未分類サイト内検索このサイトについてレバレッジ特許翻訳の受講における進捗報告のためのブログ。管理人についてLinux&ハード系エンジニアもどきを経て,北国へ移住。keta)をこよなく愛する。何でもやってみたい知りたがり。翻訳者ディレクトリに登録しています。Insulator)について勉強したときのメモの一部。向上させる技術である。Insulator”(=絶縁物上のシリコン」)の名の通り、従来のMOSFETの基板の部分に絶縁物(酸化シリコン:SiO2)の層が埋め込まれ、その絶縁物上にドレインやソースが載っている。sapphire)で「(人工)サファイヤ上のシリコン」だったが、いくら人工とはいってもサファイアは高価すぎたので実用化に至らず、究極のトランジスタを作りたい!という夢で終わったらしい。SOI-CMOSデバイスの特長SOI技術を導入することで、トランジスタの空乏域がなくなるる。空乏域が無くなる、ということはバルク型のトランジスタで問題となっていた短チャネル効果をあまり気にしなくてもよくなる、ことにつながる。おける信号伝達損失の低減(接合容量低減)高周波性能の実現・基板を介したクロストーク等の誤動作を低減・ラッチアップ等の誤動作防止(完全分離構造)放射線入射によるソフトエラ耐性の向上(SOI薄膜化)作り方SOIの構造(=酸化シリコンをシリコンでサンドイッチしたもの)を持つウエハを作る方法は、おもに以下の3通りある。シリコン表面を酸化させて酸化シリコンを作ったウエハに、別のシリコンウエハを貼り合わせ、そのあとで重ねたウエハの厚みを削るシリコン基板にイオンを打ち込み、熱処理で酸化シリコンの相を内部形成するシリコンウエハ表面に形成した多孔質層(酸化シリコン)の上に、シリコンをエピタキシャル成長させる。そこに別のウエハを貼り合わせたあと、ウォータージェットで元の多孔質層から切り離す寄生のことなんかも書かないと中途半端かもしれないが、まぁそれはそれとして、今日はここまで。コメントをキャンセルメールアドレスが公開されることはありません。コメントデータの処理方法の詳細はこちらをご覧ください。