序章氏と協力し、全方位フォトルミネセンス(ODPL)法*1を用いて、窒化ガリウム結晶における微量な炭素不純物の検出に成功しました。持続可能な社会を実現するためには、限りあるエネルギー資源の高効率な利活用技術の開発が必要です。鉄道や電気自動車のような電力を強い動力に変換して利用する応用では、高耐圧かつ低損失にて電流の整流や電圧変換を行うダイオードやトランジスタといった電子デバイスが重要です。照明や通信、太陽光発電などの分野においては、電気エネルギーと光エネルギーとを相互に変換する発光ダイオード(LED)や半導体レーザ*2、太陽電池といった光デバイスの高効率化が不可欠です。これら半導体デバイスは、用途に応じて様々な材料を用いて製造されますが、なかでも窒化ガリウム(GaN)は、高性能な電子デバイスや光デバイスに適する材料の一つとして注目され、国内外におけるGaNデバイスの開発競争が激化しています。GaNに基づく高耐圧トランジスタや高出力LEDの性能を支配する要因の一つに、炭素不純物が挙げられます。炭素は微量でもデバイスの性能を低下させるため、これを高感度に検出する必要があります。半導体における不純物計測技術は、一般的に破壊検査、もしくは試料に対して電極を形成する必要があるなどの制限がありました。この結果を用いて、サイオクス社が開発した2.2億分の1以下の濃度でしか炭素を含まない超高純度なGaN結晶であっても、炭素濃度を定量的かつ非破壊に測定可能である事を実証しました。結晶科学」の助成を受けています。Express誌にて12月4日にオンライン公開されました。図にて示すような、積分球を使った分光法の一つ。基礎吸収端エネルギー以上の光の放出方向が決まっていることを利用し、結晶の発光効率を再現性良く測定できる。半導体レーザ光通信やCD・DVDなどの光メディアの情報読み込み・書き込みなどに利用される、指向性の高いレーザ光を放出する半導体光デバイスのこと。対象となる発光材料に(本研究では励起レーザによって)入力したエネルギーのうち、発光に利用される割合のこと。オープンキャンパス東北大学で学びたい方へ社会人・地域の方へ企業の方へ同窓生の方へ在学生の方へ教職員向け過去の新着情報(アーカイブ)本文へサイトナビゲーションへこのページの先頭へお問い合わせ休業日サイトマップサイトポリシープライバシーポリシーソーシャルメディアポリシ。