Japanese)磁歪材料とは、外部からの磁界の作用によって形状そのものが変化する性質を有する材料のことをいい、このような磁歪材料は、逆に外部応力が加わると磁化が変化する性質を有する。そこで、このような磁気-変形(応力)の特性を利用して、各種センサやトランスジューサ、アクチュエータなどへの応用が試みられている。従来公知の磁歪材料は、その変形に伴うひずみ(磁歪定数)が非常に小さく(10-5~10-6程度)、そのため極く限られた分野の応用にとどまっていた。ところが、最近、希土類-遷移金属化合物の中に、室温における磁歪定数が非常に大きな(10-3以上を示す)磁歪材料(「超磁歪材料」とも呼ばれている)が発見され、大きな変位を発生するアクチュエータの駆動源としての応用が期待されている。超磁歪材料は、主に単結晶や結晶配向されたバルク材料であるため、結晶制御技術を必要とするなど製造過程も複雑で、しかも大きな磁歪特性を発現させるためには大きな磁界が必要となる欠点があった。近年のアクチュエータやセンサの技術進歩は著しいが、従来技術のようにバルク材料を用いると形状の制約が大きく小型化に適さない。それに対して薄膜化すれば、様々な形状のデバイスへの応用が可能になることから、薄膜化に適した実用的な超磁歪薄膜材料の開発が進められている。このような観点から、本発明者等によって、例えば、気相成長させたTb-Fe系の超磁歪薄膜素子(特許文献1)、あるいはTb-Fe-Co系の超磁歪薄膜素子(特許文献2)などが提案されている。これらは良好な特性を呈するものの、希土類元素においてTbは埋蔵量が極めて少なく非常に高価なため、使用量が少ない薄膜という形態といえども将来的に入手困難となる恐れがあるなど不安材料が多いことが問題となる。Japanese)本発明は、基板上に気相成長させたSm(サマリウム)-Fe(鉄)系の超磁歪材料の薄膜からなる超磁歪薄膜素子及びその製造方法に関するものである。この超磁歪薄膜素子は、センサやアクチュエータなどとして有用である。超磁歪材料の薄膜の気相成長による成膜中もしくは成膜後に、200°C~300°Cの温度で熱処理を行う請求項3記載の超磁歪薄膜素子の製造方法。