値に対するトランジスタの望ましくないズレに寄与する。果トランジスタを得ることである。【0007】本発明の更に1つの目的は、望ましいフロントチャネル特性を保持しつつ、より高いバックチャネルVtを有する、絶縁体を覆う半導体領域中に形成された絶縁ゲート電界効果トランジスタを得ることである。【実施例】SOIトランジスタ100の浮遊ボディノードはトランジスタの特性と特性の安定性においていくつかの問題を提供する。極とし、絶縁膜21をゲート誘電体とする寄生“バックチャネル”トランジスタの問題である。依存して、絶縁体膜21との界面近傍のボディノード22に沿ったドレイン−ソースの漏れ電流経路を提供する。ボディノード22の電圧がトランジスタのしきい値電圧に影響を与えることが知られている。バルクデバイスではMOSトランジスタボディノードは基板によってバイアスされているが、図1のトランジスタ100の誘電的に分離されたボディノード22は、ボディノード22とゲート電極27との間の容量性結合と、ボディノード22とソース領域23およびドレイン領域24との間のダイオード結合を許容し、それによってボディノード22を望ましくない電位にバイアスする。ドレイン近傍のキャリアが電子−正孔対を生成するのに十分高い電位にある場合にはインパクトイオン化が発生する。多数キャリアがドレインへ移動している間にソースへ向かって移動する少数キャリアによってこれらの電子−正孔対はボディノード22とソース領域23との間に電位差を生じ、等価的なしきい値電圧を低下させ、またドレイン電流を増大させる(すなわち、よく知られた“キンク”効果)。【0009】ソースとボディとの間にコンタクトを形成するための1つの方法は、ボディノード22に隣接するソースおよびドレインの伝導形と逆の伝導形にコンタクト領域25を高濃度にドープすることである。領域25の表面へのコンタクトは、従ってボディノードへのコンタクトを形成することになる。コンタクト領域が図2aに示されたようにゲート電極のソース側にあれば、その場合はボディノードは以下に述べるように表面をシリサイド化することによってソースノードへつなぐことができる。これをソースへつながれたボディ(BTS)コンタクトと呼ぶ。シリサイド化によってソース領域へ接続されないのなら、このコンタクト領域25は一般的なボディコンタクトとして使用される。残りの図面を通して、図1の従来のトランジスタ100で使用されたのと同様の符号が同様の要素を指し示すために用いられる。法によってトランジスタのソース側の低濃度にドープされたドレイン領域26の下へ広がるように形成することができる。域25は、次にこの構造の表面28においてシリサイド化することによって互いに接続され、それによってソース領域がボディノードへつながれる。ボディ電圧は、ボディコンタクトの打ち込み領域がトランジスタの内部に含まれる地点では制御されているが、ボディの他の部分との間には抵抗がある。【0010】ボディコンタクトの別の方法はトランジスタのタンク形成であり、その場合にはタンクがソースおよびドレインのウエルを取り囲み、ボディに対してコンタクトを形成する。【0011】本発明は付加的な面積を必要とせず、実際にチャネル幅両端間の抵抗を減ずる。以下の説明はSOI型のトランジスタについてである。横方向固相エピタキシー、多結晶シリコン、張り付け及びエッチバック、そして単結晶シリコン分離(例えば、SIMOXおよびFIPOS)を含むSOIにも適用できることを理解されるであろう。体材料、例えば絶縁体上のGeにも適用できる。図3aおよび図3bに示されたように、SOIトランジスタ200はボディの伝導形と同じ伝導形に高ドーズに打ち込まれた領域を、デバイスのボディ22中のソースおよびドレイン延長部26の下に有する。図3bに示されたようにデバイスの全幅に亘るこのポケット打ち込み領域32はボディコンタクトからデバイスの幅を横切る抵抗を低減する。図3bにはポケット打ち込み領域32の存在を示すために、ドレインおよびソースの延長部26は示されていない。【0012】本発明の1つの実施例はドレイン延長部26を低濃度にドープし、同時に故意にLDD(低濃度にドープされたドレイン)を拡張してバックゲートチャネルを等価的に長くすることである。チャネルが長くなるだけバックゲートチャネルが導通することは少なくなる。駆動能力を達成することも望ましい。ドレイン延長部の下のボディの高濃度ドーピング領域をポケット状に形成することによって、バックゲートしきい値電圧を増大させながらフロントゲートしきい値電圧を低く保つことができる。フロントチャネル特性に対するポケット打ち込み領域の影響を減らすために、ポケット打ち込み領域は図15に示されたように、ソースおよび/あるいはドレインの延長部に相対的にくぼませることができる。図16は図15に示されたように構築されたトランジスタの平面図である。LDD26とポケット打ち込み領域32の方向を示すために図16には側壁酸化物フィラメントは示されていない。【0013】もしソースへつながれたボディコンタクト(BTS)35がLDD26と、一方の側ではポケット打ち込み領域32との間に、また他方の側ではソース23との間に配置され、またポケット打ち込み領域と同じ伝導形であれば、表面上のシリサイド28を通してのボディとソースとの間のコンタクトは浮遊ボディ効果を減らすことができる。トランジスタ300が図4aに示されている。コンタクト領域はボディノードと同じ伝導形であるので、トランジスタのボディノード22とソース23との間に非整流性のオーミックなコンタクトが形成される。ポケット打ち込み領域の拡張によって可能となるソース領域中の深いBTSの配置は、コンタクトがチャネルに影響を及ぼさないようにすることの手助けとなる。この構造は、もし表面がシリサイド化されなければ一般的なボディコンタクト(すなわち、ソースへつながれていないもの)のために使用できる。この構造で、チャネルから表面コンタクトをより完全に取り除く目的のために、通常LDDのために用いられるものよりもソース延長部を長く形成することができる。【0014】第3の実施例は、ソース側だけポケットへのポケット打ち込みの少なくとも一部分をマスクすることであって、そのために漏れのあるソース−ボディ接合を生成する程度にまで追加の高濃度ドーピングを施すことができる。この漏れのある接合は、等価的に浮遊ボディ効果を低減することによって、ソースを介してのボディ電圧の制御を等価的に保証する。ゲート電極のそれぞれの側上に位置するn/p+領域はトランジスタの最上部に向かうLDD領域26と、トランジスタのベースへ向かう、LDD直下のポケット打ち込み領域32である。ボディはトランジスタのエッジで細長くなっており、コンタクトがボディに対して形成される。これはボディをソースへつなぐか、または外部電圧へつなぐのに使用される。明の好適実施例に従って構築されるトランジスタ300が図示されている。層21によって分離された、第1の伝導形のPにドープされたシリコン層50を示している。図6はシリコン層50をパターニングし、エッチングしてメサ構造60を形成した結果を示している。図7は、図8に示されたようにゲート27を堆積し、パターニングし、エッチングする前にゲート酸化物70を取り付けた状態を示している。形のN+にドープされた、低濃度ドープのソースおよびドレイン延長部26、LDDになる。形のP+形の深いホウ素の“ハロー(halo)”打ち込みによって図10に示されたようにソースおよびドレイン領域中に高濃度のP+領域が形成される。このドーパントはポケット打ち込み領域の伝導形を定める。ソースおよびドレイン領域になるはずの表面領域は後の段階で第2の伝導形のドーパントを補償ドープされることを指摘しておく。酸化物の堆積とエッチングを示している。図13で打ち込みとアニールによるドーピングは完了し、ソース領域23およびドレイン領域24中へ第2の伝導形のN+形の領域が形成され、これらは等価的にLDD26とポケット打ち込み領域32を定義する。コンタクトを形成するために通常の金属化処理が施される。一例として特定の元素P+およびホウ素が用いられたことを断っておく。他の元素または元素の組み合わせも使用可能である。P+は砒素で置き換えられるし、あるいは砒素と燐の組み合わせでもよい。相補形の構造もまた採用できる。【0017】以上の説明に関して更に以下の項を開示する。域、前記ボディノード部分を覆うゲート電極、を含むトランジスタ。方の延長部の下側に位置するトランジスタ。前記ドレインおよびソース領域の延長部がドレインおよびソースと同じ伝導形の低濃度にドープされた領域(LDD)であるトランジスタ。前記ソース側面が、ソースとボディとの間に漏れのある接合を生成するのに十分なドーズのボディと同じ伝導形の打ち込み行うことによって形成されるポケットであるトランジスタ。造の表面上のシリサイド化がソースとボディノードとの間の接続を実現できるようになったトランジスタ。造の半導体層の表面へ向かって延びてそれによってボディに何らかの電圧が供給されるようになったトランジスタ。極を堆積させ、パターニングし、エッチングすること。積させること、の工程を含む方法。第7項記載の方法であって、前記ドーピング工程が、前記第1の伝導形のドーパントイオンおよび前記第2の伝導形のドーパントイオンを打ち込むこと、打ち込まれたイオンをアニールして、拡散させること、を含んでいる方法。接して形成されており、また前記ソースおよびドレインのうちの少なくとも一方が前記ボディノード部分へ向かって延びる部分を含んでいるようなソース領域とドレイン領域、前記ボディノード部分から延びて前記ドレインとソースの少なくとも一方の延長部に相対的にくぼんで位置する前記第1の伝導形のポケット打ち込み領域であって、前記ボディノード部分よりも高濃度にドープされたポケット打ち込み領域、前記ボディノード部分を覆うゲート電極、を含むトランジスタ。導形の打ち込み領域32を含んでおり、BTSコンタクトまたは一般的なボディコンタクトを備えるか、または備えていない。ポケット打ち込み領域のみを備えることで、バックゲートしきい値電圧が増大してバックゲート電流の流れる可能性を減じている。果が最小化されている。シリサイド化によってソースとボディとの間にオーミックな接続が実現される。MOSトランジスタの断面図。MOSトランジスタの断面図と平面図。MOSトランジスタの別の実施例の断面図と平面図。【図5】本発明を実施するべき原材料となる絶縁体上のシリコンを示す図。【図6】本発明に従って構築されるSOIトランジスタであって、シリコンのパターニングとエッチングの後のメサ構造が形成された段階を示す図。【図7】本発明に従って構築されるSOIトランジスタであって、メサ構造上へゲート酸化物の堆積が行われた段階を示す図。【図8】本発明に従って構築されるSOIトランジスタであって、ゲート電極が形成された段階を示す図。【図9】本発明に従って構築されるSOIトランジスタであって、低濃度にドープされるソースおよびドレイン延長部の打ち込み段階を示す図。【図10】本発明に従って構築されるSOIトランジスタであって、ソースおよびドレイン延長部の直下に位置する“ポケット”の打ち込み段階を示す図。【図11】本発明に従って構築されるSOIトランジスタであって、側壁酸化物フィラメント層の堆積後の段階を示す図。【図12】本発明に従って構築されるSOIトランジスタであって、側壁酸化物フィラメント層のエッチング後の段階を示す図。【図13】本発明に従って構築されるSOIトランジスタであって、ソースおよびドレインの打ち込み後の段階を示す図。【図14】エッジからコンタクトを取ったSOIトランジスタ実施例の平面図。