エツチャントがトレンチの終端部に集中することを抑制することができる。サブトレンチと記載する)が形成されるのを防止することができる。これにより、リーク電流の発生を抑制することができる。部とを備え、前記終端部は、前記ゲート引き出し部における終端部であってもよい。ンチはストライプの形状で配置して、てもよ、。回避することがでさる。記ストライプの延びる方向にぉ、て同じ位置に配置して、てもよ、。通して前記ドレイン領域のうちの途中の深さまで形成されて、てもよ、。絶縁型半導体装置であってもよヽ。部がハ-カム形状である。集中することを抑制することができる。成されるのを防止することができる。導体装置では、そのような不具合を回避することができる。発生を抑制することができる。おいて酸ィ匕起因の応力が発生するのを抑制することができる。膜がトレンチ内部のゲート電極に及ぼす応力の量も低減することができる。置の歩留まりを向上させることができると共に、信頼性を向上させることができる。部とを備え、前記終端部は、前記ゲート引き出し部における終端部であってもよい。ンチはストライプの形状で配置して、てもよ、。2つ以上の六角形が配置して!/、てもよ!/、。通して前記ドレイン領域のうちの途中の深さまで形成されて、てもよ、。部を拡大して示す図である。B線に沿った断面図である。C線に沿った断面を示す図である。