Transistor)とは、入力部がMOS構造で、出力部がバイポーラ構造のSi(シリコン)製パワー・トランジスタ(パワー半導体)のこと。日本語では、絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタと呼ぶ。一般に、低耐圧を得意とするSi製パワーMOSFETは、耐圧を高めるとオン抵抗が高くなってしまう。高耐圧を得意とするSi製バイポーラ・トランジスタはスイッチング速度が遅い。この2つの問題を解決すべく誕生したのがIGBTである。両者の構造を取り入れることで、低い飽和電圧(パワーMOSFETのオン抵抗に相当)と、比較的速いスイッチング特性を両立した。耐圧の対応範囲は、約400〜約3000Vである。400V以下はSi製パワーMOSFETが、3000V以上はSiバイポーラ・トランジスタなどが使われている。50kHz超のスイッチングが可能にIGBTが最初に製品化されたのは、1980年代前半のことである。現行のIGBTが採用するノンパンチ・スルー型(オフ時に空乏層がコレクタに接触しないタイプ)の製品化が始まったのも1988年とかなり前のことだ。素子構造を徐々に改良しながら、飽和電圧の低減とスイッチング特性の改善を少しずつ進めてきた。現在では、飽和電圧は1.5V程度に下がっており、スイッチング特性は50kHzを超える周波数にも対応できるようになっている。バイポーラ・デバイスであるため、同耐圧のSi製パワーMOSFETに比べると、価格がかなり低いというメリットもある。スイッチング特性が改善されたとはいえ、Si製パワーMOSFETに比べるとかなり見劣りする。これがIGBTの弱点である。Si製パワーMOSFETを使えば、100kHzを超える周波数での動作が可能である。スイッチング周波数が高ければ、電源回路全体の外形寸法を小さく、重量を軽くできるようになる。従って、電源回路の小型化や軽量化が求められる用途では、IGBTの採用は難しい場合もある。最近になって、IGBTの得意とする耐圧領域に、SiCパワー半導体やGaNパワー半導体が投入され始めた。これらの次世代パワー半導体は、オン抵抗が低いと同時に、高いスイッチング周波数を実現できることが特長だ。IGBTが不得意なスイッチング周波数の問題を解決できる。次世代パワー半導体はいずれも製品化が始まったばかりで、本格的な普及にはまだ時間がかかると見られている。割り込みっていろいろあるのですか?どんな種類があるか教えてください。使用時の注意点をわかりやすく説明しているほか、使用時に発生する可能性のあるさまざまなトラブルとその対処法についても紹介しています。アカウントが必要です。PDF英語版で高い評価を受けてきたポケット・ガイドの日本語版が完成しました。基板レベルやシステム・レベルの回路設計でよく使われるアナログ設計式を紹介しています。アカウントが必要です。twitter日本TI公式facebook日本TI公式twitter製品情報、セミナーや展示会などのイベント情報をお知らせしています。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。