【0109】また、請求項2に係る発明の超微粒子あるいは超細線の形成方法における上記段差は1nm以上であるので、上記超微粒子あるいは超細線は上記段差の上縁に沿って確実に形成できる。おける段差の形成位置を容易に制御でき、超微粒子あるいは超細線の成長位置を容易に所望の位置に設定できる。おける段差の形成位置を容易に制御でき、超微粒子あるいは超細線の成長位置を容易に所望の位置に設定できる。おける段差の形成位置を容易に制御でき、超微粒子あるいは超細線の成長位置を容易に所望の位置に設定できる。おける段差の形成位置を容易に制御でき、超微粒子あるいは超細線の成長位置を容易に所望の位置に設定できる。基板を反応室内に導入し、この反応室内を一旦10-6Torr以下の高真空に排気した後に原料ガスを流し込み、10-2Torr以下の上記原料ガス分圧下で上記超微粒子あるいは超細線を上記段差の上縁のみに気相成長させるので、特殊な微細加工技術に因らずに一般的な高真空CVD技術によって、上記段差の上縁に沿って上記超微粒子あるいは超細線を選択的に形成できる。等を制御することによって、所望の大きさや太さや密度の上記超微粒子あるいは超細線を均一に且つ再現性よく形成できる。よって上記超微粒子あるいは超細線を形成できるので、低コスト,高歩留まり,高生産性を実現できる。線の何れかを選択的に形成できる。導体)の超微粒子あるいは超細線を容易に形成できる。加工技術に因らずに、一般的な成膜技術と、一般的なホトリソグラフィ技術やドライエッチ技術や選択酸化技術と、一般的な高真空CVD技術等によって、所望の大きさや太さや密度を有するGe(半導体)の超微粒子あるいは超細線を容易に形成できる。空CVD技術等によって、所望の大きさや太さや密度を有するSiGeの超微粒子あるいは超細線を容易に形成できる。遊ゲートの蓄積電荷を少なくできる。したがって、この半導体素子を、上記浮遊ゲートへの少ない注入電荷量で動作させることができる。この発明によれば、消費電力が少ない超高密度で大容量の不揮発性メモリを、低コスト,高歩留まり,高生産性で実現できる。細線の形成方法によって形成された半導体の超細線を用いるので、上記チャネル領域は上記超細線の延在方向に直交する方向に量子化されて1次元伝導を示す。したがって、この発明によれば、高速で動作するMOSFETを、低コスト,高歩留まり,高生産性で実現できる。遷移型のバンド構造を有している。微粒子に電子を注入すると、上記超微粒子に電子の遷移が生じて発光する。本半導体素子は、発光素子として機能するのである。本半導体素子を含む光電変換素子のLSI基板上への搭載が可能になる。したがって、この発明によれば、電子回路と光通信回路との融合を可能にする。【図1】この発明の超微粒子および超細線の形成方法の一手順を示す図である。