埋め込みメモリを不揮発性メモリ(eNVM)に限ると、記憶容量と書き換え可能回数によって分類できる。記憶容量では、128バイトから1Kバイトの極小容量品、1Kバイト超から128Kバイトの小容量品、128Kバイト超から1Mバイトの中容量品、2Mバイト以上の大容量品に分かれる。書き換え可能回数では、10回未満、100回未満、1万回未満、20万回未満、50万回未満、100万回以上と大きな違いがある。CMOSロジックとの製造技術の互換性にも注目すべきだろう。望ましいメモリは、追加の製造用マスクがゼロであることだ。そのような埋め込み不揮発性メモリは少ない。大きな記憶容量と多くの書き換え回数を両立させたメモリでは、追加の製造用マスクが10枚以上に達することもある。書き換え回数が少ないのはOTPメモリとヒューズだろう。いずれも原則として1回だけ、データを書き込める。記憶容量ではOTPメモリが小容量品、ヒューズが極小容量品に属する。これらのメモリはCMOSロジックと完全互換のプロセスで製造できる。追加の製造用マスクは必要ない。書き換え可能回数が100回未満のMTPメモリがある。記憶容量では小容量品である。追加の製造マスクは3枚前後で、非常に少ない。プログラムのコードを格納するメモリの代表は、フラッシュメモリだろう。低コスト版の埋め込みフラッシュメモリには電荷捕獲型(SONOSタイプ)とスプリットゲートの浮遊ゲート型(SG-Flashタイプ)がある。SONOSタイプは記憶容量が128Kバイトから1Mバイトの中容量品であり、書き換え可能回数は1000〜1万回となっている。追加する製造マスクは3〜9枚に増える。SG-Flashタイプは記憶容量が1M〜2Mバイトに増え、書き換え可能回数は1万〜2万回と寿命が伸びる。追加する製造マスクは8〜10枚とさらに増える。ハイエンド版の埋め込みフラッシュメモリは、SG-Flashタイプで記憶容量が2Mバイトを超える。書き換え可能回数は10万〜20万回に達する。追加する製造マスクは13枚とかなり多い。MRAMは、これらの埋め込み不揮発性メモリの頂点に立つ可能性がある。記憶容量は4Mバイト以上、書き換え可能回数は100万回を実現可能だ。製造マスクの追加は、わずか4枚で済む。埋め込み用不揮発性メモリ(eNVM)の種類と位置付け。車載用マイコンが内蔵する不揮発性メモリ今回から数回にわたり、2017年12月に開催された「IEDM」で行われた車載用の埋め込み不揮発性メモリに関する講座の模様を紹介していく。反強誘電体とは何か強誘電体の新材料である二酸化ハフニウムは、実は条件次第では「反強誘電体(Antiferroelectrics)」になる。今回から、この反強誘電体を不揮発性メモリに応用する研究について解説していこう。強誘電体メモリが再び注目を集めている、その理由FeRAM(強誘電体不揮発性メモリ)の研究開発の熱気は、2000年代に入ると急速に衰えていった。2011年、その状況が一変し、FeRAMへの関心が再び高まっている。そのきっかけとは何だったのだろうか。今回からは、国際学会で語られたSanDiskの抵抗変化メモリ(ReRAM)の研究開発動向について紹介していく。約60年に及ぶ「不揮発性メモリの歴史」を振り返る。Technologyが解説したメモリシステムについて紹介する。データの読み書きが高速で、書き換え可能回数も多い。今回から始まるシリーズでは、STT-MRAMの基本動作やSTT-MRAが求められている理由を、「IEDM2015」の講演内容に沿って説明していこう。PCIeが今後の主流に今回から始まるシリーズでは、SSDインタフェースの最新動向に焦点を当てて解説する。SSD関連のインタフェースは数多く存在するが、近年、採用が進んでいるのがPCIeだ。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。