保護機能をもつ電池パックにおいて、PTCサーミスタの抵抗値変動を小さくすることで、より性能の高い電池パックを提供することを目的とする。工や電気溶接によって角形素電池41の負極端子43やプリント基板44と接続して回路を構成する必要がなく、曲げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ストレスなどに起因する抵抗値変動をなくすことができる。【発明の属する技術分野】本発明は、過電流または加熱から電池パックを保護するための保護機能をもつ電池パックおよびその製造方法に関するものである。公報に開示されたものが知られている。【0004】図10(a)は従来の電池パックの要部であるケースの一部を切欠いた上面における断面図、図10(b)は従来の電池パックの要部であるケースの一部を切欠いた正面における断面図である。【0005】図10(a)、図10(b)において、1は第1の素電池である。起状の正極端子である。3は素電池1の正極端子2側と反対の面に設けた負極端子である。4は第2の素電池である。5は第2の素電池4に設けた突起状の正極端子である。6は素電池4の正極端子5側と反対の面に設けた負極端子である。7はリード付きPTCサーミスタである。9は素電池1、4およびPTCサーミスタ7全体を収納するケースである。10と11は、ケース9に設けた貫通孔であり、負極端子3と正極端子5から電気的な接点を取り出すための端子口である。【0006】次に、電池パック12に使用するPTCサーミスタについて図面を参照しながら説明する。【0008】図11(a)、図11(b)において、15はリード付きPTCサーミスタである。16はポリマPTC層である。気的に接続した電極層である。18は電極層17のポリマPTC層16と接続した面の反対面に取り付けたリード端子である。【0009】以上のように構成されたリード付きPTCサーミスタと、従来の電池パックについて、以下にその動作を説明する。【0010】まず、リード付きPTCサーミスタの動作について説明する。膨張(または収縮)に伴う導電粒子間のギャップ変化によってポリマ材料の融点より数度低い温度付近で抵抗値が急激に上昇(または低下)する特性をもつ。路保護部品として利用できる。抵抗値の復帰に関しては、ヒステリシスによって元の抵抗値よりも高い値(元の抵抗値の1.5程度)となるが、実用上大きな支障とはならない。回路の内部抵抗として無視できない場合は、ポリマの融点より30°Cから60°C程度低い温度環境に放置するか、その温度と常温の間を温度が緩やかに変動する環境に放置することで、元の抵抗値にもどすことができる。このような抵抗値を元にもどす方法をアニールと呼び、以降は、このような熱処理によって抵抗値のプラス変動が低減される現象をアニール効果と称する。的性質とは、アニールによって抵抗値が元にもどる性質も含むものと定義する。続された回路構成となっている。この電池パック12は、電子機器の電源端子に端子口10と端子口11を通して負極端子3と正極端子5に電気的に接続し回路動作させる電池ユニットである。触または付着した時などは、過電流によって電池パック内の素電池1および素電池4が発熱し内圧の上昇によって素電池自身が破損する可能性がある。間を考慮した選択が必要であり、電池パック容量の消耗が少なくなるように抵抗値のできるだけ低いものが要求される。一般的には、抵抗値が40mΩ以下できれば20mΩ以下が望まれている。回路を内蔵した電池パックの必要性が特に高まっている。以下に従来の保護回路付きの電池パックおよびその製造方法について図面を参照しながら説明する。【0017】図12は、従来の保護回路付き電池パックの斜視図である。【0018】図12において、25は角形素電池である。26は角形素電池25の正極端子であり、外周金属ケースを兼ねているものである。27は角形素電池25の負極端子であり、角形素電池25の1面にのみ設けられたものである。28は保護回路を構成するためのベースとなるプリント基板である。29はプリント基板28の第1の実装面上に実装した保護用ICである。30はプリント基板28の第1の実装面上に実装したFETユニットであり、基本的には2個のFETで構成されている。31と32はプリント基板28の保護用IC29の実装面と反対面の第2の実装面上に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子と取り出し用負極端子である。33は本体の一部が角形素電池25の2面に近接するように配置したリード付きPTCサーミスタである。34は負極端子27と溶接によって接合されたリード付きPTCサーミスタ33の一方のリード端子である。35はプリント基板28と接続されたリード付きPTCサーミスタ33の他方のリード端子である。板28を介して電池パックの取り出し用正極端子31と外周金属ケースを兼ねた正極端子26を電気的に接続する接続リードである。【0019】以上のように構成された従来の保護回路付き電池パックについて、以下にその製造方法を説明する。【0020】まず、プリント基板28の第2の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。【0021】次に、印刷形成したクリームはんだの上に取り出し用正極端子31と取り出し用負極端子32を取り付け、はんだ付けする。【0022】次に、プリント基板28の第1の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。【0023】次に、印刷形成したクリームはんだの上に保護用IC29とFETユニット30を取り付ける。【0024】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリント基板28と、保護用IC29やFETユニット30をはんだ付けする。気溶接によって接続し、正極端子26に接続リード36を電気溶接によって接続する。【0026】次に、はんだ付け後のプリント基板28と角形素電池25に取り付けられたリード付きPTCサーミスタ33のリード端子35をはんだ接続する。【0027】最後に、プリント基板28と接続リード36をはんだ接続して、従来の保護回路付き電池パックを製造していた。【0028】以上のように構成された従来の保護回路付き電池パックについて図12と対応した図13の回路ブロック図を参照しながら、以下にその動作を説明する。表的な動作原理は以下の内容である。動作として、角形素電池25の電圧が既定値に達したところで第2のFET38のゲートをOFF(第1のFET37はON状態)にし充電電流の流れを止める。(b)過放電保護動作として、角形素電池25の電圧が低くなった時に第1のFET37のゲートをOFF(第2のFET38はON状態)にし放電電流の流れを止める。(c)負荷側の短絡に対してFETユニット30のON抵抗の変動を検知し短絡電流の流れを止めるかまたはリード付きPTCサーミスタ33の過電流保護動作によって電流を安全レベルに制限する。電流保護動作によって短絡電流を安全レベルに制限する。間の短絡に対しては、2重3重の安全対策が必要であり保護回路が機能しない場合でも、リード付きPTCサーミスタ33が保護部品として大きな役割を担っている。度上昇に対しても直接的な熱伝達により抵抗値が上昇し、保護動作状態に移行することができる。極端子に電気溶接するような場合、熱影響によってポリマPTC層16が劣化することでリード付きPTCサーミスタ15の抵抗値が増加する要因となり、電池パック使用時間の低下や動作感度への影響が懸念されるという課題を有していた。【0032】これらの抵抗値変動要因は、ポリマPTCサーミスタの温度に対する抵抗値の可逆的性質に影響を与えるものであり、性能劣化と判断されるべきものである。池パックの使用時間の低下につながるという課題を有していた。間の向上する電池パックおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。池パックであって、前記保護回路ユニットは、保護用ICと面実装形のPTCサーミスタを含む複合体からなることを特徴とするもので、この構成によれば、保護回路ユニットに面実装形PTCサーミスタを用いたことでより高性能化が可能である。【0036】また、本発明の電池パックの製造方法は、プリント基板に保護用ICと面実装形PTCサーミスタをはんだ付けする工程と、前記はんだ付け後のプリント基板を熱処理する工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ接続用リードを接続する工程と、前記接続用リードと前記プリント基板を電気的に接続する工程からなることを特徴とするもので、この方法によれば、プリント基板にはんだ付けした面実装形PTCサーミスタを熱処理することで使用時間の向上が可能である。変動を小さくできるものである。率よく保護動作できるものである。【0039】請求項3に記載の発明は、特に、請求項2に記載の素電池とPTCサーミスタとを熱伝導部材によって接合したもので、この構成によれば、熱伝導部材が効率よく熱伝達することとなり素電池とPTCサーミスタを熱結合状態にすることができるものである。方または両方からなるものとしたので、この構成によれば、高分子化合物や金属板によって固定することとなりPTCサーミスタと素電池は強固な結合ができるものである。【0041】請求項5に記載の発明は、特に、請求項1に記載の熱伝導部材を融点が300°C以下のはんだ付け用金属または金属化合物からなるものとしたので、この構成によれば、PTCサーミスタと素電池は、導電材料で熱結合することとなり電気的な接続も兼ねることができるものである。【0042】請求項6に記載の発明は、特に、請求項2に記載の保護回路ユニットを保護用ICとPTCサーミスタが実装されたプリント基板からなるものとしたので、この構成によれば、プリント基板で回路構成することとなり保護回路ユニットの小形化ができるものである。【0043】請求項7に記載の発明は、特に、請求項6に記載のプリント基板を厚み方向の面が、素電池の少なくとも1面に近接し、PTCサーミスタが前記プリント基板の実装面の素電池側端部近傍に実装されてなるものとしたので、この構成によれば、PTCサーミスタはプリント基板上で素電池と近接することとなりPTCサーミスタと素電池を熱結合状態にできるものである。面に実装されてなるものとしたので、この構成によれば、プリント基板の第1の実装面と素電池が近接することとなりPTCサーミスタと素電池を熱結合状態にできるものである。【0045】請求項9に記載の発明は、特に、請求項8に記載の保護用ICとPTCサーミスタが実装されたプリント基板の第1の実装面と反対側の第2の実装面に少なくとも2つ金属端子が接続されてなるものとしたので、この構成によれば、プリント基板は対向する素電池の面に支えられることとなり金属端子が安定して固定できるものである。記折り曲げられた部分または前記折り曲げられた部分の一部が素電池の表面上に設けた絶縁シート上に配置されたものとしたので、この構成によれば、金属端子はプリント基板を仲介せずに素電池の面に支えられることとなり強固に固定できるものである。池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の小さい方の電極と電気的に接続された回路構成からなるものとしたので、この構成によれば、素電池自身の発熱に対して熱容量の小さい電極の方が早く温度上昇することとなりPTCサーミスタに早く熱を伝えることができる。体として保護動作することができる。【0050】請求項14に記載の発明は、特に、請求項13に記載の保護回路ユニットを保護用ICとPTCサーミスタが実装されたプリント基板からなるものとしたので、この構成によれば、プリント基板で回路構成することとなり保護回路ユニットの小形化ができるものである。【0051】請求項15に記載の発明は、特に、請求項14に記載のプリント基板を厚み方向の面が、素電池の少なくとも1面に近接し、PTCサーミスタが前記プリント基板の実装面の素電池と反対側端部近傍に実装されてなるものとしたので、この構成によれば、PTCサーミスタはプリント基板上で素電池の遠方に配置することとなり素電池からの熱影響を受けにくくできるものである。実装形のPTCサーミスタを含む複合体からなるものとしたので、この構成によれば、リード端子の曲げ加工や溶接による接続を必要としない面実装形のPTCサーミスタを保護回路ユニット内に直接取り付けることとなりPTCサーミスタの抵抗値変動を小さくできるものである。成することとなり保護回路ユニットの小形化ができるものである。熱によって保護動作することができるものである。これはFET自体が熱による悪影響を受けることを防止するものである。【0055】請求項19に記載の発明は、特に、請求項18に記載の保護回路ユニットをPTCサーミスタがFETと電気的に接続された回路構成からなるものとしたので、この構成によれば、プリント基板上の配線によって接続されることとなり効率よくPTCサーミスタへ熱を伝えることができる。電池からの熱影響を少なくしてFETと熱結合状態になることとなりFETの発熱を主体に保護動作することができるものである。動作ができるものである。影響を受けない位置に配置されてなるものとしたので、この構成によれば、PTCサーミスタは素電池とFETの両方からの熱影響を受けることがなくなり過電流による自己発熱を主体に保護動作ができるものである。【0059】請求項23に記載の発明は、プリント基板に保護用ICと面実装形PTCサーミスタをはんだ付けする工程と、前記はんだ付け後のプリント基板を熱処理する工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ接続用リードを接続する工程と、前記接続用リードと前記プリント基板を電気的に接続する工程からなるものとしたことで、この方法によれば、プリント基板にはんだ付けした面実装形PTCサーミスタを熱処理することでアニール効果によって、ポリマの融点以上の熱処理を行ってもPTCサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。【0061】請求項25に記載の発明は、特に、請求項24に記載のプリント基板の熱処理工程を相対的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理が繰り返す工程であるとしたもので、この方法によれば、効率よく短時間でPTCサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。上の熱処理を行ってもPTCサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。【0064】請求項28に記載の発明は、特に、請求項27に記載のプリント基板の熱処理工程を相対的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理が繰り返す工程であるとしたもので、この方法によれば、効率よく短時間でPTCサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。装形PTCサーミスタを熱処理することでアニール効果によって、ポリマの融点以上の熱処理を行ってもPTCサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。理温度が面実装形PTCサーミスタの保護動作温度以下としたもので、この方法によれば、確実にPTCサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。理と、低い温度の熱処理が繰り返す工程であるとしたもので、この方法によれば、効率よく短時間でPTCサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。理することでアニール効果によって、ポリマの融点以上の熱処理を行ってもPTCサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。理温度が面実装形PTCサーミスタの保護動作温度以下としたもので、この方法によれば、確実にPTCサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理が繰り返す工程であるとしたもので、この方法によれば、効率よく短時間でPTCサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。図面を参照しながら説明する。【0072】図1は本発明の実施の形態1における電池パックの斜視図である。【0073】図1において、41は角形素電池である。42は角形素電池41の正極端子であり、外周金属ケースを兼ねているものである。極端子であり、角形素電池41の1面にのみ設けられたものである。44は保護回路を構成するためのベースとなるプリント基板であり、プリント基板44の厚み方向の面が負極端子43のある角形素電池41の面に近接している。45はプリント基板44の第1の実装面上にSnAg系またはSnCu系のPbフリーはんだによって実装された保護用ICである。46はプリント基板44の第1の実装面上にSnAg系またはSnCu系のPbフリーはんだによって実装されたFETユニットであり、基本的には2個のFETで構成されている。対側の第2の実装面に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子と取り出し用負極端子である。板44の端部近傍に配置されている。50は負極端子43とプリント基板44を接続する負極側の接続リードである。子42を電気的に接続する正極側の接続リードである。52はプリント基板44と保護用IC45とFETユニット46と面実装形PTCサーミスタ49によって構成された保護回路ユニットである。【0074】以上のように構成された電池パックについて、以下にその製造方法を説明する。【0075】まず、プリント基板44の第2の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。【0076】次に、印刷形成したクリームはんだの上に取り出し用正極端子47と取り出し用負極端子48を取り付け、はんだ付けする。【0077】次に、プリント基板44の第1の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。【0078】次に、印刷形成したクリームはんだの上に保護用IC45とFETユニット46と面実装形PTCサーミスタ49を取り付ける。【0079】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリント基板44と、保護用IC45や面実装形PTCサーミスタ49などの取り付け部品をピーク温度250°Cのプロファイルではんだ付けする。下に復帰させる(以降、アニール処理と称する。極端子42に正極側の接続リード51を電気溶接によって接続する。【0082】次に、アニール処理後のプリント基板44と角形素電池41に取り付けられた負極側の接続リード50をはんだ接続する。【0083】最後に、プリント基板44と正極側の接続リード51をはんだ接続して、電池パックを製造するものである。【0084】以上のように構成、製造された電池パックについて、以下にその動作を説明する。池41の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流からの保護動作を行う。面実装形PTCサーミスタ49をプリント基板44上に保護用IC45やFETユニット46と同じようにリフローソルダリング法などのはんだ付けによって実装することにより、面実装形PTCサーミスタ49は、リード付きPTCサーミスタのようにリード端子の曲げ加工や電気溶接によって角形素電池41の負極端子43やプリント基板44と接続して回路を構成する必要がなく、曲げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ストレスなどに起因する抵抗値変動をなくすことが可能である。以下に短時間で小さくすることが可能である。形PTCサーミスタ49は、リード付きPTCサーミスタのようなリード端子の曲げ加工や電気溶接などの作業が不要であり、プリント基板44に保護用IC45やFETユニット46と同時に実装用マウンタで装着し、はんだ付けすることができるのでパック電池の組立て加工に要するコストの削減にも大きな効果がある。態に移行することができる。端子43が早く温度上昇することとなり面実装形PTCサーミスタ49により早く熱を伝えることができる。【0091】なお、本実施の形態1において、アニール処理工程は、面実装形PTCサーミスタをプリント基板に実装した直後の工程としたが、角形素電池と実装済みのプリント基板を接続リードではんだ接続した後の工程で行っても同様に抵抗値を小さくすることができる。溶接する工程の順序であってもよい。60°Cから110°Cの温度範囲で一定温度に数時間以上の長時間放置しておいてもはんだ付けにより増加した抵抗値の低減が可能である。【0094】なお、本実施の形態1において、プリント基板への実装用はんだをSnAg系またはSnCu系のPbフリー系はんだとしたが、その他のPbフリー系はんだや従来のSnPb系はんだを用いてもよい。図面を参照しながら説明する。【0096】図2は本発明の実施の形態2における電池パックの斜視図である。【0097】図2において、61は角形素電池である。62は角形素電池61の正極端子であり、外周金属ケースを兼ねているものである。極端子であり、角形素電池61の1面にのみ設けられたものである。64は保護回路を構成するためのベースとなるプリント基板であり、プリント基板64の厚み方向の面が負極端子63のある角形素電池61の面に近接している。65はプリント基板64の第1の実装面上にSnAg系またはSnCu系のPbフリーはんだによって実装された保護用ICである。66はプリント基板64の第1の実装面上にSnAg系またはSnCu系のPbフリーはんだによって実装されたFETユニットであり、基本的には2個のFETで構成されている。対側の第2の実装面に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子と取り出し用負極端子である。板64の端部近傍に配置されている。70は面実装形PTCサーミスタ69と角形素電池61の負極端子63と同一面とに接着した硬化温度100°Cのエポキシ樹脂であり、実施の形態1の構成と異なるところは、エポキシ樹脂70を設けた点である。71は負極端子63とプリント基板64を接続する負極側の接続リードである。正極端子67と外周金属ケースを兼ねた正極端子62を電気的に接続する正極側の接続リードである。護回路ユニットである。【0098】以上のように構成された電池パックについて、以下にその製造方法を説明する。【0099】まず、プリント基板64の第2の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。【0100】次に、印刷形成したクリームはんだの上に取り出し用正極端子67と取り出し用負極端子68を取り付け、はんだ付けする。【0101】次に、プリント基板64の第1の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。【0102】次に、印刷形成したクリームはんだの上に保護用IC65とFETユニット66と面実装形PTCサーミスタ69を取り付ける。【0103】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリント基板64と、保護用IC65や面実装形PTCサーミスタ69などの取り付け部品をピーク温度250°Cのプロファイルではんだ付けする。極端子62に正極側の接続リード72を電気溶接によって接続する。【0105】次に、アニール処理後のプリント基板64と、角形素電池61に取り付けられた負極側の接続リード71と正極側の接続リード72とをはんだ接続する。置する熱処理によって硬化接着させる。はんだ付けによって抵抗値が40mΩ程度に増加した面実装形PTCサーミスタ69をエポキシ樹脂の硬化温度を利用した上記の熱処理工程を行うことにより抵抗値を20mΩ以下に復帰させて、電池パックを製造するものである。【0107】以上のように構成、製造された電池パックについて、以下にその動作を説明する。池61の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流からの保護動作を行う。脂70によって接合することにより、面実装形PTCサーミスタ69に効率よく熱伝達することができる。エポキシ樹脂を硬化させる工程と面実装形PTCサーミスタ69の抵抗値を復帰させる熱処理工程を同時に行うことができる。【0110】なお、本実施の形態2において、エポキシ樹脂を熱伝導部材として用いたが、フェノール樹脂、シリコーン樹脂などの接着性のある高分子化合物を用いても同様の効果を得ることができる。率よく熱伝達することができる。エポキシ樹脂の硬化工程と兼用したが、面実装形PTCサーミスタをプリント基板にはんだ付けした以降の工程で単独にアニール処理工程を行ってもよい。【0113】なお、本実施の形態2において、プリント基板への実装用はんだをSnAg系またはSnCu系のPbフリー系はんだとしたが、その他のPbフリー系はんだや従来のSnPb系はんだを用いてもよい。図面を参照しながら説明する。【0115】図3は本発明の実施の形態3における電池パックの斜視図である。【0116】図3において、81は角形素電池である。82は角形素電池81の正極端子であり、外周金属ケースを兼ねているものである。極端子であり、角形素電池81の1面にのみ設けられたものである。84は保護回路を構成するためのベースとなるプリント基板であり、プリント基板84の厚み方向の面が負極端子83のある角形素電池81の面に近接している。85はプリント基板84の第1の実装面上にSnAg系またはSnCu系のPbフリーはんだによって実装された保護用ICである。86はプリント基板84の第1の実装面上にSnAg系またはSnCu系のPbフリーはんだによって実装されたFETユニットであり、基本的には2個のFETで構成されている。対面の第2の実装面上に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子と取り出し用負極端子である。板84の端部近傍に配置されている。90は負極端子83とプリント基板84を接続する負極側の接続リードである。子82を電気的に接続する正極側の接続リードである。92は面実装形PTCサーミスタ89の側面電極端子93と負極側の接続リード90を電気的に接続した融点が300°C以下、望ましくは260°C以下、より望ましくは240°C以下のSnAg系またはSnCu系のPbフリーはんだ部材であり、実施の形態1の構成と異なるところは、はんだ部材92を設けた点である。【0117】以上のように構成された電池パックについて、以下にその製造方法を説明する。【0118】まず、プリント基板84の第2の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。【0119】次に、印刷形成したクリームはんだの上に取り出し用正極端子87と取り出し用負極端子88を取り付け、はんだ付けする。【0120】次に、プリント基板84の第1の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。【0121】次に、印刷形成したクリームはんだの上に保護用IC85とFETユニット86と面実装形PTCサーミスタ89を取り付ける。【0122】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリント基板84と、保護用IC85や面実装形PTCサーミスタ89などの取り付け部品をピーク温度250°Cのプロファイルではんだ付けする。【0123】次に、プリント基板84に正極側の接続リード91をはんだ接続する。【0124】次に、プリント基板84と面実装形PTCサーミスタ89の側面電極端子93に負極側の接続リード90をはんだ部材92によって接続する。端子82に正極側の接続リード91を電気溶接によって接続する。間放置する温度サイクルを5回繰り返し、望ましくは10回繰り返すことで抵抗値を20mΩ以下に復帰させるアニール処理を行うことにより、電池パックを製造するものである。【0127】以上のように構成、製造された電池パックについて、以下にその動作を説明する。池81の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流からの保護動作を行う。抵抗値を復帰させることができる。材はSnAg系またはSnCu系のPbフリーはんだとしたが、Sn、Bi、Ag、Cu、Zn、In、Auなどから選択されたPbフリー系のはんだ部材や、SnPb系はんだを用いても同様の効果が得られる。図面を参照しながら説明する。【0132】図4は本発明の実施の形態4における電池パックの斜視図である。【0133】図4、図5において、101は角形素電池である。外周金属ケースを兼ねているものである。素電池101の負極端子であり、角形素電池101の1面にのみ設けられたものである。形素電池101の面に対向している。105はプリント基板104の第1の実装面上にSnAg系またはSnCu系のPbフリーはんだによって実装された保護用ICである。106はプリント基板104の第1の実装面上にSnAg系またはSnCu系のPbフリーはんだによって実装されたFETユニットであり、基本的には2個のFETで構成されている。107と108はプリント基板104の保護用IC105の実装面と反対側の第2の実装面に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子と取り出し用負極端子であり、プリント基板104からはみ出して折り曲げられた部分の先端部が、角形素電池101の正極端子102の上面に絶縁シート109を介して近接している。端子103のある角形素電池101の面に対向して近接している。111は負極端子103とプリント基板104を接続する負極側の接続リードである。気的に接続する正極側の接続リードである。113はプリント基板104と保護用IC105とFETユニット106と面実装形PTCサーミスタ110によって構成された保護回路ユニットである。【0134】以上のように構成された電池パックについて、以下にその製造方法を説明する。【0135】まず、プリント基板104の第1の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。【0136】次に、印刷形成したクリームはんだの上に保護用IC105とFETユニット106と面実装形PTCサーミスタ110を取り付ける。【0137】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリント基板104と、保護用IC105や面実装形PTCサーミスタ110などの取り付け部品をピーク温度250°Cのプロファイルではんだ付けする。溶接によって接続する。側の接続リード112とをはんだ接続する。【0140】次に、負極側の接続リード111と正極側の接続リード112を折り曲げてプリント基板104の第1の実装面を角形素電池101の負極端子103のある面に対向させる。【0141】次に、約90度に折り曲げられた取り出し用正極端子107と取り出し用負極端子108を各々が角形素電池101に取り付けた絶縁シート109とプリント基板104の第2の実装面に接するようにプリント基板104の第2の実装面にはんだ接続する。以下に復帰させるアニール処理を行うことにより、電池パックを製造する。【0143】以上のように構成、製造された電池パックについて、以下にその動作を説明する。動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流からの保護動作を行う。子103やプリント基板104と接続して回路を構成する必要がなく、曲げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ストレスなどに起因する抵抗値変動をなくすことが可能である。下に短時間で小さくすることが可能である。護動作状態に移行することができる。負極端子108を取り付けたことにより、プリント基板104は対向する角形素電池101に支えられることとなり、取り出し用正極端子107と取り出し用負極端子108が安定して固定でき、外部電子機器の電極端子と確実に接続できる。板104を仲介せずに角形素電池101の上面に支えられることとなり強固に固定でき、この面で外部電子機器の電極端子と接続すれば、機械的ストレスからプリント基板104を守ることができる。端子や取り出し用負極端子を取り付けた面実装形PTCサーミスタと反対側のプリント基板の実装面に配置してもよい。60°Cから110°Cの温度範囲で一定温度に数時間以上の長時間放置しておいてもはんだ付けにより増加した抵抗値の低減が可能である。【0152】なお、本実施の形態4において、プリント基板への実装用はんだをSnAg系やSnCu系のPbフリー系はんだとしたが、その他のPbフリー系はんだや従来のSnPb系はんだを用いてもよい。図4の様に、面実装形PTCサーミスタ110と角形素電池101を対向させることで、面実装形PTCサーミスタ110は、角形素電池101の放射熱を受けるので、より角形素電池101と熱結合をさせることができる。図面を参照しながら説明する。【0154】図6は本発明の実施の形態5における電池パックの斜視図である。【0155】図6において、121は角形素電池である。金属ケースを兼ねているものである。池121の負極端子であり、角形素電池121の1面にのみ設けられたものである。電池121の面に近接している。125はプリント基板124の第1の実装面上にSnAg系またはSnCu系のPbフリーはんだによって実装された保護用ICである。126はプリント基板124の第1の実装面上にSnAg系またはSnCu系のPbフリーはんだによって実装されたFETユニットであり、基本的には2個のFETで構成されている。装面に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子と取り出し用負極端子である。129はプリント基板124の第1の実装面上にSnAg系またはSnCu系のPbフリーはんだによって実装された面実装形PTCサーミスタであり、保護用IC125を挟んでFETユニット126と間隔を取り、角形素電池121と近接するプリント基板104の端部と反対側の端部近傍に配置されている。130は負極端子123とプリント基板124を接続する負極側の接続リードである。131はプリント基板124を介して面実装形PTCサーミスタ129と外周金属ケースを兼ねた正極端子122を電気的に接続する正極側の接続リードである。132はプリント基板124と保護用IC125とFETユニット126と面実装形PTCサーミスタ129によって構成された保護回路ユニットである。【0156】以上のように構成された電池パックについて、以下にその製造方法を説明する。【0157】まず、プリント基板124の第2の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。【0158】次に、印刷形成したクリームはんだの上に取り出し用正極端子127と取り出し用負極端子128を取り付け、はんだ付けする。【0159】次に、プリント基板124の第1の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。【0160】次に、印刷形成したクリームはんだの上に保護用IC125とFETユニット126と面実装形PTCサーミスタ129を取り付ける。【0161】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリント基板124と、保護用IC125や面実装形PTCサーミスタ129などの取り付け部品をピーク温度250°Cのプロファイルではんだ付けする。繰り返し、望ましくは5回繰り返して、抵抗値を20mΩ以下に復帰させるアニール処理を行う。溶接によって接続する。【0164】次に、アニール処理後のプリント基板124と角形素電池121に取り付けられた負極側の接続リード130をはんだ接続する。続リード131をはんだ接続して、電池パックを製造するものである。【0166】以上のように構成、製造された電池パックについて、以下にその動作を説明する。動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流からの保護動作を行う。曲げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ストレスなどに起因する抵抗値変動をなくすことが可能である。【0169】また、本実施の形態5では、プリント基板124に面実装形PTCサーミスタ129をはんだ付けする工程と、面実装形PTCサーミスタ129をはんだ付け後のプリント基板124をアニール処理する工程と、角形素電池121の正極端子122と負極端子123にそれぞれ正極側の接続リード131と負極側の接続リード130を電気溶接する工程と、正極側の接続リード131と負極側の接続リード130をプリント基板44にはんだ接続する工程からなるものとしたことにより、SnAg系やSnCu系などの融点が200°C以上のPbフリーはんだを用いて、プリント基板44にはんだ付けした結果、抵抗値が40mΩまで2倍程度に増加した面実装形PTCサーミスタ49は、アニール効果によって、抵抗値を20mΩ以下に短時間で小さくすることが可能である。流による自己発熱を主体として保護動作することができるので過電流による保護動作を優先する用途に適している。気の対流による熱の伝導を低減することができ、同様の効果を奏する。面実装形PTCサーミスタ129と角形素電池121との間に、両者を遮蔽する手段を設けることにより、両者間の熱の伝達を減少させることもできる。形素電池121の間に遮蔽手段を設けることは有用である。流による自己発熱を主体に保護動作ができるので過電流による保護動作を優先する用途に適している。【0172】なお、本実施の形態5において、面実装形PTCサーミスタは、FETユニットとプリント基板の同一実装面に配置したが、熱的影響がより小さくなるように互いに反対側の実装面に配置してもよい。【0173】なお、本実施の形態5において、プリント基板への実装用はんだをSnAg系やSnCu系のPbフリー系はんだとしたが、その他のPbフリー系はんだや従来のSnPb系はんだを用いてもよい。態6における電池パックについて、図面を参照しながら説明する。【0175】図7は本発明の実施の形態6における電池パックの斜視図である。図8は図7の電池パックの回路ブロック図である。142は角形素電池141の正極端子であり、外周金属ケースを兼ねているものである。143は角形素電池141の負極端子であり、角形素電池141の1面にのみ設けられたものである。144は保護回路を構成するためのベースとなるプリント基板であり、プリント基板144の厚み方向の面が負極端子143のある角形素電池141の面に近接している。145はプリント基板144の第1の実装面上にはんだ付けによって実装された保護用ICである。146はプリント基板144の第1の実装面上にはんだ付けによって実装されたFETユニットであり、基本的には2個のFET147とFET148で構成されている。極端子と取り出し用負極端子である。能な0.1mm以上0.5mm以下の間隔を残して近接して配置されている。152は負極端子143とプリント基板144を接続する負極側の接続リードである。極端子142を電気的に接続する正極側の接続リードである。154はプリント基板144と保護用IC145とFETユニット146と面実装形PTCサーミスタ151によって構成された保護回路ユニットである。【0177】以上のように構成された電池パックについて、以下にその製造方法を説明する。【0178】まず、プリント基板144の第2の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。【0179】次に、印刷形成したクリームはんだの上に取り出し用正極端子149と取り出し用負極端子150を取り付け、はんだ付けする。【0180】次に、プリント基板144の第1の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。【0181】次に、印刷形成したクリームはんだの上に保護用IC145とFETユニット146と面実装形PTCサーミスタ151を取り付ける。【0182】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリント基板144と、保護用IC145や面実装形PTCサーミスタ151などの取り付け部品をピーク温度250°Cのプロファイルではんだ付けする。以下に復帰させるアニール処理を行う。溶接によって接続する。【0185】次に、アニール処理後のプリント基板144と角形素電池141に取り付けられた負極側の接続リード152をはんだ接続する。続リード153をはんだ接続して、電池パックを製造するものである。【0187】以上のように構成、製造された電池パックについて、以下にその動作を説明する。動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流からの保護動作を行う。曲げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ストレスなどに起因する抵抗値変動をなくすことが可能である。果によって、抵抗値を20mΩ以下に短時間で小さくすることが可能である。接して配置することにより、面実装形PTCサーミスタ151はFETユニット146と熱結合状態となりFETユニット146の発熱によっても保護動作することができるものである。【0192】また、本実施の形態6では、面実装形PTCサーミスタ151とFET147と電気的に接続し、FETユニット146と隣接実装可能な0.1mm以上0.5mm以下の間隔を残して近接して配置することにより、プリント基板144上の配線を使って効率よくPTCサーミスタへ熱を伝えることができる。路接続し、FETユニット164と熱結合状態となるように構成することで、角形素電池162の熱容量の大きい正極端子163は発熱による温度上昇が遅くなることにより、面実装形PTCサーミスタ161は角形素電池162からの熱影響を少なくしてFETユニット164からの発熱を主体に保護動作することができるものである。【0194】なお、本実施の形態6において、プリント基板への実装用はんだをSnAg系やSnCu系のPbフリー系はんだとしたが、その他のPbフリー系はんだや従来のSnPb系はんだを用いてもよい。【発明の効果】以上のように本発明によれば、保護回路ユニットは保護用ICと面実装形のPTCサーミスタを含む複合体からなることにより、リード端子の曲げ加工や溶接による接続を必要としない面実装形のPTCサーミスタを保護回路ユニット内に直接取り付けることとなり、取り付け時のストレスによる影響を軽減し、抵抗値の不可逆的な抵抗値変動を小さくし、さらに、面実装形PTCサーミスタをプリント基板にはんだ付けする工程の以降で、熱処理する工程を設ける方法により、ポリマの融点以上の熱処理を行った場合でも、PTCサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることができるものであり、より高性能で使用時間の長い電池パックおよびその製造方法を提供できるものである。形のPTCサーミスタを含む複合体からなることを特徴とする電池パック。素電池と保護回路ユニットのPTCサーミスタとは、熱結合状態にある請求項1記載の電池パック。熱伝導部材は、高分子化合物と金属板の何れか一方または両方からなる請求項3記載の電池パック。熱伝導部材は、融点が300°C以下のはんだ付け用金属または金属化合物からなる請求項1記載の電池パック。保護回路ユニットは、保護用ICとPTCサーミスタが実装されたプリント基板からなる請求項2記載の電池パック。プリント基板の厚み方向の面が、素電池の少なくとも1面に近接し、PTCサーミスタが前記プリント基板の実装面の素電池側端部近傍に実装されてなる請求項6記載の電池パック。プリント基板の第1の実装面が素電池に対向するように配置され、PTCサーミスタが前記第1の実装面に実装されてなる請求項6記載の電池パック。面に少なくとも2つ金属端子が接続されてなる請求項8記載の電池パック。置された請求項9記載の電池パック。保護回路ユニットは、PTCサーミスタが素電池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の小さい方の電極と電気的に接続された回路構成からなる請求項1記載の電池パック。保護回路ユニットは、PTCサーミスタが素電池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の大きい方の電極と電気的に接続された回路構成からなる請求項1記載の電池パック。響を受けない位置に配置されてなる請求項1記載の電池パック。項13記載の電池パック。池の少なくとも1面に近接し、PTCサーミスタが前記プリント基板の実装面の素電池と反対側端部近傍に実装されてなる請求項14記載の電池パック。保護回路ユニットは、保護用IC、FETおよび面実装形のPTCサーミスタを含む複合体からなる請求項1記載の電池パック。保護回路ユニットは、保護用IC、FETおよびPTCサーミスタが実装されたプリント基板からなる請求項16記載の電池パック。PTCサーミスタとFETとは、プリント基板の実装面に隣接実装が可能な間隔を残して近接するように配置された請求項17記載の電池パック。項18記載の電池パック。保護回路ユニットは、PTCサーミスタが素電池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の大きい方の電極と電気的に接続された回路構成からなる請求項18記載の電池パック。PTCサーミスタは、素電池とFETから熱影響を受けない位置に配置されてなる請求項16記載の電池パック。