強制対流による基板上のICの放熱(過渡解析)本例題について基板上で一定の発熱量で発熱するICを強制対流で放熱させる過渡解析例を示します。温度分布や熱流束ベクトルを解析結果として見ることができます。標準メッシュサイズ:5[mm]過渡解析タブにて以下のように設定しています。トータルのステップ数は20で時間ステップは60秒としていますので初期温度25度から20分間における温度分布の変化を解析することができます。[deg]計算時間短縮のため、収束判定を大きく設定します。高度な設定タブにて以下のように設定しています。直方体のソリッドボディを定義し、空気(000_空気)の材料を設定します。左側の辺に流入、右側の辺に流出の境界条件を設定しています。境界条件を設定していない上下の辺には、外部境界条件を使用し、スリップ壁を設定します。内部に基板(VOL1))とIC(VOL2)をソリッドボディで定義します。※材料データベースを利用アルミナ材料データベースには比熱が設定されていないので、設定します。材料定数名タブ設定001_アルミナ比熱800[J/kg/deg]発熱量タブにてIC(VOL2)を以下のように設定しています。後の温度分布の解析結果を示します。温度スケールの最大値と最小値は55[deg]、25[deg]としています。基板とICの温度分布が見やすいように、空気ボディを選択し、右クリックメニューから「ボディのフィールドを非表示」を選択し、空気領域のフィールドを非表示にしています。徐々に温度が上昇していく様子が確認できます。1[min]5[min]20[min]また、IC上側中央部:座標(0,0,3)の温度変化をグラフプロットしたものを以下に示します。こちらからも徐々に温度が上昇していることが確認できます。