図1の回路を製作する。Voutの値を測定し、式(1)から求まる計算値と実測値を比較する。R1=32.9[Ω]、R2=99.1[Ω]とし、入力電圧はVin=153[mV]とした。なるカットオフ周波数f3dBを求め、式(2)よりGB積を求める。図2の回路の回路を製作する。Voutの値を測定し、式(3)から求まる計算値と実測値を比較する。R1=10.0[Ω]、R2=98.8[Ω]とし、入力電圧はVin=130[mV]とした。著作権法違反となります。この資料を購入すると、テキストデータがみえます。●OP-AMPを用いて、反転/非反転増幅/反転加算回路、コンパレータ回路を製作する。●MOSFETの静特性を測定し、それに基づいてソース接地増幅回路を製作する。Box内部の素子と素子値の同定コメント2件6125princeまさに今調べていた内容がドンピシャです!内容も充実していると思います。(14年4ヶ月前)echigoya行われた実験のみので得られた結果に対する考察がまったくなされていない、内容の薄いレポートでした。(14年2ヶ月前)コメント追加コメントを書込むには会員登録するか、すでに会員の方はログインしてください。該当する情報及び掲載内容の著作権、また、その他の法的責任は販売者にあります。著作権の侵害、名誉毀損などを発見された場合はヘルプ宛にご連絡ください。資料を推薦する優良な資料があれば、ぜひ他のユーザーに推薦してください。資料詳細ページの資料右上にある推薦ボタンをクリックするだけでOKです。変更、タグの追加などを期間指定で確認することができます。ファイル内検索とは?購入を検討している資料の内容をもう少し知りたいときに、キーワードを元に資料の一部内容を確認することができます。