在半导体衬底I的一个主面21的凹部33、34形成有发射电极12。另外,为了将由沟槽2分割的多个N+型发射极区域3相互连接,设置有覆盖栅电极11和N+型发射极区域3之上的绝缘膜36,并且发射电极12在其上延伸。对于图2示出的IGBT来说,除了第一N型基极区域31,实质上形成为与图I的现有的IGBT相同。3以及发射电极12的路径流过电流。P型基极区域4的沟道消失,IGBT变为截止状态。N型基极区域31、32侧,如在图2中用虚线所示那样,耗尽层14扩展。