光学遷移が直接型でありバンドギャップが可視光領域にあることから、光センサーや発光素子への応用が期待できます。今までに、ガラス基板上で基板温度300°Cにて結晶化する方法を見出してきました。写真はGaS結晶のSEM像(8万倍)です。100°C以下の低温結晶化を目指し、基礎理論に基づいた装置の改良を進めてきています。現在までに有機基板(カプトンテープ)上に多結晶GaS薄膜を示す結果を得ています。結晶性向上へ向け研究を推進しているところです。その他、産学共同の研究テーマとして、反応性スパッタリング法を用いた酸化プロセスの高速化をテーマに行っています。酸化膜のSiO2、TiO2は透明であり、それぞれの屈折率が違うことを利用し、反射防止膜など光学フィルターとして応用されています。通常の反応性スパッタリング法にバイアスを印加することによって、プラズマ分布を変化させ、より高速に酸化が促進する手法を見出してきました。近年のプリント基板の微細化に対応した銅薄膜プロセスについても産学共同で研究を行っています。本研究室では有機材料と銅金属との界面状態を、ナノ領域レベルの基礎理論に基づいて、分析・検討しているところです。プロセス技術の研究成果を通じて、社会へ貢献していきたいと考えています。