開発・改良に意欲的に取り組んでいます。ユーザの皆さまから寄せられるご意見やご感想は、改善点の優先順位などを検討する際に、貴重なご意見として役立ててまいります。処理によってテキスト化されたものです。半導体装置に関するものである。ィ匕が要求されてきている。配置するトランジスタの密度を大きくすることが、一つの方法としてあげられる。備えた縦型ゲート半導体装置を形成する方法が挙げられる。トレンチ間のピッチを小さくすることでトランジスタ密度を大きくすることができる。12は、従来における縦型ゲート半導体装置の構造を示す平面図である。103とが設けられている。ート絶縁膜を形成する。部分、特にトレンチ終端部のゲート引き出し部で顕著に発生する。以下にその方法について説明する。導体装置の構造を示す平面図および断面図である。13に設けられている。112と連結している。123が形成されて、る。125が形成されている。工程において酸ィ匕起因の応力を低減させることが可能となる。けでなく、リーク電流が増大すると、つた不具合が生じて、た。