Gate)-MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)」を解説する。Applications」の概要をご紹介している。Maurelli氏である。講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるので、本シリーズでは読者の理解を助けるために、講演の内容を適宜、補足している。Technology)のメモリ技術をご紹介した。エレクトロニクスの埋め込みフラッシュメモリ技術をご説明する。Gate)-MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)」と呼んでいる。SG-MONOSの特徴は大きく2つある。1つは、スプリットゲート方式であること。1つは、電荷の蓄積に浮遊ゲート方式ではなく、電荷捕獲(チャージトラップ)方式を採用していることである。SG-MONOSのスプリットゲート方式トランジスタは具体的には、ワード線ゲート電極(選択ゲート電極)と、金属ゲート電極(メモリゲート電極)を横方向に並べた構造である。電荷捕獲(チャージトラップ)方式トランジスタは具体的には、シリコン基板と金属ゲートの間にシリコンの酸化膜(O)/窒化膜(N)/酸化膜(O)の3層構造を作ることである。3層構造の窒化膜(N)内に高密度の電子捕獲準位を形成する。SG-MONOS技術によるメモリセルトランジスタの書き込み(プログラム)動作と消去(イレーズ)動作は、以下のようになる。Injection)」と呼ぶホットエレクトロン注入技術を使う。セルトランジスタのソース電極とメモリゲート電極に高い電圧を印加することで、ホットエレクトロンを基板から窒化膜(N)に注入する。Tunneling)」と呼ぶトンネリング技術を使う。セルトランジスタのソース電極にプラスの高電圧、メモリゲート電極にマイナスの高電圧を印加することで、絶縁膜のエネルギー障壁を実効的に低くして正孔を基板から窒化膜(N)にトンネリングさせる。すると捕獲準位の電子が正孔と再結合して消滅し、蓄積電荷が消える。SG-MONOS技術によるメモリセルトランジスタの書き込み(プログラム)動作(左)と消去(イレーズ)動作(右)。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。