(1/2)今回は、開発各社の埋め込みフラッシュメモリ技術を前後編にわたって紹介する。eFlash)技術を取り上げる。Applications」の概要をご紹介している。Maurelli氏である。講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるので、本シリーズでは読者の理解を助けるために、講演の内容を適宜、補足している。前回は、車載用の埋め込みフラッシュメモリ技術を開発企業別に簡単にご紹介した。今回からは、開発企業各社の埋め込みフラッシュメモリ技術を説明していく。最初は講演者の所属企業である、STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術をご報告しよう。eFlash)技術である。eFlash技術は、MOSFETのゲートを浮遊ゲート(フローティングゲート)と制御ゲート(コントロールゲート)の積層構造にしたトランジスタで、単体メモリのNORフラッシュメモリと類似の技術である。メモリセル面積が小さいので高密度の大容量化に適している、信頼性が高いといった特長がある。一方で書き込みの消費電流が高い、メモリアクセスのページサイズが大きい、書き込みに10Vと高い電源電圧を必要とする、といった弱点を抱える。eFlash」の概要。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。