Japanese)10nm以下のデバイスを創製するため,単一壁面のカーボンナノチューブ(CN)AFMカンチレバーを開発した。図1はその概略の構造を示し,単一壁面CNはシリコンチップ上に直接成長する。このカンチレバーの作成工程はFeイオンを含む化学触媒が通常のSiカンチレバーチップへの注入法で被覆された後,試料はCVD炉に固定される。炭化水素ガスが高温で流され,単一壁面CNが触媒を使用して成長し始めるシリコンチップの頂上へ流れ,最後にシリコンチップに突き出す。CNは通常のSiカンチレバーより,10倍以上小さく,AFMナノ酸化加工の使用を図2に示す。CNAFMチップのサイズが小さいため,TiOXのサイズは図3に示すように6nmと小さく,通常のSiAFMチップを用いた場合より3~4倍ちいさい。新しく開発した作成方法を用いて6nm幅のトンネル接合に成功し,SET特性の改良に成功した。