Atallaが初めて動作に成功した当時のMOSFETは、特性が不安定で実用性に乏しかった。不安定動作は主に、酸化膜及び酸化膜・シリコン結晶界面に存在する各種電荷に起因していた。state)並びにナトリウム、カリウム、水素などの可動イオンである。このうち可動イオンは、電界によって酸化膜中を移動するため不安定動作の大きな要因になっていた。Cooling)処理と名づけて特許出願した。Treatment)と名づけて発表し、これの名前が一般化した。結晶面方位依存性が測定でき、それまで主に使われていた(111)面よりも(100)面の方がMOSFETに適していることを実証し、特許出願した。有名な(100)面特許である。特許明細書に掲載されたMOSFETの特性比較(2)結晶面の異なるSi基板にMOSFETを作製し比較している。7μm表面ドナー(ND)(固定電荷と界面準位)が(100)面が最も少ない。したがって、表面反転電圧(VGO)も低い。電子移動度(μd)にも界面依存が見られ、(100)面の優位性を示している。