π-MOSIXシリーズ:スイッチング電源向けの600V耐圧プレーナMOSFET東芝デバイス&ストレージは、600V耐圧のプレーナMOSFET「π-MOSIX(パイモスナイン)」シリーズの量産を開始した。従来製品の「π-MOSVII(パイモスセブン)」シリーズに比べ、EMIノイズピーク値を5dB低減した。東芝デバイス&ストレージは2018年1月、600V耐圧のプレーナMOSFET「π-MOSIX(パイモスナイン)」シリーズの量産を開始した。ドレイン電流11Aの「TK650A60F」、同10Aの「TK750A60F」、同6Aの「TK1K2A60F」、同3.7Aの「TK1K9A60F」をそろえた。600V耐圧プレーナMOSFET「π-MOSIX」シリーズチップデザインを最適化したことで、従来製品の「π-MOSVII(パイモスセブン)」シリーズに比べてEMIノイズピーク値を5dB低減した。定格電流(DC)と同等のアバランシェ電流定格を確保している。オン抵抗は、TK650A60Fが最大0.65Ω、TK750A60Fは最大0.75Ω、TK1K2A60Fは最大1.2Ω、TK1K9A60Fは最大1.9Ω。ゲート入力電荷量は、それぞれ34nC、30nC、21nC、14nCとなる。主な用途として、ノートPC用ACアダプター、ゲーム機チャージャーなどの中小型スイッチング電源、照明用電源などを見込む。今後、同耐圧でのラインアップ展開や500V、650V耐圧品を展開するとしている。DK5」シリーズを発表した。さまざまな電力変換トポロジーの効率を最大化する。P7」ファミリーを発表した。Gold」を発表した。用途で電力密度を高めることができる。MOSFET「LSIC1MO120E0080」シリーズを発売した。定格電流は25Aで、通常オン抵抗は80mΩ、最大150°Cの温度で動作する。MOSFETの実効容量値を簡単に求める術MOSFETのデータシートには、1つの測定電圧での出力静電容量値が記載されています。この値は、従来のプレーナ型MOSFETには有効でしたが、スーパージャンクションなど複雑な構造を用いる最新のMOSFETの評価には適していません。本稿では、最新のMOSFETの評価に有効な実効容量値を、より簡単に求める方法を探っていきます。DC-DCコンバータのノイズ対策[理論編]スイッチング方式のDC-DCコンバータは、その仕組みから、ノイズの発生源となってしまう可能性がある。これを避けるために、設計者は適切な対処法を知っておかなければならない。本企画では、2回にわたり非絶縁型/スイッチング方式のDC-DCコンバータのノイズ対策について実践的に説明する。今回は『理論編』として、ノイズの種類やノイズの発生メカニズムを中心に解説を行う。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。