必須の安全絶縁バリアを二次側で制御するための強化絶縁ゲートドライバです。CMTI(コモンモード過渡耐性)を備えています。温度と出力の変化が小さく、伝播遅延がわずか37nsのため、安全絶縁バリア全体の非常に厳密なタイミング制御の実施により、電力システム設計の効率が向上します。1A/2Aを搭載した2EDS8165Hは、ローカルブーストドライバーで動作する非常に高い電力設計向けに、より小型のMOSFETまたはPWM信号/データデカップリング用に使用できます。これらのデバイスには、UL1577、VDE0884-10、IEC62386、およびIEC60950に準拠した安全証明書が提供されます。2EDFS8xx5Hの製品は、ワイドボディ300ミルDSO16パッケージで提供されます。SMPS無停電電源(UPS)バッテリーEV充電スマートグリッドお使いのブラウザはインラインフレーム(iframe)をサポートしていません。埋め込まれたページはこちらに表示されます。注文ボードソフトウエア&ツールシミュレーションビデオインフィニオン独自の2チャンネル絶縁ゲートドライバIC1:182チャンネル絶縁ドライバICの新しい製品ファミリーの詳細、および新しい製品ファミリーがシステム最適化にどれほど役に立つのかご覧ください。新しいドライバICは、きわめて正確なタイミング動作と超低抵抗の出力段という、業界でも類のない特長がある製品です。2EDS8265Hの評価プラットフォームです。MOSFETモジュール用のゲートドライバの選び方シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。