磁気スキルミオンは、ナノメートルサイズの渦巻き型スピン構造を有しており、将来のメモリー技術に応用できる可能性と創発電磁気応答があるため、ますます注目を集めている。今回我々は、力学的応力に基づくスキルミオン相制御の新たな方法を実証している。我々は、低温で一軸応力を連続的に掃引することによって、典型的なキラル磁性体MnSi中のスキルミオン結晶を生成し、消滅させた。臨界応力はほんの数十MPaにすぎず、汎用的なのカンチレバーの先端を用いて容易に到達できる。今回の結果から、電気的バイアスも磁気的バイアスも必要とせず、消費エネルギーが極めて小さい単一スキルミオン制御についても新しい指針が得られる。