多岐にわたる接合部品に使用されます。各種形状、仕様に応じてめっきプロセスを選択、加工対応いたします。代替めっきとしてのSnめっき電子・電気機器における特定有害物質の使用制限として、欧州連合(EU)によるRoHS指令は2003年2月にWEEE指令と共に公布、2006年7月に施行ました。それに伴い、半田めっきにおいては主要成分である鉛が規制されたことから、現状はその多くがSnめっきへ代替されました。Snめっきにおいてはウイスカという結晶粒子の析出成長による実装後の配線短絡の問題の可能性が指摘されることから、その対策としての皮膜調整が必要となっています。Snめっきの内部応力がウィスカーの発生因子となる。ウイスカーとは一般的に皮膜中のSn粒子の内部応力により、結晶成分が針状に押し出された現象を指します。素地との拡散層形成による応力増大が挙げられます。ウィスカーを最小限に抑制するためにはめっき工程が非常に重要ウイスカーの発生そのものをゼロにすることはSnそのものの物性故、一般的には極めて困難であると考えられていますが、皮膜状態や使用環境の管理によって抑制することは可能です。めっき皮膜形成としましては以下の方法が挙げられます。鉛(Pb)はんだめっきの代替として同等の皮膜特性を有する錫(Sn)めっきを使用する場合、ウイスカー対策が必要です。そのひとつの対策としまして、ウイスカーの発生原因である結晶粒子の内部応力をリフローをかけることで緩和することができます。リフロープロセスを用いたコネクタ用Snリフローめっきを量産しています。