お問い合わせ会員登録/ログイン検索内容を選んでください。検索内容を選んでください。大電流を扱うパワーモジュールにはSiのIGBTとFRDを組み合わせたIGBTモジュールが広く用いられています。ロームでは世界に先駆けて、SiC-MOSFETとSiC-SBDを搭載したパワーモジュールの販売を開始しています。IGBTのテイル電流とFRDのリカバリ電流に起因して生じていた大きなスイッチング損失は、SiCモジュールによって大幅に削減可能なため、スイッチング損失の低減による電源効率改善ならびに冷却器の簡素化(例:ヒートシンクの小型化、水冷/強制空冷の自然空冷化)動作周波数の高周波化による周辺部品の小型化(例:リアクトルやコンデンサ等の小型化)などの効果が得られます。産業機器の電源や、太陽光発電のパワーコンディショナーなどに応用が広がっています。しているSiCパワーモジュールは、1モジュールでハーフブリッジ回路を構成できる2in1タイプです。MOSFETのみで構成されたタイプがあり、用途に応じてお選びいただけます。reserved.ロームWebサイトはCookieを使用しております。引き続きロームWebサイトを閲覧・利用することで、Cookieの使用に同意したものとみなします。Cookieおよび個人情報の取扱いに関しての詳細は、プライバシーポリシーをご覧ください。