Technologies(インフィニオン)は、ソース電極が底面にあるソースダウン構造のパッケージに封止した、+25V耐圧のパワーMOSFET「IQE006NE2LM5CG/IQE006NE2LM5」を発売した(ニュースリリース)。同社のパワーMOSFETファミリー「OptiMOS」に含まれる製品である。2製品どちらも、nチャネル品である。ドレイン電極の代わりにソース電極をパッケージの底面に設けて、放熱電極に直接接続できるようにした。この結果、「オン抵抗と熱抵抗を削減でき、電源回路の電力密度向上や性能改善を達成できるようになる」(同社)という。パッケージは、実装面積が3.3mm×3.3mmの8端子PQFNである。サーバーや通信機器などのスイッチング電源のほか、モーター駆動機器、バッテリーマネジメント回路、オアリング(ORing)回路に向ける。ソースダウン構造のパッケージに封止した25V耐圧のパワーMOSFET。Technologiesの写真[画像のクリックで拡大表示]最大ドレイン電流は連続時に298A、パルス時に1192A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに0.50mΩ(標準値)、+4.5Vのときに0.65mΩ(標準値)とどちらも低い。「オン抵抗は、従来技術を採用した製品と比較すると最大30%減を達成した」(同社)という。全ゲート電荷量は28.5nC(標準値)。入力容量は4100pF(標準値)。出力容量は1700pF(標準値)。帰還容量は130pF(標準値)。ゲート抵抗は0.7Ω(標準値)。出力電荷量は41.3nC(標準値)である。接合部とケース間の熱抵抗は1.4°C/W(最大値)。デバイスとプリント基板(6cm2の放熱電極)の間の熱抵抗は60°C/Wである。IQE006NE2LM5CGとIQE006NE2LM5の違いは、パッケージ底面のゲート電極の形状にある。IQE006NE2LM5CGは「センターゲート構造」。IQE006NE2LM5は「スタンダードゲート構造」を採用する。2製品どちらも、すでに量産を始めている。価格は明らかにしていない。Exposition(APEC)」の同社ブース(ブース番号1510)で展示する予定である。New加速する自動運転の開発競争エレキ世界最大のファウンドリーが日本で求人あらゆるプロセスで顧客ニーズに対応セキュリティも万全な新IoT向けマイコン毎月更新。世界で戦える工場マネージャー養成講座(全2回セット)国内外を問わず工場のマネジメントを担う管理者に求められるスキルを体系的に学べる講座です。激変する自動運転分野の最新技術と事業課題などについて、世界の最新情報をお伝えします。SPICEのコンサルティング企業であるビジネスキューブ・アン...テスラ「モデル3/モデルS」徹底分解【ECU編】50個以上におよぶECUを分解写真付きで解説。IC・コストを徹底分析モビリティーサプライヤー進化論CASE時代に向けて、日系サプライヤーは生き残れるか。