因此,总和A大于总和B。2b、2c、2d、2e的面积的总和。IGBT难以破坏,IGBT的破坏耐量提高。2下面,参照图4说明实施例2的IGBT。13a,其他形成为与图2相同。N型基极区域31、32,所以,具有与图2的实施例I相同的效果。该FET的半导体衬底Ib相当于将图2的IGBT的半导体衬底I的N+型缓冲区域6和P+型集电极区域7置换成N+型漏极区域40后的衬底。图5的N+型源极区域3'、P型基极区域4'、N型漏极区域31'、N—型漏极区域32'与图4的N+型发射极区域3、P+型基极区域4、第一N型基极区域31、以及第二N型基极区域32同样地形成。与图2的发射电极12相对应的图5的源极电极12'连接到N+型源极区域3'和P型基极区域4'。与图2的集电极13相对应的图5的漏电极13'连接到N+型漏极区域40。