100分以上加熱する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。more.【請求項20】加熱雰囲気は大気雰囲気であることを特徴とする請求項19に記載の半導体素子の製造方法。atmosphere.【請求項21】加熱雰囲気は、少なくとも酸素ガスが供給された雰囲気であることを特徴とする請求項19に記載の半導体素子の製造方法。supplied.【請求項22】加熱雰囲気は、酸素ガス及び水素ガスが供給された雰囲気であることを特徴とする請求項21に記載の半導体素子の製造方法。supplied.【請求項23】加熱雰囲気は、不活性ガス雰囲気、若しくは、減圧雰囲気であることを特徴とする請求項19に記載の半導体素子の製造方法。atmosphere.【請求項24】加熱雰囲気には、水蒸気が含まれていることを特徴とする請求項23に記載の半導体素子の製造方法。contained.【請求項25】200分以上加熱することを特徴とする請求項19に記載の半導体素子の製造方法。minutes.【請求項26】500分以上加熱することを特徴とする請求項19に記載の半導体素子の製造方法。(1),熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。<673の条件を満たすことを特徴とする請求項27に記載の半導体素子の製造方法。satisfied.【請求項29】加熱雰囲気は大気雰囲気であることを特徴とする請求項27に記載の半導体素子の製造方法。atmosphere.【請求項30】加熱雰囲気は、少なくとも酸素ガスが供給された雰囲気であることを特徴とする請求項27に記載の半導体素子の製造方法。supplied.【請求項31】加熱雰囲気は、酸素ガス及び水素ガスが供給された雰囲気であることを特徴とする請求項27に記載の半導体素子の製造方法。supplied.【請求項32】加熱雰囲気は、不活性ガス雰囲気、若しくは、減圧雰囲気であることを特徴とする請求項27に記載の半導体素子の製造方法。atmosphere.【請求項33】加熱雰囲気には、水蒸気が含まれていることを特徴とする請求項32に記載の半導体素子の製造方法。゚C以下の温度で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。゚C未満の温度で加熱することを特徴とする請求項34に記載の半導体素子の製造方法。19乃至請求項35のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。