(Semiconductor)電気を通さない絶縁体と電気を通しやすい導電体との中間的な物質で、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)などが代表的な物質です。これらの半導体はある種の元素を含ませることで電気的な性質が変化するため、この原理を利用して多くの種類の半導体素子が作られています。一般的に製品である半導体素子の総称として「半導体」という用語が用いられています。シリコン(Silicon)原子番号14の元素。半導体デバイス製造では高純度の単結晶シリコンが用いられています。ウエーハ(Wafer)高純度の単結晶シリコンを厚さ1mm以下の円盤にしたものです。通常は直径5インチ(125mm)、8インチ(200mm)、12インチ(300mm)のものが使われています。このウエーハ上に複数の半導体回路を形成し、切断して半導体チップを製造します。ナノメートル(Nanometer)1ナノメートル(1nm)は10億分の1メートルです。Defect)半導体デバイス製造工程において設計通りの形状にならず、製造歩留りを低下させる、または低下させる可能性のある問題個所をパターン欠陥と呼びます。早い段階で、これらのパターン欠陥を検出することが求められます。Dimension)半導体デバイス製造工程においてウエーハ上に形成されたパターンの寸法が設計通りにできているか確認することが、半導体デバイス製造の歩留りを確保する上で重要となります。Microscope)と呼びます。Microscope)電子線を用いて測定対象物の拡大像を得る装置です。電子顕微鏡は光学顕微鏡に比べ、高い分解能で形状観察が可能になりますので、最先端半導体のようなナノメートルオーダーの形状観察には必須の装置となっています。(SEM)が用いられています。Database電子顕微鏡等で得られたウエーハ上に形成された半導体デバイスパターンの像と本来、半導体デバイス回路設計者が意図したパターン形状(設計データ、CADデータ)とを重ね合わせて、その差分を検出することで、パターン欠陥の検出およびパターン寸法の計測を行うアルゴリズムのことを言います。Dieというアルゴリズムも一般的に使われています。Data)半導体デバイス回路設計者が作成する回路パターンのCADデータを指します。Standard)の2種類が主に使用されています。Correction)光近接効果補正のことです。ウエーハ上に形成される半導体デバイスパターンの寸法が露光波長と同等以下になり、光の近接効果の影響でマスク上のパターン形状がそのまま、ウエーハ上に転写されなくなっており、この光の近接効果を考慮してマスク・パターンの補正を行う技術が必須となっています。Point)と呼びます。Spot)と呼ばれることもあります。Processes)では各製造装置における製造条件の最適範囲(プロセスウインドウ)を設定し、その範囲で装置を稼働させることが、半導体デバイス製造における歩留りを向上させる作業の一つとなっています。半導体プロセスで最も重要となるリソグラフィー工程において、その2大条件である露光量(Dose)と焦点位置(Focus)とを何段階かに振ったウエーハを用いてプロセスウィンドウを規定することが重要な作業となっています。重ね合わせ(Overlay)ウエーハ上に形成された第1層目のパターンと第2層目のパターンとが正確に重なりあっていませんと半導体デバイスとして所定の性能をだすことができません。Measurement)と言います。従来は光学式の重ね合わせ検査装置が主流でしたが、最近ではパターンの微細化が進み、電子ビーム式検査装置で重ね合わせ計測と行おうとする試みがなされるようになっています。歩留り(Yield)ウエーハ上に形成した半導体デバイスチップの数の内、良品として動作するチップの数の比を歩留り(Yield)と言います。半導体産業の特色の一つは、歩留りという概念が存在することで、この歩留りをいかに向上させるかが半導体ビジネスの経済性を向上させる最大の課題であると言われています。SEMではパターンの電子顕微鏡画像の断面寸法を測定致しますので、パターン線幅の1点の測定をすることになります。近年の半導体デバイスパターンの高密度化により、1次元1点測定から2次元形状を測定し、その測定を広い範囲で多くの点を測定する必要性が出てきています。Measurement)と呼んでいます。生産経済性を向上できるため、従来、半導体デバイス製造各社は微細化を競ってきました。最小寸法が10nmに近づくにつれ、電気的な絶縁問題等、様々な技術的な問題がでてきたため、微細化に頼らずにICを進化させる技術としてチップ同士を3次元に接続する3次元デバイス技術が考えられるようになりました。微細化の限界に達したメモリーデバイスがいち早く3次元化に移行しつつあります。この3次元構造をもったメモリーデバイスのことを一般的に3Dメモリーと呼んでいます。Transistor)立体構造(3D)をもつトランジスター構造の一つです。