包含图7的半导体衬底Id的IGBT的剖面本质上与图2相同。Id的内侧沟槽2a2的内部部分(第一部分)容易发生击穿。例如,可进行如下变形。(2)在图2以及图4的IGBT中,在外侧沟槽2b的外侧也能够设置N+型发射极区域3。2b的内侧相邻的N+型发射极区域3。(3)在图5的FET中,也能够在外侧沟槽2b的外侧设置N+型源极区域3'。2b的内侧相邻的N+型源极区域3'。21^的N+型发射极区域3a。l、lb的一个主面21侧。是,也能够为W1=W2。