Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。スマートファクトリーソリューションズ(PAFS)は2019年3月13日、今後成長が期待されるIoT向けセンサー・MEMS・RFID・CMOSイメージセンサおよび薄型メモリ向けに開発されたプラズマダイシング工法において、両社で連携を図り、その前工程に当たるレジスト塗布工程で新しいソリューションの提供を2019年3月13日より開始することを発表した。・プラズマダイシング工法は、センサ・MEMS・RFIDなど小チップにおいて、ウェーハ全面の一括高速加工を可能とし、CMOSイメージセンサでは切削粉が出ないことによる高歩留まり、メモリーではウエハー薄化に対してもダメージフリーで高品質を実現するといった特長がある。・プラズマダイシング工法の前工程においては、ウェーハ表面にマスクとなるレジストを数十μmの厚膜で塗布し、ダイシング部をレーザやフォトリソでパターニングする。この工程では、多層の配線構造を持つウエハー表面に5μm程度の段差があり、さらに電極部にはバンプを持つウエハーが多いため、プラズマダイシング用レジストを均一な厚膜で塗布できないといった課題があった。・この課題を解決するため、EVGは塗布装置EVG100シリーズにおいて、独自のOmniSprayR技術によりプラズマダイシング向けにウエハー表面の段差構造に依存しない均一な塗布方法を開発し、従来の技術では困難であったバンプ付きウエハーに均一な厚膜でレジストを塗布することが可能となった。・さらにPSFSは、大阪府門真市にあるプラズマダイシング実証センターにEVG100シリーズを導入し、レジストをバンプ付きウェーハ表面に塗布・パターニングした後、PSFS製プラズマダイサーAPX300ダイサーモジュールで高速・高品質にダイシングするソリューションを開発した。・EVGとPSFSは、プラズマダイシング実証センターにおける実証を通して、この新しいレジスト塗布ソリューションの提供を開始する。