強力なデバイスシミュレーションプログラムです。半導体レーザーの様々な特性をシミュレーションにより計算します。ユーザーは半導体レーザーの諸特性についての定量的な知見を得ることができます。LASTIPは新しいレーザーデバイスを設計・最適化する際のCADツールとして使用することができます。任せてデバイスの最適化と設計に専念することができます。モデリングに使用することができます。他にも多数の機能を持っています。ニュートン法によって自己無撞着的に解かれます。高精度のシミュレーションデータを得るため、LASTIPでは以下のような物理モデルが採用されています。量子井戸におけるサブバンドは正確なキャリア密度と光学利得を計算できるように解かれます。理論で取り扱われます。LASTIPは荷電子バンド混合効果を2次元シミュレーションに取り入れることができます。量子井戸やバルク物質の光学利得は、有効質量やバンドギャップ等の物質パラメータから計算されます。キャリア間散乱機構を含む利得のぼけは、Lorentz型、Landsberg型、Asada型などの精巧なモデルによって計算されます。よる再結合モデルが用いられています。深いレベルのトラップと動力学モデルは半絶縁体的な半導体の正確な設計のために導入されています。モデルが導入されています。境界面での状態は、表面フェルミ準位のピン止め、境界面での再結合、固定された電荷を考慮して精密に計算されます。バルクと量子井戸中のキャリア濃度はフェルミ分布によって正確に計算されます。ドープされた不純物の荷電状態を精密に記述するために、不完全イオン化モデルが用いられています。半導体レーザーの任意の2次元断面において、LASTIPは以下のような基本的な方程式を連続発振又は過渡的条件で解いています。ポアソン方程式はへテロ界面を含む半導体レーザーのポテンシャルと電荷の関係を記述します。電子とホールの流れに関する時間依存の連続方程式はキャリアの再結合関係を支配します。熱電子放出モデルは量子井戸、傾斜又は急峻なヘテロ界面間のキャリア輸送を記述します。複雑な波動方程式により、光学場の縦・横方向の分布が複素屈折率に基づいて計算されます。高度な数値解析技術により多重横モードを計算することもできます。時間依存性の入った光子の確率方程式により、光出力とモード利得、再結合の関係が得られます。有限要素法(FEM)により微分方程式は離散化されます。FEMは任意のレーザー形状を取り扱うのに理想的な手法です。