主な成分とするチャージアップ防止膜形成材料です。:03-3435-1034お問い合わせ製品詳細アルミニウムインジウムガリウムリンLEDチップAlInGaP(アルミニウムインジウムガリウムリン)LEDチップAlInGaPエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のLEDに対応したチップに切断しています。:03-3435-1034お問い合わせ製品詳細アルミニウムガリウム砒素LEDチップAlGaAs(アルミニウムガリウム砒素)LEDチップAlGaAsエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のLEDに対応したチップに切断しています。:03-3435-1034お問い合わせ製品詳細アルミニウムガリウム砒素エピタキシャルウェハーAlGaAs(アルミニウムガリウム砒素)エピタキシャルウェハーGaAs単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法でAlGaAsヘテロ接合エピタキシャル層形成させた発光ダイオード用のウェハー。LEDチップGaPエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のLEDに対応したチップに切断しています。:03-3435-1034お問い合わせ製品詳細ガリウム砒素LEDチップGaAs(ガリウム砒素)LEDチップGaAsエピタキシャルウェハーに電極を形成し、個々のLEDに対応したチップに切断しています。:03-3435-1034お問い合わせ製品詳細ガリウム砒素エピタキシャルウェハーGaAs(ガリウム砒素)エピタキシャルウェハーGaAs単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法でpn説合を形成させた赤外発光ダイオード用のウェハー。よってInGaAs、InGaAsP等の多元素系薄膜を多層形成させたカスタム仕様のエピタキシャルウェハー。