最高のJc(J)とHirr(H)および77Kで最低の表面抵抗Rsを持つ必要がある。Cu-1234は4つのCuO2超伝導層,電気伝導性の高いCuO2+y電荷供給層および性能を高める独特の電子構造を持っている。Cu-1234はオーバードーピング領域で高T>117K,低超伝導異方性,c軸に沿った長いコヒーレンス長および小さな磁場侵入長を持っている。これらの超伝導特性はユニークな組成,格子構造および電子構造から導かれる。その高い超伝導性能はTc,Jc,Hirrの測定およびホール密度の実験データ,NMR,比熱,XPS測定およびバンドの計算で立証されつつある。オーバードーピングされたCu-1234の高Tcは新しく見出された選択的オーバードーピング機構により得られた。Cu1-xTlx-1223の132Kの高TcとCu1-xTlx-1234のTc=126Kは均質適正ドーピング効果により得られた。Cu1-xTlx-1223薄膜ではTc=20MA(77K,0T),Jc=0.4MA(77K,10T),(Hirr)Lc=30Tが得られている。