み層の極小化事例をご紹介。SiCパワー半導体等の薄化・裏面研削SiC・セラミックス部材等のラップ加工SiC等の難削材の割断・切断加工アズスライスから鏡面状態へ。SiCウェハ製造を変える研削加工。SiCウェハの平坦化(平面研削)とは、ウェハ製造(ウェハメイキング)工程でウェハの片面もしくは両面の平面創成を行うこと。CMPを経て最終仕上げされています。この方法は加工時間・コストともに多くかかります。そこでナガセでは固定砥粒のみでSiCウェハの平面創成と加工歪み層の極小化(鏡面加工)までを一気に実現する研削加工法を開発しています。加工機:NSF-600お問合せ先ご相談は無料です。ご検討中の加工に関する精度、サイズ、素材などについてお聞かせください。関しても、弊社テクニカルセンターのベテランエンジニアが最適な方法などを検討して、迅速にご回答させて頂きます。FAX:0575-46-2325。