以下、東京エレクトロン)と共同で反応性イオンエッチングプロセスの開発によるスピン・トランスファー・トルク型磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)の高性能化と歩留まり率(※1)の向上の両立に世界で初めて成功致しました。本技術は、大容量STT-MRAMの製造に適した反応性イオンエッチングを開発し、300mmウェハ対応のインテグレーションプロセス技術を構築することで高性能と高歩留まりを実現したものであり、大容量STT-MRAMの実現への道を大きく前進させるものです。いたる、集積エレクトロニクス分野における上流から下流までの一貫した開発体制によるものです。Workshop)」で発表致します。作製したデバイスの全数に対して、良好な特性を示すデバイス数の割合。高いほど良好な特性を示すデバイス数が大きくなるために、製造コストの削減や集積回路の高性能化が可能となる。(アイ・トリプル・イー)。米国に本拠を置く世界最大の電気・電子技術に関する学会組織。オープンキャンパス東北大学で学びたい方へ社会人・地域の方へ企業の方へ同窓生の方へ在学生の方へ教職員向け過去の新着情報(アーカイブ)本文へサイトナビゲーションへこのページの先頭へお問い合わせ休業日サイトマップサイトポリシープライバシーポリシーソーシャルメディアポリシ。