向け、配線の更なるファインピッチ化が要求されている。Process(以下、SAP)がより微細な配線形成には有利である。その中でも近年はMSAPが注目されており、微細配線形成はSAPに劣るものの、サブトラクティブ法よりもファインピッチ化が可能な事より、スマートフォンに搭載されるマザーボードへの展開が進められている。理由としては、微細配線を形成することで積層層数の削減が可能となり、プリント配線板をより薄く、小型化することができるためである。当社では、微細配線形成に必要とされる工程において、フォトリソグラフィー工程を除く全てのプロセスを取り揃えている(図1)。本報では微細配線形成のためのMSAPに関わる製品をピックアップして紹介する。LIZATRONLIZATRONは、デスカムから無電解めっきまでを一連とした無電解めっきプロセスである。キャタライザーは、塩酸タイプのPd-Snコロイドを使用しており、アクセレレーターにて余分なSnコロイドを除去することで効率よく金属Pdを析出させることが可能である。これにより、低濃度のキャタライザーでも密着性が確保でき、かつPdの削減が見込める。性能に関しては、更に改良を検討し、従来に比べてBVH底部への析出性を向上させる事ができる。ビア底部付き回り性(120μmφ、d=70μm)図2より、ビア壁面底部への付き回り(ビア下部/ビア上部)が、従来製品では70%であるのに対し検討浴では2倍の140%と高い性能であることを示している。浴安定性に関しては、シアン非含有でありながらシアン浴とほぼ同等である(現在開発中)。LIZATRONは、デスカムから無電解めっきまでを一連とした無電解めっきプロセスである。キャタライザーは、塩酸タイプのPd-Snコロイドを使用しており、アクセレレーターにて余分なSnコロイドを除去することで効率よく金属Pdを析出させることが可能である。これにより、低濃度のキャタライザーでも密着性が確保でき、かつPdの削減が見込める。性能に関しては、更に改良を検討し、従来に比べてBVH底部への析出性を向上させる事ができる。ビア底部付き回り性(120μmφ、d=70μm)図2より、ビア壁面底部への付き回り(ビア下部/ビア上部)が、従来製品では70%であるのに対し検討浴では2倍の140%と高い性能であることを示している。浴安定性に関しては、シアン非含有でありながらシアン浴とほぼ同等である(現在開発中)。WDウェットデスカム(以下、WD)は、ファインピッチなドライフィルムレジスト(以下、DFR)パターン間に現像工程にて残留したDFR残渣をウェットプロセスにより除去することで、後工程で発生するアンダーカットを抑制可能なプロセスである。WDの有無および、プラズマ処理との性能比較を図3に示す。効果としては、プラズマ処理とほぼ同等のアンダーカット抑制効果が確認できる。処理時間が10秒前後と短時間であるため、既存の現像装置を改良して導入することが可能であり、生産性の低下も無い。WD、プラズマ処理アンダーカット比較(L/S=10/10μm)ウェットデスカム(以下、WD)は、ファインピッチなドライフィルムレジスト(以下、DFR)パターン間に現像工程にて残留したDFR残渣をウェットプロセスにより除去することで、後工程で発生するアンダーカットを抑制可能なプロセスである。WDの有無および、プラズマ処理との性能比較を図3に示す。効果としては、プラズマ処理とほぼ同等のアンダーカット抑制効果が確認できる。処理時間が10秒前後と短時間であるため、既存の現像装置を改良して導入することが可能であり、生産性の低下も無い。PB-280PB-280は、従来に比べ同等の高い洗浄力を保持し、かつ低発泡タイプの酸性クリーナーである。DFRパターンへのアタック性も抑制されるのでDFRファインパターンに対して剥れや配線蛇行などを低減できる。DFRパターンへの影響(L/S=7/7μm)PB-280は、従来に比べ同等の高い洗浄力を保持し、かつ低発泡タイプの酸性クリーナーである。DFRパターンへのアタック性も抑制されるのでDFRファインパターンに対して剥れや配線蛇行などを低減できる。VF6当社主力製品でもある電解硫酸銅めっきとしては、スルーホール、ビアフィリング及びパターンめっきなどニーズに適したプロセスを数多く揃えている。VF5はSAP用途に開発したもので、開口径φ15、20μmの小径ビアに対し表層膜厚5μmで良好なフィリング性が得られ(図5)、更に、高硫酸濃度にて使用可能であることから面内均一性の優れためっき膜厚が確保できるので、今後のMSAPにも有利である。VF6を開発し、従来製品と同等のフィリング性を有し、かつ面内均一性を約20%向上させることができる(図6、7)。膜厚:16μm)当社主力製品でもある電解硫酸銅めっきとしては、スルーホール、ビアフィリング及びパターンめっきなどニーズに適したプロセスを数多く揃えている。VF5はSAP用途に開発したもので、開口径φ15、20μmの小径ビアに対し表層膜厚5μmで良好なフィリング性が得られ(図5)、更に、高硫酸濃度にて使用可能であることから面内均一性の優れためっき膜厚が確保できるので、今後のMSAPにも有利である。VF6を開発し、従来製品と同等のフィリング性を有し、かつ面内均一性を約20%向上させることができる(図6、7)。空気中に含まれる炭酸ガスとの反応に伴い、炭酸塩類が蓄積してDFRの剥離性能が低下することが懸念されている。浴寿命評価データを図8に示す。SUの浴寿命は従来の約1.8倍であることが確認できている。これにより処理液空け替え等の作業ロスの低減が図れ、コスト低減に貢献できると考える。空気中に含まれる炭酸ガスとの反応に伴い、炭酸塩類が蓄積してDFRの剥離性能が低下することが懸念されている。浴寿命評価データを図8に示す。SUの浴寿命は従来の約1.8倍であることが確認できている。これにより処理液空け替え等の作業ロスの低減が図れ、コスト低減に貢献できると考える。POFフラッシュエッチング(シード層除去)工程においては、配線の細りを最小限に抑えて、かつ矩形配線形成が要求される。当社では、高い矩形配線が形成可能な過酸化水素/硫酸系のFE-830IIを展開している。一般的に過酸化水素/硫酸ベースのエッチング液は粒界腐食性が高いため、部分的な過剰腐食(以下、ピット)が発生することが多い。めっき析出不良を引き起こすことが懸念されており、MSAPにおける微細配線形成の課題の一つとされている。その対策として、現在はエッチング前に加熱処理(アニール)が一般的ではあるが、生産性の低下から短時間、更には熱処理回避等の要求が高まっている。このような背景の中、当社はピット抑制効果を有するフラッシュエッチング液POFを開発した。POFの性能について図9、10に示す。図9よりPOFは従来(FE-830II)とほぼ同等の矩形配線を形成できる。ピット抑制効果に関しては、パターンめっき直後(熱処理無し)の状態においても従来の1/10程度までにピットを抑制できる(図10)。150°Cのアニール処理を加えることで、ピット抑制効果が向上し、当社試験では最短で5分の処理で効果が得られた。ピット抑制効果フラッシュエッチング(シード層除去)工程においては、配線の細りを最小限に抑えて、かつ矩形配線形成が要求される。当社では、高い矩形配線が形成可能な過酸化水素/硫酸系のFE-830IIを展開している。一般的に過酸化水素/硫酸ベースのエッチング液は粒界腐食性が高いため、部分的な過剰腐食(以下、ピット)が発生することが多い。めっき析出不良を引き起こすことが懸念されており、MSAPにおける微細配線形成の課題の一つとされている。その対策として、現在はエッチング前に加熱処理(アニール)が一般的ではあるが、生産性の低下から短時間、更には熱処理回避等の要求が高まっている。このような背景の中、当社はピット抑制効果を有するフラッシュエッチング液POFを開発した。POFの性能について図9、10に示す。図9よりPOFは従来(FE-830II)とほぼ同等の矩形配線を形成できる。ピット抑制効果に関しては、パターンめっき直後(熱処理無し)の状態においても従来の1/10程度までにピットを抑制できる(図10)。150°Cのアニール処理を加えることで、ピット抑制効果が向上し、当社試験では最短で5分の処理で効果が得られた。ETSプロセス用のフラッシュエッチング処理等の一連の製品も保有している。エニーレイヤーからMSAP化への転換期である現在、当社は単一プロセスの提案ではなく、その前後含めたトータルプロセスでの全体最適として、ファインピッチ化をはじめとする、次世代技術発展に貢献できるよう努めていきたい。