【0084】すなわち、先ず、図4(a)に示すように、Si基板61上に熱酸化によって10nmの膜厚でSiO2膜62を形成した後、図4(b)に示すように、一般的なホトリソグラフィ技術によってホトマスク63を形成する。化膜)62に段差64を形成した後、図4(c)に示すように、ホトマスク63を除去して、段差64が形成された基板を得る。成する変わりに、CVD法によってSiO2膜あるいはSi3N4膜等の絶縁膜あるいはSiO2とSi3N4とを積層した絶縁膜を形成しても差し支えない。子細線の形成方法における図1(d)以降と同様の処理を行って量子ドットを形成する。下で結晶粒形成用の原料ガスを流して結晶粒を段差64に沿って形成するのである。法によって、つまり、半導体表面に絶縁膜を形成した後に上記絶縁膜をパターニングして半導体表面を露出させ、酸化するか或いは全面に絶縁膜を堆積させて段差を形成する方法に関する。【0087】すなわち、先ず、図5(a)に示すように、Si基板71上に熱酸化によって10nmの膜厚でSiO2膜72を形成した後、図5(b)に示すように、一般的なホトリソグラフィ技術によってホトマスク73を形成した後、ドライエッチ技術によってSiO2膜(熱酸化膜)72をパターニングしてSi基板71を露出させる。図5(c)に示すように、露出したSi基板71の箇所に4nmの膜厚で酸化膜74を形成する。その後、ホトマスク73を除去して、10nmの膜厚のSiO2膜72と4nmの膜厚の酸化膜74との境界で段差75を形成するのである。成する変わりに、CVD法によってSiO2膜あるいはSi3N4膜等の絶縁膜あるいはSiO2とSi3N4とを積層した絶縁膜を形成しても差し支えない。部がSiO2膜72で覆われたSi基板71の上面全体に絶縁膜を積層しても差し支えない。子細線の形成方法における図1(d)以降と同様の処理を行って量子ドットを形成する。下で結晶粒形成用の原料ガスを流して結晶粒を段差75に沿って形成する。【0090】尚、上記各実施の形態においては、基板としてSiを用いているが、Si以外の半導体基板やサファイヤ,石英あるいはガラス等の絶縁基板を用いても何らこの発明の本質を変えるものではない。【0092】図6は、本実施の形態における不揮発性メモリの平面図である。図7は図6におけるA−A矢視断面図である。