マテリアルズ製装置の中で、最も汎用性のあるCenturaシステムは、ALD、CVD、エピタキシー、エッチング、フォトマスク製造、PVD、プラズマドーピング、プラズマ窒化、RTP、さらにはHigh-kトランジスターゲートスタック製造といった、複数のステップが統合されたプロセスまで、比類のない幅広いアプリケーション向けに、全世界で8000台以上出荷しています。Ownership)を低減し、可能な限り「クリーンモード」での稼動を実現してスループットを向上させます。製造工程で実証されているとおり、初期ウェーハ効果を取り除くことで、ウェーハ間の繰り返し精度を確保します。マテリアルズのAvatarシステムはステップ間の温度調整と制御を組み合わせ、エッチングシーケンスの各部で正しい温度設定ポイントと安定性を確保します。HD窒化プロセスでは、パルスプラズマを使用して低エネルギーの窒素をシリコン酸化膜中に注入します。デバイス要求に合わせて高窒素濃度SiONをPolyの下に、低窒素濃度SiONをゲートスタックのシリコン上に形成し、高いチャネル移動度を維持します。目標を満たさねばならず、各ノードにおいて、絶縁膜スタックの厚さを、さらに薄くする必要があります。EpiCMOS技術では、PMOSとNMOSの2種類のトランジスタが必要です。PMOSでは圧縮性の歪みをチャネルに与える(格子を押し縮める)ことが最も効果的で、これにより水平方向の原子間隔が減少して原子間の結合力が強くなり、ホールの移動度が増大します。最大化を促進する中で、装置メーカーは3次元(3D)スキームを使用してチップの組み込みを行っています。EtchEUVフォトマスクは、193nm波長の光を選択的に透過して回路パターンを投影する従来のフォトマスクとは基本的に異なる。Zは、10nm世代以降のロジック/メモリデバイス向けの光学リソグラフィーフォトマスクに要求される優れた性能を提供します。(高密度プラズマ化学気相成長)は、数世代にわたって実用性が証明された、業界をリードするCVD装置です。SSWタングステンは、その低い抵抗率と最低限の電気移動により、トランジスタと残りの集積回路をつなくコンタクトフィルや中央配線(最低レベル)の材料として、ロジックやメモリデバイスに長年、採用されてきました。CVDタングステンバルクフィルプロセスを組み合わせ、CMP互換のタングステンプラグを提供します。Epi装置は、世界中で約900台の200mmチャンバで採用されている、製造現場で実績のある枚葉式マルチチャンバ・エピタキシャル・シリコン成膜装置です。Reserved.[+]。