(电镀)在光致抗蚀剂层48的图形“A”上,以形成接触器30,如图14G所示。在图14G中的接触器30的多镀部分在图14H的磨削(平面化)工艺中被去除。在图14J中,牺牲层42被蚀刻掉,这样接触器30与硅基片40分离。以致于粘附促进层44和导电层46从接触器30上被去除,如图14K所示。44和46,而不会蚀刻接触器30。如图14L的透视图所示。其中,包含了粘合剂带90。后,还是在图15A的工艺中,粘合剂带(中间板)90被放置在接触器30的上表面上,这样,接触器30粘附到粘合剂带90上。30的元件,比如磁铁板或带,带电板或带等。charge.在图15B所示的工艺中,牺牲层42被蚀刻掉,这样在粘合剂带90上的接触器30与硅基片40分离。这样粘附促进层44和导电层46就从接触器30上去除,如图15C所示。如图15D的顶视图所示。种子层342由比如铜(Cu)或(Ni)制成,厚度比如大约是1,000-5,000埃。342上,如图16B所示。导电基片346形成在铬-铬镍铁合金层344上。导电基片346由比如镍-钴(NiCo)制成,厚度大约是100-130μm。在钝化导电基片346之后,厚度大约是100-120μm的光致抗蚀剂层348形成在图16D中的导电基片346上,并且一个光掩模350被精确地对准,这样,用紫外(UV)光使光致抗蚀剂层348曝光,如图16E所示。30(比如图7的接触器303)的图形(形状)。348上,形成电镀图形,其厚度大约是50-60μm。-钴制成的导电基片346上。在图16I中,导电基片346从基片340上的铬-铬镍铁合金层344上剥去。具有接触器30的导电基片346的顶部表示在图16J中。16J.图16K表示一种工艺,在该工艺中,一种粘合剂带(中间板)90被放置在接触器30的上表面上。30和导电基片346之间的粘合强度。90上,如图16L所示。图16M表示粘合剂带90的顶视图,其上具有接触器30,而图16N是一个粘合剂带90的截面视图,其上具有接触器30。这些包含粘合剂带,描述可参考图15A-15D和图16A-16N。78,其中,具有比如一个CCD图形传感器。该转移机构84包括一个吸入臂85,它完成接触器30的吸入(拾起)操作和吸入释放(放置)操作。80的各自台面81和82上。在拾起接触器30之后,该吸入臂85,比如旋转90度,如图17B所示。后,该转移机构80将接触器30放置在基片20的粘接位置32(或通孔)上。