ResearcherHomeJapaneseこのページはJavascriptを使用しています。有効にする必要があります。Summary界面化学の熱力学量についての基礎的な取扱を講義し、特にGibbs単分子膜やLangmui単分子膜など、水面上の単分子膜についての物理化学を解説。Langmuir-Blodgett法を用いた有機系として、人工光合成系の研究について詳しく紹介している。−増感色素−電子供与体三つ組分子を合成し、主にLB法を用いて形成した膜による光電変換を検討。物質合成からデバイス機能の評価までの全過程を研究することにより、分子フォトダイオードの将来的な実用化の決め手となる分子・デバイス設計の指針を示した。して機能することを確認し、アンテナ光収集から電荷分離までを含む光合成初期過程のシミュレーションに成功した。ついて、アノードITOの自己組織化膜(SAM)修飾による効果を調べた。eVの広い範囲で制御することが出来た。デバイスの電流密度については仕事関数による変化が見られたが、開放電圧はほぼ一定値となった。このことからドナーポリマーのポーラロン準位にフェルミ準位ピンニングが起きていることが示唆された。SummaryZnPc/C60系の有機薄膜太陽電池におけるカソード電極側のバソクプロイン層の効果及び、ITOアノード電極側の自己組織化膜修飾による効果の比較を行い、電極仕事関数の観点から議論した。自己組織化膜としては、H-あるいはCl-基を末端に有するベンゼンスルフォン酸誘導体を用いた。ついて、電極仕事関数がデバイス開放電圧へ及ぼす影響について研究を行った。アノードITO極については、自己組織化膜法を用いてダイポール分子の配列を行い、カソード金属極についてはバソクプロイン及びアルミニウムキノンの蒸着により誘起される界面ダイポールによって、両極の仕事関数を変化させた。両極の仕事関数差を増大させた結果、最大で0.93Vの開放電圧値が得られることがわかった。Summaryパラ位にハロゲンなどの置換基を持つ安息香酸誘導体がSnO2(110)表面と結合し、自己組織化膜を形成する際の性質について、密度関数理論による研究を行った。このような自己組織化膜が形成されると電極の仕事関数が変化することが以前より実験により報告されており、本論文では、分子ダイポールと仕事関数との相関について、末端の置換基を変えたいくつかの系を用いて計算を行い、実験との比較、考察を行った。ついて、自己組織化膜(SAM)修飾ITO電極の効果について調査を行った。dichloride基を末端に有する塩化ベンゼンスルホニル誘導体を用いた。これらについて、アノード側のBCP層の効果についてもそれぞれ調べ、比較を行った。