本講演はお申し込み不要でございます。参加を希望される方は、当日会場へお越しください。概要:集積回路をコンピュータ上で設計する回路シミュレーションでは、そのシミュレーション結果が実物にほぼ一致する高い精度が必要とされます。その精度はシミュレーションに使われる半導体デバイスモデルに依存します。本講義では、回路シミュレーションに使われる代表的な半導体デバイスのモデルの基礎を説明します。前半ではシミュレーション、SPICEモデルといった基礎から始め、ダイオード、バイポーラトランジスタといった各半導体デバイスの特性とモデルについて解説します。後半では続いてMOSトランジスタ、抵抗、容量の各デバイスとモデル、次に雑音の1/fノイズ、そして製造工程のばらつきを考慮したコーナーモデル、統計モデルについての概要を説明します。本講義の対象は大学院生と同等以上と考えています。