34mA偏置时,20dBm和10dBm的P1dB。GHz的应用,采用SOT-89标准塑料封装。可提供卓越的RF性能。这个高增益0.10W增益模块系列有2个器件。GSM,CDMA和UMTS加上下一代LTE频段。可以减少所需的RF级总数。45mA偏置时,23dBm和P1dB为13dBm。GHz的应用,采用SOT-89标准塑料封装。可提供卓越的RF性能。此高增益0.25W增益模块系列有2个器件。GSM,CDMA和UMTS加上下一代LTE频段。可以减少所需的RF级总数。GaAs增强模式pHEMT工艺实现增益模块MMIC放大器。