[0001]【発明の属する技術分野】本発明はIII族窒化物半導体の製造方法に関する。詳しくは、不純物イオンの打ち込みによる、ドープ又は組成の変化を生じた領域を有するIII族窒化物半導体の製造方法に関する。substrate,III族窒化物半導体に不純物をイオン注入(イオン打ち込み)してp及びn型領域を形成する研究は既に報告がある。pp.2729-2731及び参考文献に記載がある。これらはいずれもn型領域を形成するためにドナー元素(例えばSi)のみ、p型領域を形成するためにアクセプタ元素(例えばMg)のみ、をイオン注入するものである。イオン注入の後、熱アニールによりイオン注入により新たに生じた結晶欠陥を回復して結晶性を高め、注入原子をGa等III族原子サイトに配置させることで注入原子のドナー或いはアクセプタとしての活性化を図っている。[0003]【発明が解決しようとする課題】しかし、熱アニールのみではイオン注入により新たに生じた結晶欠陥のすべては回復しない。その結果、イオン注入前よりも結晶欠陥の増大したIII族窒化物半導体となってしまう。Also,熱アニールのみでは、注入した原子のドナー或いはアクセプタとしての活性化は十分でない。注入した原子の活性化率が余り向上しないという問題があった。much.【0004】本発明者らは検討を重ね次のような原因が上記問題に寄与しているものと考えた。第1に、イオン注入に際し、III族窒化物半導体の窒素原子が注入イオンの衝撃で結晶から脱離しやすいこと。熱アニールの際にも窒素原子が結晶から脱離しやすいこと。これらにより結晶内の窒素が不足し、窒素空孔による欠陥が多量に発生していること。generated.【0005】第2に、イオン注入によって注入した原子は主にIII族窒化物半導体の結晶格子間に入るが、このままではドナー或いはアクセプタとして活性化しないので、Ga等III族原子サイトに配置させる必要がある。III族原子サイトではなく窒素サイトに組み込まれる可能性が有り、その場合は所望のキャリア供給源とは成り得ないこと。source.【0006】本発明は上記の課題を解決するために成されたものであり、その目的とするところは、イオン注入による窒素空孔の抑制と、注入した原子のGa等III族原子サイトへの配置の向上したIII族窒化物半導体の製造方法を提供することである。[0007]【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するため、請求項1に記載の手段は、その主たる構成元素以外の元素をイオン注入したIII族窒化物半導体の製造方法において、主たる構成元素以外の元素に加え、窒素をイオン注入することを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法である。implantation,Ga、N以外の元素をいい、Si、Ge、Mg、Zn、Al、Inほかいずれの元素でも良い。elementsGa、N以外の元素を複数打ち込む場合も当然本願請求項1に包含される。y≦1)に適用される。1に記載のIII族窒化物半導体の製造方法において、主たる構成元素以外の元素と窒素のイオン注入ののち、保護膜を形成して1000°C以上の温度でアニールすることを特徴とする。1又は請求項2に記載のIII族窒化物半導体の製造方法において、注入後の、主たる構成元素以外の元素の深さ方向の密度分布と、注入により、窒素以外の主たる構成元素に比し過剰となった窒素の深さ方向の密度分布が、略一致することを特徴とする。implantationNの密度分布は大きくなる、その差をいう。elements,III族窒化物半導体のドナー原子となる元素であることを特徴とする。elements,III族窒化物半導体のアクセプタ原子となる元素であることを特徴とする。