20和接触器30所构成。接触器的弯折形,Z字形或弯曲部分。320导电材料电接触。所述的基部从图5-7中接触基片20的上表面突出。这将参考图19来描述。这将参考图19来描述。其中,图10A是其正视图,图10B是其侧视图。它将插入图5-7的接触基片中。在图10的接触器中,例如尺寸为:a=1050.00μm,b=330.00μm,c=200.00μm,d=50.00μm,e=150.00μm,f=20.00μm,g=50.00μm,和h=20.00μm。其中,图11A是其正视图,图11B是其侧视图。它将插入图5-7的接触基片中。pressing.在图11B的侧视图中,基部的厚度最大,以增加顶部面积,并接触外部元件,例如图18-20所示的探针卡。在图11的接触器中,例如尺寸为:a=1000.00μm,b=1,330.00μm,c=200.00μm,d=50.00μm,f=20.00μm,g=80.00μm,h=20.00μm,i=50.00μm。其中,图12A是其正视图,图12B是其侧视图。它将插入图5-7的接触基片20中。在图12的接触器中,例如尺寸为:a=1050.00μm,b=330.00μm,c=200.00μm,d=50.00μm,e=150.00μm,f=10.00μm,g=50.00μm,和h=10.00μm。其中,图13A是其正视图,图13B是其侧视图。它将插入图5-7的接触基片20中。在图13的接触器中,例如尺寸为:a=1050.00μm,b=500.00μm,c=200.00μm,d=50.00μm,e=150.00μm,f=20.00μm,g=50.00μm,和h=20.00μm。牺牲层42,比如由二氧化硅(SiO2)通过沉积工艺,比如化学气相沉积(CVD)而制成。42上,如图14B所示。(Cr)和钛(Ti),其厚度比如大约是200-1,000埃。粘附促进层44是有利于图14C的导电层46粘附在硅基片40上。1,000-5,000埃的铜(Cu)或镍(Ni)形成的。48,在该导电层46的上面,一个光掩模50精确地被对准,以在紫外(UV)光下曝光,如图14D所示。