[0015]【作用及び発明の効果】所望の元素とともに窒素をイオン注入するので、イオン注入により窒素原子が抜けるなどして窒素原子が不足となるのを補償することができる。これにより、イオン注入した領域において、窒素原子数と、イオン注入した所望の元素の原子数とIII族の原子数の差が大きく異なることがなくなり、窒素空孔の発生が抑えられ、イオン注入した所望の元素がIII族元素サイトに配置する(請求項1)。1000°C以上の温度でアニールすれば、窒素空孔の発生が抑えられ、イオン注入した所望の元素がIII族元素サイトに配置することが確実となる(請求項2)。このとき、所望の元素の深さ方向の密度分布と、注入により窒素以外の主たる構成元素に比し過剰となった窒素の深さ方向の密度分布が、略一致するようにすれば、窒素原子数と、イオン注入した所望の原子数とIII族の原子数の和が略等しくなり、更に効果が増す(請求項3)。3).【0016】イオン注入する元素がドナー又はアクセプタであれば、高い活性化率を有するn型領域、p型領域を形成することができる(請求項4、請求項5)。得ることができる(請求項6、請求項7、請求項8)。その他の半導体素子としての様々なドーパントに応用できる。それらはダイオード、トランジスタその他の回路素子又はそれらを集積した素子とすることができる。implantation,本願請求項6乃至請求項8の発明に包含される。[0018]【発明の実施の形態】〔第1実施例−本願の効果の証拠〕本発明の具体的な第1の実施例として、ノンドープの高抵抗GaN表面に、次のように条件を変えてGeをイオン注入し、熱アニールを施した。(MOCVD)を用いた周知の方法によりGaNを2μmの厚さに形成した。このGaN膜は不純物のドープを行わず、高抵抗を示した。-2とし、加速電圧をそれぞれ図1の条件とした。surfaceで被膜し、水素雰囲気中、1300°Cで熱アニールを行った。5分又は2分で行った。chip,ホール効果によるキャリア密度測定を行った。)」の欄の通りとなった。ここからGe原子の活性化率(注入したGe原子数に対する発生したキャリア数)を図1の通り求めた。here.【0020】また、熱アニール前に試料番号1乃至4について、チップの一部を裁断して、深さ(単位nm)に対する注入Ge原子及びN原子の分布を測定した。+のみイオン注入)は比較例である。examples.【0022】図1から、次のことが言える。92%、64%、60%を得た。(窒素空孔によるドナー発生)との差がGe原子によるキャリア発生と見るべきであり、これにより活性化率は57%とすべきである。3,4におけるGe原子によるキャリア発生よりも1けた小さいと言える。試料番号2、3、4の活性化率の算出においても試料番号6の結果による補正を行った。熱アニール時間の短い試料番号7、8においては、試料番号1、4との比較において、1けた小さいキャリア密度となっている。これは、そもそもアニール不十分により結晶内原子の再配置が完結せず、伝導度が下がったものと言うことができる。2から、次のとおり説明できる。+イオンのドーズ量と加速電圧が同じであり、Ge原子の深さ方向の分布にほとんど差がないことがわかる。+イオンのドーズ量を一定として、加速電圧を変化させたので、N原子の深さ方向の分布には大きな差が生じたことがわかる。.【0024】試料番号2(本発明の実施例)においては注入したGe原子の深さ方向の分布と、N原子の深さ方向の分布とがほぼ一致していることがわかる。これに比して、試料番号3(本発明の実施例)、試料番号4(本発明の実施例)の順に、Ge原子の深さ方向の分布とN原子の深さ方向の分布がずれ、注入されたGe原子とN原子の数(又は密度)がどの深さにおいても大きく乖離していく様子がわかる。実質的に、Ge原子の存在する深さにおいて、試料番号3、4(本発明の実施例)は、試料番号2(本発明の実施例)よりも試料番号1(比較例)に近いものとなっている。ここから図1に示した活性化率の差は、深さに対して注入されたGe原子とN原子の数(密度)の一致の度合いが大きいほど活性率が高く、一致の度合いが小さいほど活性率が低いものとして説明できる。原子)とN原子の数(密度)の一致の度合いが大きいほど、熱アニール等により注入された原子のGaサイトへの配置が確実となり、且つ熱アニール等により窒素空孔を生じることが少なくなる。2,本願発明の効果が証明された。III族窒化物半導体に主たる構成元素以外の元素をイオン注入する際、窒素をイオン注入することで、注入された構成元素以外の原子のGaサイトへの配置が確実とすることができ、また、窒素空孔を生じることも抑制できる。熱アニール等は十分に行うことがよく、窒素脱離を防ぐためマスクを形成して1000°C以上の温度で熱アニールすることが望ましい。注入された構成元素以外の原子と窒素とは、深さ方向の密度分布が略一致することが望ましい。coincident.【0026】〔第2実施例〕III族窒化物半導体に対しアクセプタ(p型不純物)として働く元素としてMgを用い、耐圧を向上させる為のガードリングを形成したショットキーダイオード200を次のように作製し、本願発明効果を調べた。300の断面図を示す。00.【0027】サファイア基板21上に厚さ4μmのアンドープGaN22を形成した。350μmのドーナツ状の窓を開け、n-GaN膜22面を露出させた。注入エネルギー20〜200keVにてイオン注入した。20~200KeV.尚、これによりMgとNは深さ約0.5μmまで略同一の密度分布で注入された。CVD膜を500nmの厚さでn-GaN膜22全面に形成した。次に水素雰囲気中1300°Cで5分アニールし、MgのGaサイトへの配置とアクセプタとしての活性化を行った。way,n-GaN膜22表層にドーナツ状のp-GaN:Mg領域23が形成された。23を含めたn-GaN膜22面を露出させた。これを窒素雰囲気中300°Cでアニールし、直径500μmの窓を有するAl膜24をn-GaN膜22のオーミック電極とした。500nmのAl膜252を形成してショットキー電極25とした。して作製したショットキーダイオード200の構成を図3に示す。100nmのPt膜251、膜厚500nmのAl膜252からなるショットキー電極25のみ形成したショットキーダイオード299についても作製した。nm.【0030】これらショットキーダイオード200(本実施例)並びに209及び299(比較例)のIV特性を図4に示す。+イオンをMgとNを略同一の密度分布となるよう注入したのち熱アニールした本実施例に係るショットキーダイオード200は、逆方向電位に対し、200V以上の耐圧を有することがわかる。299(p-GaN:Mg領域無し)は100Vの逆方向電位耐圧しか有さない。この結果は、ショットキーダイオード200において、低抵抗p型層が形成されることによりショットキー電極25エッジ部での電界集中が緩和されたことを示しており、本願発明により、p-GaN:Mg領域のMgの活性化率が向上したことを意味する。1/100程度の場合でも一定の効果が見られた。III族原子サイトへの注入原子の配置を促進させ、窒素空孔発生の抑制をもたらすものである。Zn)の他、例えば発光中心として働く元素(例えばEr、Euなどの希土類元素、Mnなどのその他の遷移元素)、絶縁性を高めるための元素(例えばCr、Fe、V、Niなどの深いアクセプタ準位を形成する元素)の導入など、あらゆる目的について、III族窒化物半導体へのイオン注入に適用できる。inventionIII族窒化物半導体の製造方法は、任意の不純物がイオン注入された領域を有するIII族窒化物半導体に適用できるのであり、これを用いることのできる半導体素子は、およそIII族窒化物半導体を用いる全ての半導体素子である。DRAWINGS【図1】本発明の第1実施例におけるイオン注入条件等とGe原子の活性化率の関係を示す表図。FIG.【図2】本発明の第1実施例における、異なる4つのイオン注入条件による注入されたGe原子及びN原子の密度分布。conditions.【図3】本発明の第2実施例における、ショットキーダイオードの構成を示す断面図。diode.【図4】本発明の第2実施例におけるショットキーダイオードのIV特性を、比較例と共に示したグラフ図。前記主たる構成元素以外の元素に加え、窒素をイオン注入することを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法。temperatureIII族窒化物半導体の製造方法。2に記載のIII族窒化物半導体の製造方法。atomsIII族窒化物半導体の製造方法。III族窒化物半導体のアクセプタ原子となる元素であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体の製造方法。