サービスの内容、発売日、お問い合わせ先、URL等)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更され、検索日と情報が異なる可能性もありますので、あらかじめご了承ください。最新のお問い合わせ先は、お問い合わせ一覧をご覧下さい。中央研究所(所長:西野壽一)は、このたび、従来比約3倍の容量密度を実現する無線通信用混載LSI向けキャパシタ形成技術を開発しました。なるMIM(Metal-Insulator-Metal:金属−絶縁体−金属)構造と称されるキャパシタに、極薄アルミナ(Al2O3)膜を挿入し、絶縁体であるTa2O5の膜質を大幅に改善することによって実現しました。近年急速に市場が拡大している無線通信機器の高機能化には、システムLSIの高性能化が大きく寄与しています。この通信用システムLSIの送・受信を直接担っているアナログ回路部には、キャパシタ・インダクタ・抵抗などの各種受動素子が多く使用されています。よるキャパシタ面積の削減が必須となっています。そこで、近年、抵抗成分が小さく、高容量密度化が可能な、MIM構造の容量素子が注目され、無線通信用システムLSIの高性能化の鍵となる技術として、量産プロセスの確立や信頼性の向上が期待されています。このような背景から、当社中央研究所では、高い容量密度を実現するとともに低温プロセスでも信頼性の高いMIMキャパシタ製造技術を開発しました。技術の特徴は次の通りです。(1)デバイス性能へのCu(銅)の影響解明:キャパシタに用いている、次世代のLSI配線材料でもあるCuはSiやSiO2中の熱拡散速度が非常に速い金属です。このため、Cuが表面のデバイス領域に拡散し、MOSFETの性能劣化や信頼性低下を招くという問題があります。今回、Cu汚染によるデバイス劣化機構をはじめて明確にし、さらに、その制御技術の指針を得ることによって、Cuを使用したプロセス構築を可能としました。(2)バリア層の導入による低温プロセスでの信頼性向上:Cu/Ta2O5/Cuキャパシタに極薄アルミナ(Al2O3)膜を導入し、層間の原子の拡散を防ぐことによって、低温プロセスでも信頼性が高く、薄膜化をしても高品質の容量絶縁膜(Ta2O5薄膜)を形成できました。Ta2O5の薄膜化により、キャパシタの容量密度を高くすることができるため、キャパシタ面積を小さくすることが可能となります。(3)ダマシンプロセス1)の適用によるマスク枚数の削減:MIM構造の形成にダマシン(埋め込み)プロセスを適用しました。一枚のマスクの追加で本MIMキャパシタを形成することが可能なため、プロセスコストを削減します。付近まで良好な容量素子として機能することが分かりました。今後は、LSI化を進め、無線通信向けRFアナログ/デジタル混載回路技術として完成度を高めていく予定です。Meeting」にて発表されました。ドライエッチングによって、配線材料等の金属膜をパターンに加工するのでなく、まずSi基板に溝を形成し、そこに金属を蒸着した後に表面を機械的研磨で平坦加工してパターンを形成する技術。Readerが必要です。