Devices」の改訂2版の翻訳書。全ての章が加筆改訂され、既存の章に対してMOSFETのスケール長の理論や高電界輸送モデル、SiGeベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属-シリコンのコンタクト、CMOS回路のノイズマージンおよびRF応用向けの性能指数を含むように基本的なデバイスの物理と回路に関する議論を拡大した。メモリデバイス、SOIデバイスについて新たに二つの章が追加された。