マーケットニュースインフィニオンテクノロジーズは、高電圧パワーMOSFET「CoolMOS」の第2世代を発表しました。抵抗の大幅な低減を実現しました。第2世代の「CoolMOS-C2」では、オン抵抗の大幅な低減に加えて、スイッチング損失の大幅な低減が達成されました。Sinks)」を推進するインフィニオンが打ち出した新段階の先端技術です。世代の電源装置は、電力密度の向上、小型化の達成、システム統合の高度化(以上を要約すると高密度実装)を目指しています。「CoolMOS-C2」は、こうした装置の開発を可能にします。先が低コストのシステムソリューションを設計することを可能にするでしょう。くの新しいアプリケーション分野に適用可能な技術を提供するとともに、寿来アプリケーションに対してもコスト効率のすぐれた代替を提供します」と、話しました。Semicondutor)技術です。来プロセスによる同面積のチップと比較して、オン抵抗を5分の1から10分の1に低減することを可能にします。横方向でも降下します。この3次元的に折り返した構造により、ドリフト領域の層を薄くし、同時にドーピング濃度を高めることが可能になります。イッチング時間を短縮するために、新しいゲート構造が採用されています。その特長は、ゲートフィンガとゲートリングが追加されたことです。「CoolMOS-C2」の600V系列には、標準的な各種パッケージの製品が用意されています。800V系列もD-PAK、D2PAK、TO-220パッケージが製品化されています。