室温において酸素欠損量を変化させた場合と電荷不均化反応が生じる試料に対して温度を変化させた場合の結晶構造の様子についてそれぞれ調べた。Rietveld法を用いて行った。4/mmm(正方品)のモデルと良く一致することがわかった。電荷不均化反応が生じている温度において電荷不均化反応に伴った結晶構造相転移は確認されていない。このことから、電荷不均化反応に伴う結晶格子の変化(特に酸素の変位)は装置分解能を凌ぐ程、非常に僅かであると考えられる。構造解析によって得られた詳細な構造パラメータを用いてeg軌道内のエネルギーギャップの大きさについて計算を行った。エネルギーギャップが増大することを嫌う傾向にあることがわかった(図1および図2)。電荷不均化反応を生じる物質は鉄一酸素間の結合角が180°よりも歪んでいることが確認された。これは鉄の3d軌道と酸素の2p軌道の共有結合性を弱める傾向にあることから、eg電子が他方の鉄サイトに飛び移る際に局在し易い状況を形成していると考えられる。電荷不均化反応が生じない(酸素欠損量が多い)試料と電荷不均化反応が生じる(酸素欠損量が少ない)試料について磁気構造解析を行った。1)反射が非常に強く出現していることが明らかとなった。これはスピンの方向がc軸に対して傾いており、ab面内においては強磁性的なスピン配列を形成していることを示唆していると考えられる。このように電荷不均化反応が生じない試料と生じる試料において磁気構造は大きく異なっていることがわかる。これらの結果から隣接鉄原子間のスピン配列について考えると電荷不均化反応が生じない試料においては反強磁性であるのに対して、電荷不均化反応が生じる試料においては強磁性的であることが考えられる(図3)。eg電子が他方の鉄サイトに飛び移る際にフント結合を考慮するとスピン配列は強磁性的である方が有利であると考えられる(二重交換相互作用)。そのため、電荷不均化反応はこのような強磁性的なスピン配列を好むと予想される。/>以上の結果について簡単にまとめる。電荷不均化反応はeg軌道内のエネルギーギャップが増大することを嫌う傾向にある。電荷不均化反応が生じるためには他方の鉄サイトに飛び移ったeg電子が局在しなければならない。そのため、原子間の結合角を歪ませる等によって(すなわち、鉄の3d軌道と酸素の2p軌道の共有結合性を弱めることによって)eg電子が局在し易い状況を形成していると考えられる。