使用したデバイスモデル断面図(デバイス右半分)。デバイス中央部、縦方向のバンド図(平衡状態計算時)。使用したデバイスモデル図。使用したデバイスモデル図(Layer3Dによる表示)。左進行波成分についての共振器方向の光強度分布。デバイスの中心を垂直に共振器方向へ切ったものです。右端面(z=400um)はARコーティング設定です。活性層への光の閉じ込めが、共振器全体でほぼ一様であることが分かります。左進行波成分についての共振器方向の光強度分布。活性層に沿って水平に切ったものです。リッジ幅の変化に伴い、水平方向の光の閉じ込めの様子が変わっています。プロット断面は活性層に沿って水平に切ったものです。リッジ幅が広くなっている個所では、リッジ部境界で複雑な分布になっています。これは、横方向空間ホールバーニングと電流の集中によるものだと考えられます。ARコーティングされています。使用したデバイスモデル図(Layer3Dによる表示)。右進行波成分の光強度分布。共振器方向へ切ったもの。右端面(z=500um)から出力されます。大きさは0.1mWです。活性層における(平衡状態を基準とした)キャリア密度差の変化。自然放出光(ASE)の右進行波成分の光出力。使用したデバイスモデル図。右進行波成分の光強度分布。パッシブ領域で光が減衰していることが分かります。チューニング電流依存性。チューニング電流が小さい時のスペクトル図。チューニング電流が大きい時のスペクトル。