配線トランジスタを他の回路部品や外部と接続する配線技術は、マイクロチップの速度と信頼性に大きく影響します。10層もの配線構造があるため、この複雑な構造はチップ作製工程の中でも特に工数とコストのかかる部分となっています。PVD集積回路と他のコンポーネントのスケールダウンが進むに連れ、メタル配線とコンポーネント間のコンタクトも縮小しています。結果として、これらのコネクタにおける抵抗が増大しています。Centrisプラットフォームは、最大6基のエッチングチャンバと2基のプラズマ洗浄チャンバ、計8基のプロセスチャンバを搭載することができます。高速移送ロボットは競合の約2倍に相当する毎時180枚のウェーハ処理を可能にします。シリコンエッチチャンバの包括的な再設計が促進されました。Ownership)を低減し、可能な限り「クリーンモード」での稼動を実現してスループットを向上させます。製造工程で実証されているとおり、初期ウェーハ効果を取り除くことで、ウェーハ間の繰り返し精度を確保します。SSWタングステンは、その低い抵抗率と最低限の電気移動により、トランジスタと残りの集積回路をつなくコンタクトフィルや中央配線(最低レベル)の材料として、ロジックやメモリデバイスに長年、採用されてきました。CVDタングステンバルクフィルプロセスを組み合わせ、CMP互換のタングステンプラグを提供します。PVD今日まで、イオン化物理気相成長(PVD)は電気めっきのための全ての成膜表面上に、要求された厚みと再現性のあるカバレージを達成してきました。TiNは、次世代のデバイスが直面するハードマスクの拡張性における課題を解決します。マイグレーション性能を提供します。TTN業界をリードするEnduraプラットフォームに統合された、同システムの成膜プロセスは、微細化に向けたCuバリア層およびCu-AlまたはCu-W拡散バリア層への要求に応えます。PVD集積回路と他のコンポーネントのスケールダウンが進むに連れ、メタル配線とコンポーネント間のコンタクトも縮小しています。結果として、これらのコネクタにおける抵抗が増大しています。Wタングステンは、その低抵抗率とコンフォーマルなバルクフィル特性により、ロジックのコンタクト、MOL、メタルゲートフィルのアプリケーションで広く用いられています。コンタクトとローカル配線は、トランジスタと回路のその他の部品間の重要な電気通路を形成します。技術の用途を提供します。PVD/CVDを使用した技術ベースを32nm以降へと拡張します。RCスケーリングをさらに進めることができます。IIナノ多孔質Low-k膜は、k値約2.5の45/32nm銅/Low-k配線での業界標準です。ナノ多孔質Low-k膜は2段階で形成されます。Cureナノ多孔質Low-k膜は2段階で形成されます。OnyxTM集積回路では、導電性銅配線は絶縁(非導電性)材料で絶縁されています。半導体デバイスの小型化が進むに連れ、デバイス速度の向上は絶縁材料の誘電率(k)に著しく影響されるため、誘電率も共に低下させる必要があります。装置は、150mm-300mm向けの枚葉式、自動、マルチチャンバ、電気化学成長システムで、小さな占有面積で高いスループットを提供します。ECDは、メモリおよびロジックデバイスの銅配線ギャップフィル向けのシステムで、ダイナミック電流制御テクノロジー、マイクロ秒のレシピ制御、業界で最も幅広いプロセス薬液(低〜高バス電導性)の使用が可能です。Mは自動化された高性能枚葉式ウェーハECDシステムです。同システムは、個々のプロセスチャンバを備えた精密な全自動ウェーハハンドリングシステムを搭載し、自動薬液管理システムとの互換性も有しています。M-Quattroは、高性能枚葉式ECDシステムで、完全自動精度ウェーハハンドリングとマルチプロセスチャンバを備えています。CMP統合されたCMP後のDesica®クリーナーは、独自の完全浸漬Marangoni®蒸気乾燥技術を使用して、ウォーターマークの欠陥を実質的に排除し、粒子汚染を大幅に低減します。CMP先進のプロセス制御を備えた6つの研磨ステーションと8つの統合クリーニングステーションを装備し、同システムはこれらの3Dアプリケーションで求められる高精度なプロセスを、比類のない均一性と高いスループットにて提供します。Reserved.[+]。