2an、2a12、第一〜第四外侧沟槽2b〜2e的深度彼此相同。2b、2c、2d、2e的面积总和。;N+型沟道截断环区域9。N—型(比较低的杂质浓度)的第二N型基极区域32的组合构成。下面,详细说明各区域。该N+型发射极区域3利用公知的N型杂质扩散形成。2an、2a12、第一〜第四外侧沟槽2b〜2e相邻的方式形成。I的一个主面21的表面。这些凹部33、34以使P型基极区域4露出的方式形成。因此,沟槽2贯通P型基极区域4。在IGBT的导通动作时,在P型基极区域4的与沟槽2相邻的部分形成有N型沟道(电流通路)。2an、2a12相邻。2an、2a12的半导体衬底I的内侧部分(第一部分)。以半导体衬底I的一个主面21为基准的第一N型基极区域31的最大深度比沟槽2深。2an、2a12的前端位于第一N型基极区域31中。此外,从半导体衬底I的一个主面21扩散N型杂质,由此,形成N型第一基极区域31。