に接続されており、このタブ部15,及びタブ吊り11を介してグランドリード12に電気的に接続されている。connected.【0016】図2には、図1のマルチチップパッケージの断面構造が示されている。15の一表面には接着剤14を介して絶縁テープ13が貼付されており、複数の半導体チップ1はこの絶縁テープ13の表面の所定の位置に搭載されている。1は、絶縁テープ13のテープ上配線5,及びテープ上配線5のワイヤボンディングパッド3,4にそれぞれ接続されたボンディングワイヤ6,7を介して接続されており、半導体チップ1とタブ部15は、バイアホール8に通されるボンディングワイヤ16を介して接続されている。信号リード10の先端にはボンディング性を向上させるためにスポットめっき9が施されているが、必要に応じてバイアホール8から露出したタブ部15の表面に設けても良い。necessary.【0017】以下、上記したマルチチップパッケージの製造方法を説明する。375°C×1minの条件でプレス成形された厚さ35μmのOFC圧延銅箔と貼り合わせる。the.【0018】そして、ポリイミドテープの表面に上記接着剤を5μmの厚さで塗布し、これを打抜き金型でプレス加工して所定の場所に直径0.4mmの円孔(バイアホール8)を形成する。to.【0019】次に、このテープをフォトエッチング工程に通して、テープ上に所定の微細な銅配線パターン(テープ上配線5)を100個分形成する。この配線パターンに厚さ0.25μmのNiめっき,およびその上に厚さ0.6μmのAuめっきを行い、更に、エッチング工程により吸湿したポリイミドテープ,及び接着剤を100°C×60minの条件にて恒温槽で大気中で乾燥させて、絶縁テープ13を得る。13.【0020】一方、厚さ0.15mmの42合金板をフォトエッチング工程に通して、信号リード10,グランドリード12,及びタブ部15等を有する所定のパターンのリードフレーム17を製造し、このリードフレーム17の信号リード10の先端にワイヤボンディング用の金スポットめっき9を厚さ0.6μmで施す。タブ部15に絶縁テープ13を貼り合わせたとき、タブ部15のバイアホールに相当する部分にもバイアホールの中心点より半径0.25μmの範囲にわたって金スポットめっき9を厚さ0.6μmで施す。1minの条件で貼付する。15の先端部をモールド樹脂で樹脂封止してマルチチップパッケージを得る。VPS(各項目に対して20ピースずつ使用した)といった信頼性試験を行った。その結果、パッケージのクラック等の異常は全く認められず、高い信頼性を有していることが判明した。13から露出したタブ部15を介して接続しているため、ボンディングワイヤ6,7,16の複雑な引き回しを行わずに最小限の長さで接続することができ、最も混雑している信号リード10の先端部と半導体チップ1の間の配線構造を簡素化することができる。配線を整理するためにプリント基板やセラミック基板を使用しないため、パッケージの厚さ,重量を抑えることができる。weight.【0025】図3には、本発明の第2の実施例に係るマルチチップパッケージのモールド工程前の断面構造が示されている。第1の実施例のマルチチップパッケージは、絶縁テープ13をタブ部15の片面に貼付していたが、このマルチチップパッケージは、絶縁テープ13をタブ部15の両面に貼付しており、これに応じて信号リード10の裏表に金のスポットめっき9が施されている。このような構成によると、搭載できる半導体チップの数を第1の実施例のものより2倍大きくすることができる。side,その後裏面を行うようため、最初のボンディングワイヤの変形を防ぐように、ワイヤボンディング装置のステージ形状に工夫が凝らされている。surface,絶縁テープの所定の位置に配置された複数の半導体チップを備え、半導体チップが、導体パターンを介して信号リードと接続されていると共に、グランド接続用孔を介してタブ部と接続されているため、軽量薄型化を図りながら半導体チップとリード導体の配線構造を簡素化することができる。DRAWINGS【図1】本発明の第1の実施例を示す説明図。FIG.【図2】本発明の第1の実施例を示す断面図。invention.【図3】本発明の第2の実施例を示す説明図。前記半導体チップが、前記導体パターンを介して前記信号リードと接続されていると共に、前記グランド接続用孔を介して前記タブ部と接続されていることを特徴とするマルチチップパッケージ。前記信号リードは、先端部にAu,或いはAgのスポットめっきが施されている構成の請求項1のマルチチップパッケージ。