Onmの深さまで除去する。構成する部分のエッジを丸めることができる。以上の工程により本実施形態の半導体装置を形成することができる。12同士のピッチを小さくすることが可能となる。よいし、また、横一列に揃って配置していてもよい。ヘッド型)について図示している。四角形以外の多角形の平面形状を有していてもよい。13以外の領域よりも狭くてもよい。13に集中することを抑制することができる。うな不具合を回避することができる。