可取代體積更大的D2PAK和D2PAK-7封裝。與D2PAK器件相比減小了60%;另外LFPAK88器件的高度更低,因而總體積減小了86%。500μm(由于連接的T型柱尺寸)。在D2PAK中使用的三條500μm直徑的焊線增加了MOSFET的總RDS(on)值。[注:0.55m?的LFPAK88器件正在T9平臺上開發]。再加上D2PAK的長引腳,電感值達到5nH。因而電感值僅為1nH。/質量問題。0.43K/W;LFPAK88的熱阻為0.35K/W。發揮分立式MOSFET的潛能。