(4)【0038】式(2)を変形すると、以下の式(5)が得られる。従って、式(5)の右辺よりも左辺の熱処理温度Tが高ければ、熱処理後に所望のキャリア濃度を得ることができる。)を変えたときのグラフを図3に示す。(unit:分)である。キャリア密度Cとの関係を、以下の表1及び表2に示す。41時間あるいは82時間という熱処理時間は、半導体素子の製造上、問題とはならない時間である。びに、水蒸気が含まれた減圧雰囲気にて同様の試験を行ったが、大気雰囲気と同様の傾向が得られた。obtained.【0045】(実施例2)実施例2は、半導体レーザから成る半導体素子の製造方法に関する。以下、気相成長法の一種である加圧MOCVD法に基づく係る製造方法の概要を説明する。1.2気圧乃至1.8気圧とすることが望ましい。このように、加圧MOCVD法を採用することによって、化合物半導体層の成長中に窒素が脱離し、化合物半導体層が窒素不足となるといった現象の発生を確実に防止し得る。nitrogen-deficient.以下の説明においては、各種の化合物半導体層を成膜するときのMOCVD装置内の圧力を1.2気圧に設定した。MOCVD装置内の圧力を常圧としてもよい。gasを加熱し、サファイア基板10の表面の酸化物を除去する。次に、MOCVD法に基づき、GaNから成るバッファ層11をサファイア基板10上に形成する。各層の形成においては、Ga源としてトリメチルガリウム(TMG)ガスを用い、N源としてアンモニアガスを用いればよい。n型不純物としてケイ素(Si)を添加したn型GaN層から成るn型ガイド層14を、順次、成長させる。source,Al源としてトリメチルアルミニウム(TMA)ガスを用いればよい。N(但し、X≧0)の混晶層を積層した多重量子井戸構造を有する活性層15を形成する。of.尚、In源としてトリメチルインジウム(TMI)ガスを用いればよい。source.【0049】活性層15を成長させた後、活性層15上に、p型不純物としてマグネシウム(Mg)を添加したp型GaNから成るp型ガイド層16、p型不純物としてマグネシウム(Mg)を添加したp型AlGaN混晶層から成るp型クラッド層17、p型不純物としてマグネシウム(Mg)を添加したp型GaN層から成るp側コンタクト層18を、順次、成長させる。Mg源として、シクロペンタジエニルマグネシウムガスを用いればよい。gas.【0050】その後、実施例1にて説明したと実質的に同様の方法で、例えば、熱風乾燥装置を使用して、熱処理を行う。゚C、熱処理時間を84時間(3.5日間)とした。これによって、p型ガイド層16、p型クラッド層17、p側コンタクト層18に含まれるp型不純物が活性化され、且つ、これらの各層の電気抵抗率の低下を図ることができる。15,n型ガイド層14、n型クラッド層13を選択的に除去し、n側コンタクト層12を露出させる。exposed,例えば、白金(Pt)層及び金(Au)層を順次蒸着して、p側電極19を形成する。n側電極20を形成する。その後、加熱処理を行うことによって、n側電極20を合金化する。して、図4に模式的な断面図を示す半導体レーザを完成させることができる。FIG.【0052】以上、本発明を、好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例において説明した条件や各種数値、使用した材料等は例示であり、適宜変更することができる。成る各層の形成は、MOCVD法に限定されず、MBE法、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法等によって行うこともできる。GaN基板、SiC基板を用いることができる。実施例においては、半導体素子として半導体レーザを挙げたが、発光ダイオード(LED)や、HBT等のトランジスタも、本発明の半導体素子の製造方法を適用することができる。低抵抗化、活性化を図ることができる。低抵抗化、活性化を確実に図ることができる。reliably.更には、本発明の第3の態様に係る方法においては、酸素ガスが含まれ、あるいは又、水蒸気が含まれた雰囲気において熱処理を行うが故に、熱処理温度の下限値を従来の技術と比較して低下させることが可能となる。窒素原子が乖離することを確実に防止し得る。構成する原子(例えば、In)の拡散による超格子構造における界面の急峻性の崩壊が生じ難く、例えば半導体レーザの活性層を劣化させることが少なく、高品質の半導体レーザを製造することができる。゚C未満とすれば、一度に大量の処理が可能となり、半導体素子の量産化に充分対応可能である。表面が酸化され難くなる。表面に形成された酸化膜の除去が容易となる。゚Cにおけるホール係数測定結果に基づくキャリア濃度を示すグラフである。゚Cにおける電気抵抗率を示すグラフである。キャリア密度Cを変えたときの、熱処理温度Tと熱処理時間tの関係を示すグラフである。t.【図4】半導体レーザの模式的な断面図である。