(C)2017,JPO&INPIT(JA)【課題】フラッシュメモリの読出し信頼度を向上させる。【解決手段】エラーカウントテーブルが、フラッシュメモリデバイスのワード線の読み出しに基づいて生成され、テーブルは、ワード線と、ワード線の読み出しに使用される各読み出しレベル電圧との各組合せのエラーカウントを記憶する。複数のオフセットワード線グループが、エラーカウントテーブルに基づいて生成され、各グループは、異なる読み出しレベルオフセット電圧を複数のワード線アドレスに関連付ける。記憶デバイスは、読み出すメモリセルのワード線アドレスに関連付けられた、生成されたオフセットワード線グループの読み出しレベルオフセット電圧を使用してメモリセルを読み出すように構成される。各メモリブロックのライフサイクルでの所定の時点後、テーブルが再生成され、複数のオフセットワード線グループが、再生成されたエラーカウントテーブルに基づいて再生成される。