ガス・液体制御機器(マスフローコントローラー)をはじめ、次世代ハイテク材料の制御機器の開発などを行う研究専用施設として運用を開始します。一部を移設する事務・実験棟(鉄筋2階建て)を開設します。設備含む総投資額は10億円。)の支援を受け、補助金約7,900万円の対象に認定されています。最先端の半導体プロセスでは、半導体チップの高性能化、小型化と共に生産効率の向上を目指した研究が行われています。主な研究のひとつに、シリコンウエハ上に積層する薄膜特性の改良を目的に、ハイテク材料を用いた研究が行われています。土地を取得し、『堀場エステック京都福知山テクノロジーセンター』を建設していました。国家標準と国際標準とのトレーサビリティーの確立を行います。流量校正に使用する実用標準器の自社開発を行います。認定取得をめざします。最新ニュースのご購読(RSSフィード)はこちらから。アクセシビリティサイトマップ。