etching)后,进行杂质的扩散,形成分离部20。例如由绝缘层形成,该绝缘层由Si02形成。Si02.在保护膜16上形成有信号导线3及电阻4。信号导线3的读出部3a及电阻4在分离部20的上方形成。(铟锡氧化物)形成的层)。manner.在此,参照图3,说明各光检测通道10与信号导线3及电阻4的连接关系。10与信号导线3及电阻4的连接关系的图。(通道外周部3c)直接连接。(通道外周部3c)与p—型半导体层13电连接。的另一端部4b分别经由连接部3b而连接于读出部3a。10被吸收,产生载流子。一边移动,在各倍增区域AM进行倍增。f型半导体层13构成。10之间的分离部20实现。pn结的端部(边缘)。10的pn结设置保护环。between.在光电二极管阵列1中,信号导线3的读出部3a在分离部20的上方形成。进入倍增区域,成为余脉冲。1的第1变形例的截面图。多个(本变形例中为2个)分离部20在光检测通道IO之间形成。1的第2变形例的截面图。仅在上面(被检测光入射面)附近形成。