FLASHTM」の第5世代となる112層積層プロセスを適用した製品を試作し基本動作を確認しました。第一四半期にサンプル出荷を開始する予定です注1。引き続き需要拡大を続けるデータセンター向けSSD、エンタープライズSSDやPC向けSSD、スマートフォン等向け製品への展開はもとより、5Gネットワーク、人工知能(AI)、自動運転などによって喚起される新たな需要にも対応していきます。今後、112層積層プロセスを用いた1テラビット(128ギガバイト)TLC製品をはじめ、1.33テラビットの4ビット/セル(QLC)製品等の製品化も計画しています。FLASHTMのメモリセルと比べて単位面積あたりのメモリ容量を約20%向上しました。これにより1枚のシリコンウェハーから生産されるメモリ容量を増やし、ビットあたりのコスト削減を実現しています。インターフェース性能は50%向上し、プログラム性能やリード性能の高速化も実現します。当社は、2007年に3次元積層構造を用いたフラッシュメモリを世界で初めて公表注2しており、今後も継続して求められるメモリの大容量化、小型化など多様な市場のニーズに応えるためフラッシュメモリの開発を進めていきます。(三重県)、および北上工場(岩手県)での製造を予定しています。本サンプルは一部未評価の部分があります。今後、仕様の変更を行う場合があります。サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。