12は、従来における縦型ゲート半導体装置の構造を示す平面図である。半導体装置ではリーク電流が発生するという不具合が生じていた。その不具合の原因を見、だした。以下にその原因にっ、て説明する。拡大して示す図である。1の終端部にエツチャントが過剰に供給されることがわかった。他の部分よりも多く供給されることが原因と考えられる。2が形成されてしまう。縁膜が薄膜ィ匕してしまう。1の終端部の形状を変形することにした。1の実施形態に係るトレンチの構造を示す平面図である。12が形成されている。Aとに亘つて形成されている。13は他の部分よりも幅が広くなつている。13は互い違いに配置している。3等に示す)は外部と電気的に接続される。B線に沿った断面図である。23が下力も順に形成されて、る。21の途中の深さまで到達している。25が埋め込まれている。27によって覆われている。23の上まで覆っている。22が下力も順に形成されている。21の途中の深さまで到達して、る。