ボディコンタクトとボディの離れた領域との間の抵抗を減じたSOIMOSトランジスタを得る。絶縁体上のシリコン(SOI)のMOSトランジスタ(200)が開示されており、それはドレイン(24)およびソース(23)の延長されたドレインおよびソース部分(26)の一方または両方の下側にボディと同じ伝導形の打ち込み領域(32)を含んでおり、BTSコンタクトまたは一般的なボディコンタクトを備えるか、または備えていない。ポケット打ち込み領域のみを備えることで、バックゲートしきい値電圧が増大してバックゲート電流の流れる可能性を減じている。ポケット打ち込み領域とボディコンタクトとを備えることで、浮遊ボディ効果が最小化されている。BTSコンタクトがソース中にポケット打ち込みの広がりと同程度に広がって位置していることのためにデバイスのチャネルに対する影響は無視できる。シリサイド化によってソースとボディとの間にオーミックな接続が実現される。【産業上の利用分野】本発明は集積回路とその製造方法に関するものであり、更に詳細にはSOIMOSトランジスタとその製造方法に関するものである。【従来の技術】集積回路の分野で絶縁体上のシリコン(SOI)の重要性が増大してきている。SOI技術は絶縁層を覆う半導体材料の層中にトランジスタを作製することを取り扱う。化シリコンの層を覆う単結晶シリコン層である。ここに開示される本発明は単一の層構造の他に複数の積層化された層構造を含むすべての構造のSOIに適用可能である。SOI技術を用いれば、バルク半導体中に作製された集積回路中に存在する寄生要素を削減することができるため、優れた特性と高い実装密度を有する集積回路が得られる。バルク中に作製されたMOSトランジスタに関してはソース/ドレイン領域と下層の基板との間の接合に寄生容量が存在し、またソース/ドレイン領域と基板領域との間の接合の破壊の可能性も存在する。寄生要素の別の例はバルク中のCMOS技術に存在する。そこでは隣接するウエル中のnチャンネルトランジスタとpチャンネルトランジスタによって構成される寄生バイポーラトランジスタがラッチアップの問題を引き起こす。SOI構造は寄生要素を大幅に軽減し、構造の接合破壊裕度を大幅に増大させるので、SOI技術は優れた特性を持つ高密度の集積回路に特に適している。結晶分離(例えば、SIMOXやFIPOS)を含む全てのSOI上に作製されたトランジスタに適用される。膜はトランジスタ特性に関して問題を提供する。由して容易に取ることができる。定されたバイアスはドレイン−ソース間の電圧に相対的な安定なしきい値電圧を供給する。従来のSOIトランジスタでは、ボディノードは下層の絶縁体膜によって基板から絶縁されているため、ボディノード(すなわち、ゲート電極下のボディ領域の内の空乏化されていない体積)は電気的に浮遊状態に置かれている。十分なドレイン−ソースバイアス下ではインパクトイオン化によってドレイン近傍に電子−正孔対が発生し、これは少数キャリアがドレインへ移動する間にボディノードへ向かって移動する多数キャリアによってボディノードとトランジスタのソースとの間に電位差をもたらす。この電位差は等価的なしきい値電圧を下げ、ドレイン電流を増大させ、よく知られた“キンク”効果を示す。曲線中に実際、キンクとなって現れる。体とする寄生“バックチャネル”トランジスタを提供する。