身の回りにある自然のエネルギーを電源とする、エネルギーハーベスティング技術がIoTセンサの立ち上がりによって、普及が加速しそうだ。その技術基盤を後押しする「エネルギーハーベスティングコンソーシアム」の参加企業・機関も増えつつある。電力を今よりスマート(賢く)に制御することがスマートグリッドのはず。家庭の電力もより賢く制御することがスマートホームのはず。ところが実際には見える化するだけで何も賢く制御していない。Green)社が開発した、その製品「BlueGreen」(図1)は、家庭や企業の分電盤で賢く制御し正確な商用電圧を得る機器だ。生産されるデータも積極的に利用しようとしている。Semiconductorの買収を2016年9月19日に完了し、旧Fairchildの組織を含めた日本法人の位置づけを再構成した。このほどわずか2カ月強で、合併後の企業戦略を作り上げこのほどその新戦略を発表した。Semiconductor(図1)はモバイルバッテリ向けのバッテリマネジメントICを開発した。2.0/3.0など6種類の急速充電規格に対応する。7爆発の原因はいまだに明らかではないが、バッテリマネジメントICは、リチウムイオン電池の管理に極めて重要な役割を担う。7の発火事件以来、リコール、返金や新品との交換といった選択肢を提示、交換してもまた発火事故が消えなかった。7の生産を中止することを発表した。その解明はこれからだ。Devices(ADI)は、電池の要らないエネルギーハーベスティングを利用したIoTデバイス(端末、あるいはセンサデバイス、センサノードなどとも言う)向けのパワーマネジメントIC、「ADP5091」の詳細を明らかにした(図1)。エネルギーハーベスティングは発生する電力が小さく、しかも変動が大きいのにもかかわらず、送信電力は数十mWと大きい。充電マネジメントも含め、安定な電力をどう供給するか。ここにPMICの腕の見せ所がある。Semiconductorが開発、スマートフォンのACアダプタ(AC-DCコンバータ)に向け、今後12カ月以内に量産すると発表した。GaNのモノリシックICは世界で初めての量産となる。ファウンドリはTSMCの予定。TechnologiesがSiC戦略を大きく変える。これまでのJFETからMOSFETを充実させる方針を明らかにした。耐圧1200Vでオン抵抗11mΩ〜45mΩの製品、CoolSiCシリーズをサンプル出荷し始めた。Creeの子会社Wolfspeed社を買収、SiC材料を手に入れ、SiCとGaN製品(GaN-on-SiC)のポートフォリオを拡大できる体制を整えた。2016では、パワーデバイスのさまざまな応用、使い勝手よく動かすためのドライバ、パワーで動くロボットやドローンなどの制御性を上げるためのセンサ、など新しい応用と動力技術が登場した。このイベントはモータ制御やパワー半導体、電源などに集中しているが、新しい応用を指向する。InstrumentsがGaNパワーFETに進出した。これまでのGaNやSiCのFETは、少数キャリヤの蓄積時間がないため高速に動作するが、急峻な立ち上がりゆえにリンギングを起こしたりノイズを発生させたり、ゲートドライブ回路の設計が難しかった。TIの新製品(図1)はゲートドライブ回路まで集積したため、使いやすいパワーデバイスとなった。「今日のニュース」の著作権は日本経済新聞社及び日刊工業新聞社に帰属します。