銀皮膜基材1〜6のゼーベック係数は1.0(μV/K)、電気伝導度は512(S/cm)であった。)を9.7ミリリットル加え、10分間撹拌した後、純水10ミリリットルを加えて撹拌して、酸化テルル(IV)を溶解させた。)0.55gを添加し、最終的に酸化テルル、硝酸、硝酸ビスマス五水和物の各濃度が、それぞれ、9ミリモル/リットル、1モル/リットル、7.5ミリモル/リットルとなるように純水を加え、150ミリリットルまでメスアップして、電解めっき液2−1を作成した。【0072】10重量%塩酸水溶液で洗浄した銀皮膜基材1について、絶縁マスキングテープを用い、薄膜層の析出範囲を縦2cm、横3cmの長方形状としたマスキング後銀皮膜基材1を作成した。マスキング後銀皮膜基材1を一方の電極とし、他方の電極を白金網電極として、電解めっき液2−1中で、−2.5Vの直流電圧を5分間印加し、電解めっきを行った。【0073】その結果、マスキング後銀皮膜基材1の長方形状の銀皮膜基材上には、膜厚:一様に約7マイクロメートル、ゼーベック係数:119(μV/K)、電気伝導度:13.7(S/cm)のBi2Te3の薄膜層が形成された、本発明の製造方法で製造されたフレキシブル熱電変換部材1を得た。)を9.7ミリリットル加え、10分間撹拌した後、純水10ミリリットルを加えて撹拌して、酸化テルル(IV)を溶解させた。)0.55gを添加し、最終的に酸化テルル、硝酸、硝酸ビスマス五水和物の各濃度が、それぞれ、10ミリモル/リットル、1モル/リットル、7.5ミリモル/リットルとなるように純水を加え、150ミリリットルまでメスアップして、電解めっき液2−2を作成した。【0075】10重量%塩酸水溶液で洗浄した銀皮膜基材2について、絶縁マスキングテープを用い、薄膜層の析出範囲を縦2cm、横3cmの長方形状としたマスキング後銀皮膜基材2を作成した。マスキング後銀皮膜基材2を一方の電極とし、他方の電極を白金網電極として、電解めっき液2−2中で、−2.5Vの直流電圧を5分間印加し、電解めっきを行った。【0076】その結果、マスキング後銀皮膜基材2の片面の銀皮膜基材上に、膜厚:一様に約8マイクロメートル、ゼーベック係数:−69(μV/K)、電気伝導度:0.56(S/cm)のBi1.6Te3.4の薄膜層が形成された、本発明の製造方法で製造されたフレキシブル熱電変換部材2を得た。)を6.0ミリリットル加え、10分間撹拌した後、純水10ミリリットルを加えて撹拌して、酸化テルル(IV)を溶解させた。)を0.013g秤量し、よく攪拌し完全に溶解させた。最終的に酸化テルル、硝酸、硝酸ビスマス五水和物、亜セレン酸の各濃度が、それぞれ、8ミリモル/リットル、1モル/リットル、7.5ミリモル/リットル、1ミリモル/リットルとなるように純水を加え、150ミリリットルまでメスアップして、電解めっき液2−3を作成した。【0078】10重量%塩酸水溶液で洗浄した銀皮膜基材3について、絶縁マスキングテープを用い、薄膜層の析出範囲を縦2cm、横3cmの長方形状としたマスキング後銀皮膜基材3を作成した。マスキング後銀皮膜基材3を一方の電極とし、他方の電極を白金網電極として、電解めっき液2−3中で、−2.5Vの直流電圧を5分間印加し、電解めっきを行った。【0079】その結果、マスキング後銀皮膜基材3の片面の銀皮膜基材上に、膜厚:一様に約7マイクロメートル、ゼーベック係数:−0.33(μV/K)、電気伝導度:74(S/cm)のBi2.0Te2.8Se0.2の薄膜層が形成された、本発明の製造方法で製造されたフレキシブル熱電変換部材3を得た。)を9.7ミリリットル加え、10分間撹拌した後、純水10ミリリットルを加えて撹拌して、酸化テルル(IV)を溶解させた。)を0.019g秤量し、よく攪拌し完全に溶解させた。最終的に酸化テルル、硝酸、硝酸ビスマス五水和物、亜セレン酸の各濃度が、それぞれ、9ミリモル/リットル、1モル/リットル、7.5ミリモル/リットル、1ミリモル/リットルとなるように純水を加え、150ミリリットルまでメスアップして、電解めっき液2−4を作成した。【0081】10重量%塩酸水溶液で洗浄した銀皮膜基材4について、絶縁マスキングテープを用い、薄膜層の析出範囲を縦2cm、横3cmの長方形状としたマスキング後銀皮膜基材4を作成した。マスキング後銀皮膜基材4を一方の電極とし、他方の電極を白金網電極として、電解めっき液2−4中で、−2.5Vの直流電圧を5分間印加し、電解めっきを行った。【0082】その結果、マスキング後銀皮膜基材4の片面の銀皮膜基材上に、膜厚:一様に約6.7マイクロメートル、ゼーベック係数:−25(μV/K)、電気伝導度:138(S/cm)のBi1.2Te3.3Se0.5の薄膜層が形成された、本発明の製造方法で製造されたフレキシブル熱電変換部材4を得た。)を4.9ミリリットル加え、10分間撹拌した後、純水10ミリリットルを加えて撹拌して、酸化テルル(IV)を溶解させた。)0.47gを添加し、溶解させて、ビスマステルル溶液2−5とした。)を4.9ミリリットル加えて攪拌し溶解させた。)を0.42g加えて、溶解させ、アンチモン溶液2−5とした。【0085】ビスマステルル溶液2−5とアンチモン溶液2−5を混ぜ合わせ、全量が150ミリリットルとなるよう超純水を加え、電解めっき液2−5を作成した。【0086】10重量%塩酸水溶液で洗浄した銀皮膜基材5について、絶縁マスキングテープを用い、薄膜層の析出範囲を縦2cm、横3cmの長方形状としたマスキング後銀皮膜基材5を作成した。マスキング後銀皮膜基材5を一方の電極とし、他方の電極を白金網電極として、電解めっき液2−5中で、−2.5Vの直流電圧を5分間印加し、電解めっきを行った。【0087】その結果、マスキング後銀皮膜基材5の片面の銀皮膜基材上に、膜厚:一様に約12マイクロメートル、ゼーベック係数:−25(μV/K)、電気伝導度:13.8(S/cm)のBi1.6Sb0.6Te2.8の薄膜層が形成された、本発明の製造方法で製造されたフレキシブル熱電変換部材5を得た。)を4.9ミリリットル加え、10分間撹拌した後、純水10ミリリットルを加えて撹拌して、酸化テルル(IV)を溶解させた。)0.47gを添加し、溶解させて、ビスマステルル溶液2−6とした。)を4.9ミリリットル加えて攪拌し溶解させた。)を0.42g加えて、溶解させ、アンチモン溶液2−6とした。【0090】ビスマステルル溶液2−6とアンチモン溶液2−6を混ぜ合わせ、全量が150ミリリットルとなるよう超純水を加え、電解めっき液2−6を作成した。【0091】10重量%塩酸水溶液で洗浄した銀皮膜基材6について、絶縁マスキングテープを用い、薄膜層の析出範囲を縦2cm、横3cmの長方形状としたマスキング後銀皮膜基材6を作成した。マスキング後銀皮膜基材6を一方の電極とし、他方の電極を白金網電極として、電解めっき液2−6中で、−2.5Vの直流電圧を5分間印加し、電解めっきを行った。【0092】その結果、マスキング後銀皮膜基材6の片面の銀皮膜基材上に、膜厚:一様に約14マイクロメートルのBi1.5Sb0.5Te3.1の薄膜層が形成された、本発明の製造方法で製造されたフレキシブル熱電変換部材6を得た。Reserved.0。