(trench)结构半导体装置。如图I所示,典型的沟槽结构IGBT在半导体衬底I'之中具有多个沟槽2。半导体衬底I'具有N型发射极区域3、P型基极区域4、K型基极区域5、Ν+型缓冲区域6、P+型集电极区域7、公知的Ρ_型降低表面电场(RESURF)区域8、N+型沟道截断环区域9。发射电极12形成在半导体衬底I'的一个主面21的凹部33、34之中以及绝缘膜36之上,并连接到N型发射极区域3和P型基极区域4,集电极13在半导体衬底I'的另一个主面22连接到P+型集电极区域7。由此,在与沟槽2相邻的P+型基极区域4形成沟道,从集电极13向发射电极12流过电流。由此,P型基极区域4的沟道消失。如虚线所示,耗尽层14'扩展。在外侧沟槽2b的附近,容易发生击穿。2b的附近,存在导致IGBT破坏的危险。为了减弱外侧沟槽2b附近的电场强度,考虑在外侧沟槽2b的外侧形成P型基极区域4较深的部分。导致半导体衬底I'的平面尺寸变大。:日本特开2005-57028号公报。(例如,第二N型基极区域)高的杂质浓度。2的IGBT的半导体衬底I的表面。此外,图2表示相当于图3的AA线的部分。25、26,形成为四角形。