研究グループは、層状半導体GaSe(ガリウムセレン)が従来のGaAs(ガリウムヒ素)に比べて10倍を超えるスピン軌道相互作用を示すことを発見した。研究グループは2017年11月、層状半導体GaSe(ガリウムセレン)が従来のGaAs(ガリウムヒ素)に比べて10倍を超えるスピン軌道相互作用を示すことを発見したと発表した。GaSeなどのIII-VI族層状物質半導体は、移動度が比較的高いことから、原子層トランジスタの実現に向けた研究が行われている。特性を生かして、薄膜フォトディテクターや非線形光学効果を用いた温室テラヘルツ波発生源としての研究も進められている。圧力印加によるトポロジカル絶縁体転移や電界制御による強磁性転移なども論理的に予言されている。小山裕教授を中心とする研究グループから提供されたGaSeを用いて、スピン軌道相互作用を検証した。GaSeの膜厚が10nmのトランジスタを用い、低温(2K)における磁気量子伝導度を測定した。弱反局在理論との比較により、スピン軌道相互作用を評価したところ、GaSeはGaAsに比べて10倍を超える強さのスピン軌道相互作用が得られることが分かった。バックゲート電圧依存性から、ラッシュバ型のスピン軌道相互作用であることを確認した。出典:東北大学なお、原子層GaSeは、ゲート電圧によって磁性体に転移することが理論的に予言されている。このため、強磁性体電極を用いることなくGaSeだけで電界効果スピントランジスタを構成することが可能だという。カナガセカラン助手らは、従来の性能を超える有機半導体デバイス用電極を開発した。電極材料によらず、電子/正孔両方の注入が低抵抗で行えるという。研究グループは、光透過率が90%を超える透明な二次元シート材料を用いた太陽電池を開発した。東北大学の蟹江澄志准教授らは、硫化カドニウム(CdS)量子ドットとデンドロンからなる「有機無機ハイブリッドデンドリマー」を開発した。このデンドロン修飾CdS量子ドットは、非対称性の高い液晶性立方晶構造を形成している。量子ドットの発光強度を自在に制御できることも分かった。東北大学の高橋まさえ准教授は、ジグザグ構造のケイ素2次元シート「シリセン」をフラットにできる構成単位の構築に成功した。水口将輝准教授らは、鉄と窒素からなる磁性材料が、熱を加える方向によって熱電変換効率が変化することを発見した。加藤俊顕准教授らによる研究グループは、カーボンナノチューブ(CNT)の原子構造を制御する新たな合成手法を開発した。従来手法では合成できなかった(6,4)ナノチューブの選択合成にも初めて成功した。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。