(WPI-AIMR)の鈴木和也助手と水上成美教授は、垂直磁化マンガン系合金ナノ薄膜を用いたトンネル磁気抵抗(TMR)素子の開発に成功しました。これは次世代の不揮発性磁気抵抗メモリ(MRAM)注2)開発に貢献する成果です。TMR素子を記憶素子とするMRAMは不揮発性及び高速性能を有するメモリで、記憶容量の小さいMRAMはすでにサンプル出荷が始まっており、東芝など大手メモリメーカーによりメインメモリやキャッシュメモリ用MRAMの製品化が進められています。さらなる高性能MRAM開発のため、基盤となる磁性材料の研究も強く求められています。マンガン系合金は高い垂直磁気異方性と低い磁気摩擦を有することから大容量MRAMへの応用が期待され、10nmクラスの微細化を実現するために、ナノ薄膜を有するTMR素子の開発が望まれています。本研究グループは、規則的に原子が配列したマンガン系合金ナノ薄膜を有するTMR素子を作製する技術を開発するとともに、放射光を用いた評価と計算科学の手法でその基礎的特性を調べることに成功しました。これらは、次世代の大容量MRAM開発に貢献する成果です。Reports」(サイエンティフィックリポーツ)誌に掲載されました。図:開発したTMR素子の断面を高分解能の透過型電子顕微鏡で観察した写真。この層においてはマンガン原子が強い磁気を発しています。東京都文京区本郷7-3-1。