FETデバイス「LMG341x」ファミリーを発表した。FETにドライバと保護機能を集積している。FET(電界効果トランジスタ)デバイス「LMG341x」ファミリーを発表した。8×8mmのスプリットパッドQFNパッケージで供給され、1000個購入時の参考単価は「LMG3410R050」が18.69米ドル、「LMG3410R070」「LMG3411R070」が16.45米ドルとなる。FETにドライバと保護機能を集積した。動作が100ナノ秒以下の高速電流制限や過熱保護機能などを搭載し、貫通電流および短絡などに対する保護を提供する。FETデバイス「LMG341x」ファミリースイッチング周波数は1MHzで、スルーレート特性は最大100V/ナノ秒、シリコンベースのMOSFETに比べて損失を80%削減する。伝搬遅延時間は20ナノ秒、動作温度は−40〜125°Cとなる。加速テストやアプリケーション内でのハードスイッチングテストなど、2千万時間のデバイス信頼性テストで検証済みで、高いシステム信頼性を提供する。LMG3411R070は、サイクルバイサイクル過電流保護機能を搭載している。同社では、AC-DC電源、ロボティクス、再生可能エネルギー、グリッドインフラストラクチャ、通信、パーソナルエレクトロニクス製品などでの用途を見込む。高速GaNトランジスタ、最適な測定方法とはGaNトランジスタの出現がもたらしたスイッチング速度の高速化に伴って、優れた測定技術、それとともに高速波形の重要特性を細部まで把握する技術が不可欠になっている。本稿では、測定機器をどのように活用すれば、ユーザーの要求条件および測定技術に適合し、高性能GaNトランジスタを正確に評価することができるかを考察する。GaN(窒化ガリウム)FETパワー半導体「TP65H035WS」が、シーソニックエレクトロニクスの1.6kWブリッジレストーテムポールPFC(力率改善)プラットフォーム「1600T」に採用されたと発表した。FETドライバー「ISL70040SEH」を発表した。最大60VのハイサイドNチャネルMOSFETドライバアナログ・デバイセズ(ADI)は、最大60Vの電源電圧で動作する、高速ハイサイドNチャネルMOSFETドライバ「LTC7003」を発売した。内蔵のチャージポンプにより、100%のデューティサイクルを可能にした。67%効率で750Wを出力できるパワートランジスタNXPセミコンダクターズは、50VシリコンLDMOSをベースにした、915MHzアプリケーション向けパワートランジスタ「MRF13750H」を発表した。915MHz時に、67%の効率で750W出力を提供できる。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。